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题名IAZO薄膜晶体管的制备与性能研究
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作者
张祺
初学峰
胡小军
黄林茂
谢意含
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机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室
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出处
《日用电器》
2024年第4期113-118,共6页
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基金
吉林省科技发展计划项目,项目编号:20220201068GX。
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文摘
为了探究退火温度对IAZO薄膜晶体管器件光电性能的影响,采用射频溅射单溅射法,并在(400~700)℃的范围内制备了一系列真空退火后的IAZO薄膜晶体管。分别对IAZO薄膜表面形貌、内部结构、元素组成和价态组成进行分析,采用半导体参数仪及搭配的探针台测试电学性能测试。采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,随着退火温度的升高,器件的电学性能先呈现上升趋势,达到峰值后开始下降。在500 ℃真空退火1 h后,IAZO TFT饱和迁移率为0.18 cm2/(V·s)、阈值电压为3.35 V、亚阈值摆幅为0.10 V/decade、开关比为1.13*108。IAZO薄膜透光率达到90 %以上、光学带隙达到4.1 eV,器件性能达到最佳。
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关键词
薄膜晶体管
退火处理
XPS分析
铟铝锌氧化物
光电性能
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Keywords
thin film transistor
annealing treatment
XPS analysis
indium aluminum zinc oxide
optoelectronic performance
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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