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利用高频磁场制备自生梯度复合材料的熔体温度选择 被引量：4
1
作者 李赤枫 王俊 +2 位作者 疏达 李克 孙宝德 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期973-978,共6页
研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺。对于Al/Mg2Si/Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明:Al+Mg2Si二元共晶区(555～595℃)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的... 研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺。对于Al/Mg2Si/Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明:Al+Mg2Si二元共晶区(555～595℃)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的增强颗粒容易被外加电磁阿基米德力分离。高频磁场施加温度过高或过低,均不易使增强颗粒产生梯度分布效果。 展开更多
关键词 自生梯度复合材料 高频磁场 过共晶 Al/Mg2Si/Si合金
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高频磁场下制备表面增强自生梯度复合材料 被引量：6
2
作者 陈东风 曹志强 +1 位作者 杨淼 张婷 《铸造》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期821-824,共4页
高频磁场作用下利用电磁相分离工艺成功的制备了Al-Si过共晶合金自生梯度复合材料,通过改变磁场作用时间来控制初生硅的迁移,以使其更好地沿径向成梯度分布。分析了合金组织的形成机理,并测试试样硬度和硅含量的分布。结果表明,试样的... 高频磁场作用下利用电磁相分离工艺成功的制备了Al-Si过共晶合金自生梯度复合材料,通过改变磁场作用时间来控制初生硅的迁移,以使其更好地沿径向成梯度分布。分析了合金组织的形成机理,并测试试样硬度和硅含量的分布。结果表明,试样的心部大部分是共晶组织,硬度为HV100左右,表层区富集了大量的初生硅,硅的含量明显高于合金成分,硬度可以达到HV800,在二者之间形成很好的过渡层,使增强相和基体得到很好的结合。 展开更多
关键词 高频磁场 电磁分离 AL-SI过共晶合金 自生梯度复合材料
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电磁分离制备自生梯度复合材料工艺中磁场有效作用时间的分析 被引量：4
3
作者 李克 周新 +2 位作者 胡世飞 饶磊 闫洪 《南昌大学学报（工科版）》 CAS 2006年第1期31-34,共4页
从理论和实验两方面研究了不同磁场作用时间条件下自生Mg2S i颗粒增强复合材料中增强颗粒的径向梯度分布规律.通过实验确定了高频磁场输入功率和铸模预热温度的参数搭配为:高频磁场的输入功率为7 kW左右,铸模预热温度为100℃左右.计算... 从理论和实验两方面研究了不同磁场作用时间条件下自生Mg2S i颗粒增强复合材料中增强颗粒的径向梯度分布规律.通过实验确定了高频磁场输入功率和铸模预热温度的参数搭配为:高频磁场的输入功率为7 kW左右,铸模预热温度为100℃左右.计算及实验结果表明,高频磁场的有效作用时间为23 s,超过高频磁场的有效作用时间后,工艺对高频磁场的利用效率将下降. 展开更多
关键词 自生梯度复合材料 电磁分离 高频磁场 有效作用时间
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