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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压 被引量：1
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作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 陈涛 冯汉华 袁润章 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期292-294,共3页
利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT... 利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 ) 展开更多
关键词 多层铁电薄膜 内建电压 刻印失效 整流特性 半导体存储器
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大学生创业失败烙印:生成原因、形变机制与应对策略
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作者 朱沛鹏 钟云华 《高等继续教育学报》 2024年第1期73-80,共8页
创业失败烙印深刻影响着大学生创业者的认知模式,是探讨其后续行为选择的关键所在。研究基于烙印理论视角,解析了大学生创业失败烙印的生成原因,认为处于敏感期的大学生会受嵌入社会、学校和家庭三重环境的创业失败影响而生成创业失败烙... 创业失败烙印深刻影响着大学生创业者的认知模式,是探讨其后续行为选择的关键所在。研究基于烙印理论视角,解析了大学生创业失败烙印的生成原因,认为处于敏感期的大学生会受嵌入社会、学校和家庭三重环境的创业失败影响而生成创业失败烙印;结合大学生创业失败烙印的两种类型和形变方向,构建了大学生创业失败烙印形变机制模型,包括正向烙印的正向形变、正向烙印的负向形变、负向烙印的负向形变和负向烙印的正向形变四种类型。研究从政府建立行之有效的帮扶机制、高校顺势而为改革创业教育体系以及家庭发挥“避风港”的保护作用三个方面提出应对大学生创业失败烙印的策略。 展开更多
关键词 大学生创业失败 创业失败烙印 形变机制 应对策略
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