一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究 被引量：8

1

作者 刘红侠 郑雪峰 +2 位作者 韩晓亮 郝跃 张绵 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期2576-2579,共4页

通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关... 通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 .进一步改进GaAsPHEMT的击穿电压 。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 PHEMT器件 可靠性评估 碰撞电离率 GAAS 退化 沟道电场峰值 砷化镓晶体管

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基于标准CMOS技术的新型多晶硅发光器件的设计与实现 被引量：5

2

作者 艾康 程骏骥 +6 位作者 朱坤峰 吴克军 刘钟远 刘志伟 赵建明 黄磊 徐开凯 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期300-306,共7页

目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴在轻和重质量带之间... 目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴在轻和重质量带之间的带内跃迁、高场条件下的电离和间接带间重组),对不同雪崩模式下的发光机理进行了理论分析;然后研究了器件内部的空穴和电子在反偏电压下的漂移及扩散情况,指出载流子注入增加了参与雪崩倍增过程的载流子数量,进而使碰撞电离率提高;最后对器件的电场、光谱、电流与光强等数据进行分析,对量子效率和光电转换效率进行计算,验证了所研究结构通过载流子注入实现了碰撞电离率的提高,进而实现了发光效率的提高,其中量子效率为5.9×10^-5,光电转换效率为4.3×10^-6。 展开更多

关键词 激光光学 集成电路工艺 全硅光学生物传感器 发光效率 碰撞电离率 载流子注入

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Al^(q+)(q=0～12)的电子碰撞电离截面和速率系数 被引量：3

3

作者 方泉玉 李萍 +2 位作者 刘勇 邹宇 邱玉波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期325-328,共4页

使用扭曲波玻恩交换 ( DWBE)近似计算 Alq+ ( q=0～ 1 2 )的电子碰撞电离截面和速率系数 ,其中电离截面的高能行为由 Bethe系数决定。分析了计算数据随电离度的变化规律 ,并且与可得到的实验的和其他计算的数据进行了比较 。

关键词 电子碰撞电离 截面 速率系数

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类锂离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数 被引量：2

4

作者 周忠源 朱颀人 +1 位作者 潘守甫 宋迪光 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期1817-1824,共8页

在库仑-玻恩交换近似及由我们改善了屏蔽常数定义和算法的Z标度类氢模型下,计算了类锂CⅣ、NⅤ和OⅥ离子的内、外壳层电子被入射电子碰撞的直接电离和非直接的激发自电离截面和速率系数。与实验结果比较,对于CⅣ、NⅤ和OⅥ,我们的计算... 在库仑-玻恩交换近似及由我们改善了屏蔽常数定义和算法的Z标度类氢模型下,计算了类锂CⅣ、NⅤ和OⅥ离子的内、外壳层电子被入射电子碰撞的直接电离和非直接的激发自电离截面和速率系数。与实验结果比较,对于CⅣ、NⅤ和OⅥ,我们的计算截面值的最大相对误差分别不超过3％、11％和20％,并随入射电子能量的增加误差越来越小。与其它的理论结果相比,随着Z增加,我们计算的速率系数与实验结果符合得更好些。 展开更多

关键词 电子碰撞 电离 速率系数 类锂离子

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激光金等离子体的电子离子碰撞电离速率系数 被引量：1

5

作者 易有根 王学文 +4 位作者 郑志坚 颜君 李萍 方泉玉 邱玉波 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期173-176,共4页

电子离子碰撞电离过程在超组态碰撞辐射 (SCROLL)模型中真实模拟非局域热动力学平衡 (non LTE)高Z材料Au激光等离子体M带谱 5 f - 3d跃迁中各种复杂离子的电离态特性 ,诸如离子的平均电离度和电荷态分布是一个主要过程。基于准相对论扭... 电子离子碰撞电离过程在超组态碰撞辐射 (SCROLL)模型中真实模拟非局域热动力学平衡 (non LTE)高Z材料Au激光等离子体M带谱 5 f - 3d跃迁中各种复杂离子的电离态特性 ,诸如离子的平均电离度和电荷态分布是一个主要过程。基于准相对论扭曲波玻恩交换近似 ,采用组态平均的方法 ,从头计算了金M带类铁金离子 类锗金离子的电子离子碰撞电离速率系数 ,其中电离截面的高能行为由Bethe系数决定。结果表明 :在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度～ 2keV ,电子密度～ 6× 10 2 1cm-3 范围内 ,这些参数有利于使用超组态碰撞辐射模型拟Au的激光等离子体M带细致谱 5f - 展开更多

关键词 电子离子碰撞电离 类铁金离子-类锗金离子 速率系数 超组态碰撞辐射模型 激光金等离子体 原子动力学

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A1　Ⅺ共振电离截面和速率系数 被引量：1

6

作者 安兴泰 周忠源 潘守甫 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期217-219,共3页

利用改进后的屏蔽常数和Ｚ标度类Ｈ模型理论，计算了电子碰撞Ａ１Ⅺ共振电离截面和速率系数，并把我们计算结果与其他理论结果进行了比较。

关键词 电子碰撞 铝离子 电离截面 共振

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类Be离子电子碰撞电离的速率系数计算

7

作者 钱兴中 张颖 +1 位作者 刘波 潘守甫 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期2954-2959,共6页

本文用Sampsom等的“Z-标度类氢模型和库仑玻恩交换近似”方法,修改了Sampson理论中关于屏蔽常数的定义,选用电子轨道平均半径标准,使用多组态Hartree—Fock(MCHF)及多组态Dirac—Fock(MCDF)方法计算屏蔽常数,并给出了类Be离子C^(2+)、N... 本文用Sampsom等的“Z-标度类氢模型和库仑玻恩交换近似”方法,修改了Sampson理论中关于屏蔽常数的定义,选用电子轨道平均半径标准,使用多组态Hartree—Fock(MCHF)及多组态Dirac—Fock(MCDF)方法计算屏蔽常数,并给出了类Be离子C^(2+)、N^(3+)、O^(4+)、Ne^(6+)及Fe^(22+)的电离速率系数。从计算结果,可以看到高荷电靶离子的相对论效应。 展开更多

关键词 碰撞电离 速率系数 类铍离子

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类钠铜、硒和锝离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数

8

作者 张颖 朱颀人 潘守甫 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第2期55-58,共4页

本文在Z标度类氢模型算法下,采用库仑-玻恩交换近似和改善的屏蔽常数定义,计算了类钠铜离子和类钠水窗两端的硒和锝离子的内外壳层电子的电子碰撞直接电离和非直接激发自电离的速率系数和截面.

关键词 电子碰撞电离 速率系数 类钠铜离子

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内壳层电子电离对NaⅨ电子碰撞电离截面和速率系数的影响

9

作者 周忠源 朱颀人 潘守甫 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期69-72,共4页

在库仑-玻恩交换近似及我们改进的屏蔽常数定义和算法的Z-标度类氢模型下,计算了NaⅨ被电子碰撞的共振电离截面和速率系数.研究了内壳层电子电离对截面和速率系数的影响.

关键词 电子碰撞 电离 共振 截面 速率系数

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电子碰撞类锂钙离子共振电离截面和速率系数

10

作者 周忠源 朱颀人 潘守甫 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期2941-2945,共5页

在库仑—坡恩交换近似及被我们改进了屏蔽常数定义和算法的Z—标度类氢模型下,计算了类锂钙离子被电子碰撞的共振电离截面和速率系数。

关键词 类锂钙离子 电子碰撞 碰撞电离

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SOI NLIGBT热载流子效应研究

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作者 张炜 张世峰 +1 位作者 韩雁 吴焕挺 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期309-313,317,共6页

SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件... SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件内部的电场强度和碰撞离化率也进行了仿真。测试得到的电荷泵电流直接验证了器件表面的损伤程度。最后讨论了SOI LIGBT在不同栅压条件下的退化机制。 展开更多

关键词 绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管 热载流子效应 碰撞离化率 电荷泵 界面态 氧化层陷阱空穴

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