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193nm浸液式光刻技术现状
被引量：
3
1
作者
孔德生
童志义
《电子工业专用设备》
2006年第7期1-6,共6页
概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。
关键词
浸液式光刻
曝光设备
折射率
偏振技术
双重曝光
下载PDF
职称材料
向32nm迈进的光刻技术
2
作者
童志义
《电子工业专用设备》
2007年第4期8-16,共9页
概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。
关键词
浸液式光刻
折射率
双重曝光
极紫外光刻
纳米压印光刻
曝光设备
下载PDF
职称材料
深紫外双层金属光栅偏振器的设计与分析
被引量：
1
3
作者
吴芳
步扬
+3 位作者
刘志帆
王少卿
李思坤
王向朝
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期178-188,共11页
193 nm波长浸没式步进扫描投影光刻机是实现45 nm及以下技术节点集成电路制造的核心装备.增大数值孔径是提高光刻分辨率的有效途径,而大数值孔径曝光系统的偏振性能严重影响光刻成像质量.光刻机曝光系统偏振参数的高精度检测是对其进行...
193 nm波长浸没式步进扫描投影光刻机是实现45 nm及以下技术节点集成电路制造的核心装备.增大数值孔径是提高光刻分辨率的有效途径,而大数值孔径曝光系统的偏振性能严重影响光刻成像质量.光刻机曝光系统偏振参数的高精度检测是对其进行有效调控的前提.基于光栅的偏振检测技术能实现浸没式光刻机偏振检测装置的小型化,满足其快速、高精度在线检测的需求,该技术中的关键部件是结构紧凑且偏振性能良好的光栅.本文基于反常偏振效应和双层金属光栅对TE偏振光的透射增强原理,采用严格耦合波理论和有限时域差分方法,设计了一种双层金属光栅偏振器.计算了该偏振器的初始结构参数,并通过数值仿真得到了其偏振性能关于各光栅参数的变化关系.仿真结果表明,中间层高度是影响TE偏振光透射增强的主要因素;垂直入射时TE偏振光的透过率可达到56.8%,消光比高达65.6 dB.与现有同波段金属光栅偏振器相比,所设计的光栅偏振器在保证高透过率的同时,消光比提升了四个数量级.
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关键词
双层金属光栅
偏振检测
深紫外
浸没式光刻机
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职称材料
题名
193nm浸液式光刻技术现状
被引量：
3
1
作者
孔德生
童志义
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2006年第7期1-6,共6页
文摘
概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。
关键词
浸液式光刻
曝光设备
折射率
偏振技术
双重曝光
Keywords
immersion
lithography
,
Exposure
tool
,
Refractive
Index,
Polarization
Technology,
Dual
Exposure
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
向32nm迈进的光刻技术
2
作者
童志义
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2007年第4期8-16,共9页
文摘
概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。
关键词
浸液式光刻
折射率
双重曝光
极紫外光刻
纳米压印光刻
曝光设备
Keywords
immersion
lithography
Re,active
Index
EUVL
Polarization
Technology
Dual
Exposure
Imprint
Exposure
tool
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
深紫外双层金属光栅偏振器的设计与分析
被引量：
1
3
作者
吴芳
步扬
刘志帆
王少卿
李思坤
王向朝
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
中国科学院大学
上海大学机电工程与自动化学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期178-188,共11页
基金
国家科技重大专项(批准号:2016ZX02201-001)
广西高校光电信息处理重点实验室开放基金(批准号:KFJJ2016-03)
上海市科委科技基金(批准号:18511104500)资助的课题.
文摘
193 nm波长浸没式步进扫描投影光刻机是实现45 nm及以下技术节点集成电路制造的核心装备.增大数值孔径是提高光刻分辨率的有效途径,而大数值孔径曝光系统的偏振性能严重影响光刻成像质量.光刻机曝光系统偏振参数的高精度检测是对其进行有效调控的前提.基于光栅的偏振检测技术能实现浸没式光刻机偏振检测装置的小型化,满足其快速、高精度在线检测的需求,该技术中的关键部件是结构紧凑且偏振性能良好的光栅.本文基于反常偏振效应和双层金属光栅对TE偏振光的透射增强原理,采用严格耦合波理论和有限时域差分方法,设计了一种双层金属光栅偏振器.计算了该偏振器的初始结构参数,并通过数值仿真得到了其偏振性能关于各光栅参数的变化关系.仿真结果表明,中间层高度是影响TE偏振光透射增强的主要因素;垂直入射时TE偏振光的透过率可达到56.8%,消光比高达65.6 dB.与现有同波段金属光栅偏振器相比,所设计的光栅偏振器在保证高透过率的同时,消光比提升了四个数量级.
关键词
双层金属光栅
偏振检测
深紫外
浸没式光刻机
Keywords
bilayer
metallic
grating
polarization
measurement
deep
ultraviolet
immersion
lithography
tool
分类号
O436.3 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
193nm浸液式光刻技术现状
孔德生
童志义
《电子工业专用设备》
2006
3
下载PDF
职称材料
2
向32nm迈进的光刻技术
童志义
《电子工业专用设备》
2007
0
下载PDF
职称材料
3
深紫外双层金属光栅偏振器的设计与分析
吴芳
步扬
刘志帆
王少卿
李思坤
王向朝
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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职称材料
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