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用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究
被引量：
3
1
作者
齐晓光
雷青松
+2 位作者
杨瑞霞
薛俊明
柳建平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2230-2234,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率...
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性。作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池。
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关键词
irf
-
pecvd
非晶硅薄膜
硅烷浓度
HIT太阳电池
下载PDF
职称材料
题名
用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究
被引量：
3
1
作者
齐晓光
雷青松
杨瑞霞
薛俊明
柳建平
机构
河北工业大学信息工程学院
河北汉盛光电科技有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2230-2234,共5页
文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性。作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池。
关键词
irf
-
pecvd
非晶硅薄膜
硅烷浓度
HIT太阳电池
Keywords
RF-
pecvd
a-Si： H thin films
silane concentration
HIT solar cell
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究
齐晓光
雷青松
杨瑞霞
薛俊明
柳建平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
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参考文献
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