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浸渍-涂布法制备In_2O_3薄膜 被引量：4
1
作者 王廷富 潘庆谊 +2 位作者 金永林 张剑平 程知萱 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期243-246,共4页
以InCl3·4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜。同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系。膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62... 以InCl3·4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜。同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系。膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62。XRD、IR测试表明经过400℃煅烧,PVA已经完全排除。SEM照片表明薄膜形貌平整、光亮,从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 浸渍-涂布 薄膜 氧化铟 制备
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