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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能
被引量：
5
1
作者
郑冬梅
戴宪起
《贵州师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第1期64-68,共5页
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合...
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随着A l含量的增加,杂质结合能增大。而杂质从量子点下界面沿Z轴上移至上界面时,杂质结合能先增大后减小,存在最大值。
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关键词
类氢杂质
GaN/Alx
Ga1-xN量子点
结合能
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职称材料
In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中类氢杂质态结合能
被引量：
3
2
作者
郑冬梅
戴宪起
《三明学院学报》
2008年第2期144-148,共5页
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(高度、半径)I、n组分和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量...
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(高度、半径)I、n组分和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随量子点半径增大而减小;而随着In组分的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大;量子点内外材料的电子有效质量的失配使杂质态结合能减小。
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关键词
类氢杂质态
InxGa1-xN/GaN量子点
结合能
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职称材料
Ⅲ族氮化物量子点中类氢杂质态结合能
被引量：
3
3
作者
郑冬梅
王宗篪
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2008年第3期8-14,共7页
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN,In xGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(量子点高度L和量子点半径R)、Al或In含量和类氢杂质位...
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN,In xGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(量子点高度L和量子点半径R)、Al或In含量和类氢杂质位置的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对杂质态结合能的修正.结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度、半径的增加先增大后减小,存在最大值.对GaN/AlxGa1-xN量子点,随着Al含量的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿z轴上移至上界面过程中,结合能存在最大值.对InxGa1-xN/GaN量子点,随着In含量的增加,结合能先缓慢增大后缓慢减小,存在最大值;杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大.量子点内外电子有效质量的失配使杂质态结合能增大.
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关键词
类氢杂质
量子点
结合能
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职称材料
类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响
被引量：
1
4
作者
郑冬梅
戴宪起
黄凤珍
《三明学院学报》
2005年第4期365-369,共5页
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参...
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。
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关键词
类氢杂质
InxGa1-xN/GaN量子点
激子基态能
激子结合能
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职称材料
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态
被引量：
1
5
作者
郑冬梅
戴宪起
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2006年第2期31-35,共5页
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;...
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.
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关键词
类氢杂质
GaN/AlxGa1-xN量子点
激子基态能
激子结合能
光跃迁能
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职称材料
类氢杂质InAs量子环的基态和激发态能级
被引量：
1
6
作者
惠萍
《广东第二师范学院学报》
2011年第3期26-30,共5页
利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为常数E0,0=-4.98meV;当r0=0时,且无类氢杂质时,计算结果和精确的理论计算结果完全一致;当量子环较小时,杂...
利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为常数E0,0=-4.98meV;当r0=0时,且无类氢杂质时,计算结果和精确的理论计算结果完全一致;当量子环较小时,杂质的库仑势对量子环的能量曲线Enr,m——r0影响较大;当量子环较大时,杂质的库仑势对量子环的能量的影响越来越小,库仑项可以近似地作为微扰项来处理.抛物禁闭关联势-μω02rr0对量子环的能量起关键作用,绝对不可能作为微扰项处理.量子环的基态和激发态随着抛物势ω的增加而增大.保持径向量子数nr不变,小量子环的能级随着角量子数|m|不同而明显分开,简并被破坏;当量子环变大时,基态和激发态的能级都趋于简并.
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关键词
类氢杂质
量子环
B样条技术
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职称材料
含类氢杂质的量子点的基态能
7
作者
王正茂
周义昌
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1996年第6期49-52,共4页
用Ｐｅｋｅｒ－Ｌａｎｄａｕ变分法计算了含类氢杂质的量子点基态能，发现外磁场、量子点固有禁闭势、电子杂质相互作用、电声子相互作用对量子点基态能都有影响。
关键词
量子点
类氢杂质
电声子相互作用
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职称材料
磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响
8
作者
惠萍
《广东第二师范学院学报》
2011年第5期31-36,共6页
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,ml——r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r00随着...
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,ml——r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r00随着B的增加而减小,随着m增大而增大.能级随着谐振子势ωh的增大而增大.不同能级曲线Enr,ml——ωh出现交叉现象.当量子环较大时,Enr,ml——B曲线.随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象.
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关键词
B样条技术
量子环
能级
类氢杂质
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职称材料
氢化杂质和厚度效应对高斯势量子点中二能级体系量子跃迁的影响
9
作者
白旭芳
赵玉伟
+1 位作者
尹洪武
额尔敦朝鲁
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第17期261-268,共8页
在计及氢化杂质和厚度效应下,分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘型量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Lee-Low-Pines-Pekar变分法推导出量子点中电子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,以此为基础,构...
在计及氢化杂质和厚度效应下,分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘型量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Lee-Low-Pines-Pekar变分法推导出量子点中电子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,以此为基础,构造了一个二能级结构,并基于二能级体系理论,讨论了电子在磁场作用下的量子跃迁.结果表明,高斯函数型限定势比抛物线型限定势更能精准反映量子点中真实的限定势;量子点的厚度对电子的跃迁概率的影响不凡;电声耦合强度、介电常数比、磁场的回旋频率、高斯函数型限定势阱的阱深和阱宽等对电子基态与第一激发态声子平均数、能量以及量子跃迁的影响显著.
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关键词
量子点
氢化杂质
高斯函数型限定势阱
量子跃迁
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职称材料
类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算
10
作者
惠萍
《广东教育学院学报》
2009年第5期54-58,共5页
利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应.计算结果表明:量子环的能级E1随着抛物势ω的增加而增大.E1-r0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ω的增加而减小.束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降.在...
利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应.计算结果表明:量子环的能级E1随着抛物势ω的增加而增大.E1-r0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ω的增加而减小.束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降.在r0<60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显.在r0>60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0<70nm区域,随着角动量me从0增加到3,E1-r0和Eb-r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着me的增加而快速增大.在r0>80 nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于me值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小.库仑能不可以作为微扰项来处理.
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关键词
施主杂质
量子环
B样条技术
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职称材料
题名
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能
被引量：
5
1
作者
郑冬梅
戴宪起
机构
三明学院物理与机电工程系
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《贵州师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2006年第1期64-68,共5页
基金
国家自然科学基金(60476047)资助项目
河南省教育厅自然科学基金(200510476005)资助项目
文摘
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随着A l含量的增加,杂质结合能增大。而杂质从量子点下界面沿Z轴上移至上界面时,杂质结合能先增大后减小,存在最大值。
关键词
类氢杂质
GaN/Alx
Ga1-xN量子点
结合能
Keywords
hydrogenic
-
like
impurity
GaN/AlxGa1-xN
quantum
dots
binding
energy
分类号
O48 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中类氢杂质态结合能
被引量：
3
2
作者
郑冬梅
戴宪起
机构
三明学院物理与机电工程系
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《三明学院学报》
2008年第2期144-148,共5页
文摘
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(高度、半径)I、n组分和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随量子点半径增大而减小;而随着In组分的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大;量子点内外材料的电子有效质量的失配使杂质态结合能减小。
关键词
类氢杂质态
InxGa1-xN/GaN量子点
结合能
Keywords
hydrogenic
-
like
impurity
InxGa1-xN／GaN
quantum
dots
Binding
energy
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
Ⅲ族氮化物量子点中类氢杂质态结合能
被引量：
3
3
作者
郑冬梅
王宗篪
机构
三明学院物理与机电工程系
出处
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2008年第3期8-14,共7页
基金
三明学院物理学优势学科建设项目(YSXK0602)
文摘
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN,In xGa1-xN/GaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(量子点高度L和量子点半径R)、Al或In含量和类氢杂质位置的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对杂质态结合能的修正.结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度、半径的增加先增大后减小,存在最大值.对GaN/AlxGa1-xN量子点,随着Al含量的增加,杂质态结合能增大;杂质从量子点下界面沿z轴上移至上界面过程中,结合能存在最大值.对InxGa1-xN/GaN量子点,随着In含量的增加,结合能先缓慢增大后缓慢减小,存在最大值;杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面过程中,杂质态结合能增大.量子点内外电子有效质量的失配使杂质态结合能增大.
关键词
类氢杂质
量子点
结合能
Keywords
hydrogenic
-
like
impurity
quantum
dots
binding
energy
分类号
O48 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响
被引量：
1
4
作者
郑冬梅
戴宪起
黄凤珍
机构
三明学院物理与机电工程系
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《三明学院学报》
2005年第4期365-369,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476047)
文摘
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。
关键词
类氢杂质
InxGa1-xN/GaN量子点
激子基态能
激子结合能
Keywords
hydrogenic
-
like
impurity
InxGa1-xN/GaN
quantum
dots
exciton
ground-state
energy
exciton
binding
energy
分类号
O413.2 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态
被引量：
1
5
作者
郑冬梅
戴宪起
机构
三明学院物理与机电工程系
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2006年第2期31-35,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476047)
文摘
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.
关键词
类氢杂质
GaN/AlxGa1-xN量子点
激子基态能
激子结合能
光跃迁能
Keywords
hydrogenic
-
like
impurity
GaN/AlxGa1-xN
quantum
dots
exciton
ground-
state
energy
exciton
binding
energy
photoluminescence
energy
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
类氢杂质InAs量子环的基态和激发态能级
被引量：
1
6
作者
惠萍
机构
广东第二师范学院物理系
出处
《广东第二师范学院学报》
2011年第3期26-30,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10874122)
广东省自然科学基金资助项目(8151030301)
广东教育学院教授博士专项经费资助项目
文摘
利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为常数E0,0=-4.98meV;当r0=0时,且无类氢杂质时,计算结果和精确的理论计算结果完全一致;当量子环较小时,杂质的库仑势对量子环的能量曲线Enr,m——r0影响较大;当量子环较大时,杂质的库仑势对量子环的能量的影响越来越小,库仑项可以近似地作为微扰项来处理.抛物禁闭关联势-μω02rr0对量子环的能量起关键作用,绝对不可能作为微扰项处理.量子环的基态和激发态随着抛物势ω的增加而增大.保持径向量子数nr不变,小量子环的能级随着角量子数|m|不同而明显分开,简并被破坏;当量子环变大时,基态和激发态的能级都趋于简并.
关键词
类氢杂质
量子环
B样条技术
Keywords
hydrogen
-
like
impurity
quantum
ring
B-spline
technique
分类号
O562.1 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
含类氢杂质的量子点的基态能
7
作者
王正茂
周义昌
机构
中山大学物理学系
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1996年第6期49-52,共4页
文摘
用Ｐｅｋｅｒ－Ｌａｎｄａｕ变分法计算了含类氢杂质的量子点基态能，发现外磁场、量子点固有禁闭势、电子杂质相互作用、电声子相互作用对量子点基态能都有影响。
关键词
量子点
类氢杂质
电声子相互作用
Keywords
quantum
dot,
hydrogenic
like
impurity
,
electron
phonon
interaction
分类号
O413 [理学—理论物理]
下载PDF
职称材料
题名
磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响
8
作者
惠萍
机构
广东第二师范学院物理系
出处
《广东第二师范学院学报》
2011年第5期31-36,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(10874122)
广东省自然科学基金资助项目(8151030301)
广东教育学院教授博士专项经费资助项目
文摘
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,ml——r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失.能量曲线的极小值位置r00随着B的增加而减小,随着m增大而增大.能级随着谐振子势ωh的增大而增大.不同能级曲线Enr,ml——ωh出现交叉现象.当量子环较大时,Enr,ml——B曲线.随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象.
关键词
B样条技术
量子环
能级
类氢杂质
Keywords
B-spline
technique
quantum
ring
energy
levels
hydrogen
-
like
impurity
分类号
O562.1 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
氢化杂质和厚度效应对高斯势量子点中二能级体系量子跃迁的影响
9
作者
白旭芳
赵玉伟
尹洪武
额尔敦朝鲁
机构
内蒙古民族大学物理与电子信息学院
河北科技师范学院凝聚态物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第17期261-268,共8页
基金
河北省自然科学基金(批准号:E2013407119)
内蒙古高等学校科学技术研究项目(批准号:NJZY14189)资助的课题~~
文摘
在计及氢化杂质和厚度效应下,分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘型量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Lee-Low-Pines-Pekar变分法推导出量子点中电子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,以此为基础,构造了一个二能级结构,并基于二能级体系理论,讨论了电子在磁场作用下的量子跃迁.结果表明,高斯函数型限定势比抛物线型限定势更能精准反映量子点中真实的限定势;量子点的厚度对电子的跃迁概率的影响不凡;电声耦合强度、介电常数比、磁场的回旋频率、高斯函数型限定势阱的阱深和阱宽等对电子基态与第一激发态声子平均数、能量以及量子跃迁的影响显著.
关键词
量子点
氢化杂质
高斯函数型限定势阱
量子跃迁
Keywords
quantum
dot
hydrogen
-
like
impurity
asymmetric
Gaussian
functional
confinement
potential
well
quantum
transition
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算
10
作者
惠萍
机构
广东教育学院物理系
出处
《广东教育学院学报》
2009年第5期54-58,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10874122)
广东省自然科学基金资助项目(8151030301)
广东教育学院教授博士专项经费资助项目
文摘
利用B样条技术计算类氢施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应.计算结果表明:量子环的能级E1随着抛物势ω的增加而增大.E1-r0曲线存在极小值,极小值的位置r00随着ω的增加而减小.束缚能Eb随着量子环半径r0的增加而单调快速地下降.在r0<60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应很明显.在r0>60 nm区域,E1和Eb的量子尺寸效应不明显;在r0<70nm区域,随着角动量me从0增加到3,E1-r0和Eb-r0曲线的斜率发生剧烈的变化,E1的极小值的位置r00随着me的增加而快速增大.在r0>80 nm区域,E1-r0和Eb-r0曲线分别会聚成一条线,E1和Eb不依赖于me值的变化而变化;随着施主杂质的电荷增大,能级E1快速下降,E1-r0曲线的极小值的位置r00明显减小.库仑能不可以作为微扰项来处理.
关键词
施主杂质
量子环
B样条技术
Keywords
hydrogen
-
like
donor
impurity
quantum
ring
B-spline
technique
分类号
O562.1 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能
郑冬梅
戴宪起
《贵州师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2006
5
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职称材料
2
In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中类氢杂质态结合能
郑冬梅
戴宪起
《三明学院学报》
2008
3
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职称材料
3
Ⅲ族氮化物量子点中类氢杂质态结合能
郑冬梅
王宗篪
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2008
3
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职称材料
4
类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响
郑冬梅
戴宪起
黄凤珍
《三明学院学报》
2005
1
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职称材料
5
GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态
郑冬梅
戴宪起
《淮北煤炭师范学院学报（自然科学版）》
2006
1
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职称材料
6
类氢杂质InAs量子环的基态和激发态能级
惠萍
《广东第二师范学院学报》
2011
1
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职称材料
7
含类氢杂质的量子点的基态能
王正茂
周义昌
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1996
0
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职称材料
8
磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响
惠萍
《广东第二师范学院学报》
2011
0
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职称材料
9
氢化杂质和厚度效应对高斯势量子点中二能级体系量子跃迁的影响
白旭芳
赵玉伟
尹洪武
额尔敦朝鲁
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
10
类氢施主杂质量子环能级和束缚能的B样条计算
惠萍
《广东教育学院学报》
2009
0
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