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氢对非晶氮化硅薄膜键合结构和光学吸收特性的影响 被引量：3
1
作者 于威 孟令海 +1 位作者 丁文革 苑静 《信息记录材料》 2010年第1期8-11,共4页
采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量（15-25Sccm）条件下制备了氢化非晶氮化硅（a-SiN：H）薄膜，并利用傅立叶红外透射光谱（FTIR）和紫外一可见透射光谱（UV-VIS）对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析... 采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量（15-25Sccm）条件下制备了氢化非晶氮化硅（a-SiN：H）薄膜，并利用傅立叶红外透射光谱（FTIR）和紫外一可见透射光谱（UV-VIS）对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析。结果表明，氢气流量20Sccm时薄膜中氢的键密度最大，薄膜无序度最减小；薄膜的光学带隙Eg和E04逐渐增大。薄膜原子间键合结构和薄膜有序性的变化可归因于反应溅射过程中氢气的钝化和刻蚀作用。 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 対靶磁控溅射 键合结构 光学吸收特性
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反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响
2
作者 朱海丰 杨彦斌 +1 位作者 路万兵 于威 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期247-250,共4页
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5e... 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV. 展开更多
关键词 氢化非晶氮化硅 光致发光 反应气压
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