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电子束光刻HSQ显影对比度中的图形密度效应
1
作者 梁惠康 段辉高 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期137-144,共8页
氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算... 氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算,得到的结果与实际曝光的分辨率极限存在较大差异。针对这一问题,提出了与图形相关的显影对比度,提高了传统显影对比度在密集图形分辨率极限预测中的适用性。对HSQ的微观显影机理进行了阐述,分析了大块薄膜、亚10 nm周期密集高分辨结构显影过程和显影对比度曲线差异,预测和实验验证了超稀疏结构的超高显影对比度(线剂量对比度约为114)。该研究为改善HSQ工艺及提升计算光刻模型的精度提供了新的思路。 展开更多
关键词 电子束光刻(EBL) 氢倍半氧硅烷(hsq) 显影对比度 分辨率极限 显影机理 图形密度效应
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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化 被引量：4
2
作者 李欣 刘建朋 +5 位作者 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期73-77,共5页
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 展开更多
关键词 hsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线
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HSQ用于电子束曝光的性能分析 被引量：2
3
作者 赵珉 陈宝钦 +2 位作者 刘明 谢常青 朱效立 《微细加工技术》 EI 2008年第4期10-13,共4页
作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏... 作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。 展开更多
关键词 hsq(hydrogen silsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应
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大高宽比微纳结构制备关键技术 被引量：1
4
作者 赵健 董连和 +3 位作者 朱效立 谢常青 陈宝钦 史佩雄 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第10期685-690,共6页
利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子... 利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子产生的电子束曝光邻近效应的影响;通过显影液掺适量氯化钠的溶液配比的显影技术有效提高了图形对比度并且分析了氯化钠与HSQ的作用机理;利用二氧化碳超临界干燥法来抑制气液界面毛细管表面张力作用导致的抗蚀剂结构的坍塌和粘连。实验得到了高宽比为12∶1、侧壁陡直性良好的大面积密集纳米结构。 展开更多
关键词 hsq 电子束光刻 抗蚀剂工艺 CO2超临界干燥 大高宽比结构
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Nonlinear Solubility Behavior of Polymer and Oligomer Resists at Electron Beam Modification
5
作者 Katia Vutova Georgy Mladenov +4 位作者 Elena Koleva Ivan Kostic Anna Bencurova Pavol Nemec TakeshiTanaka 《材料科学与工程（中英文B版）》 2011年第4期523-529,共7页
关键词 线性聚合物 电子束改性 行为机制 溶解度 齐聚物 电子束光刻 倍半硅氧烷 曝光剂量
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高亮度硅纳米晶发光峰位的调制
6
作者 陈家荣 王东辰 +2 位作者 陆明 张弛 张玉琼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期479-484,共6页
镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),... 镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),通过控制腐蚀时间改变Si-nc的粒径和发光峰位。采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光和拉曼光谱等表征Si-nc∶SiO_(2)的结构和性能。将HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品与蒸镀方法制备的Si-nc∶SiO_(2)进行比较,得出采用HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品的性能远高于采用蒸镀方法制备的样品的性能,最终获得了发光波长为570 nm(黄光)、610 nm(橙光)和730 nm(红光)的Si-nc∶SiO_(2)。 展开更多
关键词 Si-nc∶SiO_(2) 氢硅倍半环氧乙烷(hsq) 光致发光 蒸镀 腐蚀
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