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Ge中热空穴输运的格林函数方法
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作者 唐刚 徐婉棠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期182-192,共11页
1985年X.L.Lei(雷啸林)和C.S.Ting(丁秦生)提出了热电子输运的格林函数方法,本文则是把他们的方法推广应用到非球形的扭曲等能面的情况,计算了半导体Ge中的热空穴在晶格温度T=77K,190K和300K时,场强在20V·cm^(-1)≤E≤10~4·V&... 1985年X.L.Lei(雷啸林)和C.S.Ting(丁秦生)提出了热电子输运的格林函数方法,本文则是把他们的方法推广应用到非球形的扭曲等能面的情况,计算了半导体Ge中的热空穴在晶格温度T=77K,190K和300K时,场强在20V·cm^(-1)≤E≤10~4·V·cm^(-1),电场方向分别沿<100>方向和<111>方向的空穴漂移速度和热电子温度,得到了与实验比较相符的结果,并对重空穴能带的非二次性效应对漂移速度的影响也进行了初步的计算和讨论。 展开更多
关键词 Ge 输运 格林函数 热电子 半导体
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不同磁暴条件下GEO卫星表面充电电位分布(英文)
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作者 钟俊 焦维新 +3 位作者 宗秋刚 张继春 Michelle F.Thomsen 田天 《航天器环境工程》 2009年第4期312-316,共5页
文章利用1989-2004年间"Los Alamos"7颗地球同步轨道卫星的数据对不同磁暴条件下处于地球同步轨道高度等离子体片区域的卫星表面充电电位和热电子(0.03~45keV)温度随地方时的分布及随磁暴发生时间的变化规律进行统计分析。... 文章利用1989-2004年间"Los Alamos"7颗地球同步轨道卫星的数据对不同磁暴条件下处于地球同步轨道高度等离子体片区域的卫星表面充电电位和热电子(0.03~45keV)温度随地方时的分布及随磁暴发生时间的变化规律进行统计分析。根据对磁层顶电流修正后的Dst指数(Dst*)将磁暴分成弱磁暴、强磁暴以及超大磁暴。在随地方时的分布上,弱磁暴时卫星最可能在午夜后侧负向强充电(>800V);随着磁暴强度的增加,在超大磁暴情况下该区域会沿东西方向扩展到夜晚21时到凌晨4时的区域。在随磁暴发生时间的分布上,弱磁暴下卫星表面充电到高负电位主要发生在Dst*最低点前3h和后2h的时刻,强磁暴下主要发生在Dst*最低点时刻,而超大磁暴下主要发生在恢复相,持续时间达十几个小时。表面电位的分布规律和热电子温度的分布规律表现一致:卫星表面负电位超过100V的区域主要集中在热电子温度大于2keV的区域,而表面负电位最可能超过800V的区域主要集中在热电子温度大于2.5keV的区域。通过统计分析看出,对于那些极可能发生高负电位充电(>8kV)情况下的卫星表面电位分布与磁暴的强弱并无明显的相关性,但发现在弱磁暴情况下明显集中在正午前侧区域。 展开更多
关键词 航天器带电 表面充电 地球同步轨道 表面电位 热电子温度
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