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籽晶粒径分布对高效多晶硅晶体生长的影响 被引量:6
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作者 戚凤鸣 张兆玉 +2 位作者 钟根香 周绪成 黄新明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期54-58,共5页
采用不同粒径分布的单晶籽晶进行高效多晶硅铸锭,结果表明单晶籽晶的粒径分布对引晶效果影响显著。籽晶粒径在1~4mm范围时,引晶效果最佳;粒径大于4mm时,硅熔体流延现象的存在导致长晶初期晶体中位错密度偏高,少子寿命降低;粒径小于1mm时... 采用不同粒径分布的单晶籽晶进行高效多晶硅铸锭,结果表明单晶籽晶的粒径分布对引晶效果影响显著。籽晶粒径在1~4mm范围时,引晶效果最佳;粒径大于4mm时,硅熔体流延现象的存在导致长晶初期晶体中位错密度偏高,少子寿命降低;粒径小于1mm时,细小的形核点也会影响晶体中的位错密度和少子寿命。对应电池片效率的结果也验证了该结论。 展开更多
关键词 高效多晶硅 半熔引晶 籽晶粒径分布 位错密度
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石英坩埚内高纯隔离层在高效多晶硅铸锭中的应用 被引量:4
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作者 王梓旭 尹长浩 +3 位作者 董慧 吴志勇 钟根香 黄新明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2525-2528,共4页
多晶硅铸锭过程中,石英坩埚侧壁中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭的边部,形成多晶硅锭边部的低少子寿命区(边部红区)。本文通过在坩埚侧壁上制作三种不同成分的高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中的扩散,以降低硅锭中... 多晶硅铸锭过程中,石英坩埚侧壁中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭的边部,形成多晶硅锭边部的低少子寿命区(边部红区)。本文通过在坩埚侧壁上制作三种不同成分的高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中的扩散,以降低硅锭中的边部红区比例。结果表明采用掺钡高纯隔离层可以使硅锭中的边部红区显著变窄,基本消除硅方中的边部红区。 展开更多
关键词 高效多晶硅 隔离层 红区
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