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高性能芯片物理实现的关键因素
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作者 樊凌雁 黄灿坤 +2 位作者 朱志伟 刘海銮 马香媛 《中国科学：信息科学》 CSCD 北大核心 2024年第1期110-120,共11页
影响高性能芯片的物理设计涉及多个关键因素,文章分析了其中主要的5个因素:标准单元库、核心IP库、布局布线、制造工艺、物理设计与EDA工具/Foundry的协作优化.通过对基本情况介绍,当前行业情况分析等,剖析了影响高性能芯片设计及制造... 影响高性能芯片的物理设计涉及多个关键因素,文章分析了其中主要的5个因素:标准单元库、核心IP库、布局布线、制造工艺、物理设计与EDA工具/Foundry的协作优化.通过对基本情况介绍,当前行业情况分析等,剖析了影响高性能芯片设计及制造的核心因素,对高性能芯片未来需要重点发展的方向提出了一些探讨思路. 展开更多
关键词 高性能芯片 物理设计 集成电路IP 核 EDA 布局布线
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