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高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性研究 被引量：2
1
作者 崔会会 孙同明 +2 位作者 王淼 陈磊 汤艳峰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第2期193-205,共13页
单离子磁体(SIMs)因其磁性双稳态和慢弛豫机制而在高密度信息存储、量子计算和分子自旋电子学等方面具有潜在的应用价值。其中3d过渡金属单离子磁体(3d‑SIMs)磁构关系较为简单且易于分析,因此得到了众多研究者的关注。目前文献上报道的... 单离子磁体(SIMs)因其磁性双稳态和慢弛豫机制而在高密度信息存储、量子计算和分子自旋电子学等方面具有潜在的应用价值。其中3d过渡金属单离子磁体(3d‑SIMs)磁构关系较为简单且易于分析,因此得到了众多研究者的关注。目前文献上报道的大多数3d‑SIMs通常具有较低的配位数,而对于高配位(七配位和八配位)的3d‑SIMs缺少深入而系统的研究。我们结合近年来的研究成果,从磁各向异性的基本性质、实验表征和理论计算3个方面出发,对高配位3d过渡金属单离子磁体的配位环境、磁各向异性和慢磁弛豫行为进行了综述,分析了配位构型和配位原子等配位环境对高配位3d过渡金属单离子磁体磁各向异性的影响,为高配位3d过渡金属单分子磁体的设计与调控提供思路。 展开更多
关键词 3d过渡金属离子 单离子磁体 磁各向异性 高配位
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