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Zn掺杂提升AgSnSbSe3热电性能的研究
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作者 刘海强 罗裕波 范淑媛 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期124-129,共6页
通过高温熔炼的方法制备掺Zn的Ag Sn Sb Se3,分析了Ag Sn Sb Se3掺Zn后得到的Ag Sn Sb1-xZnxSe3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)的相组成、形貌、元素组成和热电性能的关系,并利用COMSOL Multiphysic仿真模拟了热电优值(ZT值)最高的Ag Sn Sb0.9... 通过高温熔炼的方法制备掺Zn的Ag Sn Sb Se3,分析了Ag Sn Sb Se3掺Zn后得到的Ag Sn Sb1-xZnxSe3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)的相组成、形貌、元素组成和热电性能的关系,并利用COMSOL Multiphysic仿真模拟了热电优值(ZT值)最高的Ag Sn Sb0.98Zn0.02Se3的发电性能.研究表明:所有样品均为高对称的岩盐Na Cl结构,Zn掺杂可在样品中形成纳米第二相,一定量的Zn掺杂可协同优化Ag Sn Sb Se3的电声输运性能,样品Ag Sn Sb0.98Zn0.02Se3获得最高热电优值0.86@823 K.当温差为460 K时,获得的最大发电功率为11.372 m W,发电效率为5%,对Ag Sn Sb Se3掺杂外来原子可提升其热电性能. 展开更多
关键词 掺杂 高温熔炼 热电材料 电声输运性能 热电性能
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压力对CoSb_(2.750)Te_xGe_(0.250-x) n型方钴矿化合物的电输运性能的影响
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作者 姜一平 贾晓鹏 +2 位作者 马红安 邓乐 郑世钊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1658-1659,1663,共3页
采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析。电学性能测试... 采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析。电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750 TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低。功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高。CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm.K2)。 展开更多
关键词 方钴矿 高温高压 热电材料
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电磁熔配制备P型硅锗合金热电半导体材料
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作者 华俊森 吕国强 +3 位作者 马文会 魏奎先 李绍元 雷云 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2022年第12期22-27,108,共7页
采用电磁熔配法制备了掺杂B(含量分别为0.5%、1%、1.5%、2%,均为原子百分数,下同)的P型硅锗合金热电半导体材料,根据对样品的物相分析和微观形貌分析确定电磁熔配法使硅锗完成合金化的条件,并检测制备的P型硅锗合金热电半导体样品在200~... 采用电磁熔配法制备了掺杂B(含量分别为0.5%、1%、1.5%、2%,均为原子百分数,下同)的P型硅锗合金热电半导体材料,根据对样品的物相分析和微观形貌分析确定电磁熔配法使硅锗完成合金化的条件,并检测制备的P型硅锗合金热电半导体样品在200~800℃下的热电性能。结果表明:电磁搅拌熔配、保温120 min并使用二次冷却结晶方式可以使硅锗完成合金化,并且可以减少冷却结晶过程中锗的析出,提升样品均匀性;电磁熔配法制备的掺杂B含量为1.5%的P型硅锗合金热电半导体在800℃下的热电优值能够达到0.43。该方法制备工艺简单,制备时间短,可重复性强,为硅锗热电材料的制备提供一种新思路。 展开更多
关键词 高温热电材料 硅锗合金 电磁冶金法 均匀性 热电性能
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Mn-In-Cu共掺杂优化SnTe基材料的热电性能 被引量:3
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作者 黄青松 段波 +4 位作者 陈刚 叶泽昌 李江 李国栋 翟鹏程 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第15期257-265,共9页
无铅硫族化合物SnTe因与PbTe具有相似的晶体结构和能带结构,近些年受到广泛关注,然而其较低的Seebeck系数、本征高Sn空位浓度以及高的热导率导致本征热电性能较差.本文通过高温高压结合热压烧结的方式制备了Mn,In,Cu共掺杂的SnTe基热电... 无铅硫族化合物SnTe因与PbTe具有相似的晶体结构和能带结构,近些年受到广泛关注,然而其较低的Seebeck系数、本征高Sn空位浓度以及高的热导率导致本征热电性能较差.本文通过高温高压结合热压烧结的方式制备了Mn,In,Cu共掺杂的SnTe基热电材料.Mn带来的能带收敛和In引入的共振能级的共同作用提高了材料整个温度范围内的Seebeck系数,优化了材料的功率因子.此外,Mn合金化带来的点缺陷和Cu引入的间隙缺陷增强了声子散射,有效降低了材料的晶格热导率.多种策略结合下材料的电性能与热性能同时得到优化,其中Sn_(0.89)Mn_(0.15)In_(0.01)Te(Cu2Te)_(0.05)样品在873 K时获得最大zT≈1.45,300-873 K的平均zT达到0.76.多策略协同调控SnTe基热电材料时仍能较好地保持单策略所发挥的优异特性,这为进一步改进SnTe基热电材料性能提供了可能. 展开更多
关键词 SnTe 高温高压 掺杂 热电材料
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高温高压下掺杂N型PbTe的热电性能 被引量:3
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作者 宿太超 朱品文 +4 位作者 马红安 任国仲 郭建刚 今井义雄 贾晓鹏 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期55-58,共4页
以Sb2Te3作为掺杂剂,利用高温高压技术,成功合成出N型PbTe。在常温下对其热电性能的测试结果表明:掺杂微量的Sb2Te3后,PbTe的赛贝克系数绝对值和电阻率大幅度下降,热导率随掺杂浓度的增加缓慢升高。掺杂后PbTe的品质因子先大幅度增加,... 以Sb2Te3作为掺杂剂,利用高温高压技术,成功合成出N型PbTe。在常温下对其热电性能的测试结果表明:掺杂微量的Sb2Te3后,PbTe的赛贝克系数绝对值和电阻率大幅度下降,热导率随掺杂浓度的增加缓慢升高。掺杂后PbTe的品质因子先大幅度增加,后逐渐降低,最高达到8.7×10-4K-1,它比常压合成的PbTe掺杂PbI2高一倍以上。结果表明,将高温高压方法与掺杂相结合,能有效地改善PbTe的热电性能。 展开更多
关键词 PBTE Sb2Te3 高温高压 热电材料
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