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高温下的IGBT可靠性与在线评估 被引量:79
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作者 唐勇 汪波 +1 位作者 陈明 刘宾礼 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期17-23,共7页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在反复的热应力冲击下将引发失效,严重时将导致整个装置烧毁。目前对IGBT可靠性的分析主要有实验测试、寿命预测以及可靠性评估三种方法,对于实际装置中IGBT长期工作的可靠性难以实现有效的在线评估。分析了由I... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在反复的热应力冲击下将引发失效,严重时将导致整个装置烧毁。目前对IGBT可靠性的分析主要有实验测试、寿命预测以及可靠性评估三种方法,对于实际装置中IGBT长期工作的可靠性难以实现有效的在线评估。分析了由IGBT可靠性降低引发的失效机理与三种主要的可靠性分析方法,指出了通过监控IGBT结壳间稳态热阻来实现可靠性在线评估存在的困难。通过开展高温下的功率循环测试,采用高速红外热像仪拍摄温度变化与键丝失效过程,同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控,发现IGBT在高结温与高温度梯度时主要的失效形式是键丝脱落与熔化,在外部特性上表现为压降值增大,而热阻基本不变。从而提出了一种通过监控压降变化来实现IGBT可靠性在线评估的有效方法,该方法易于操作且准确度高,对于保证IGBT与整个装置的长期安全可靠运行可起到重要作用。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 高温 可靠性 在线评估 功率循环测试
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功率器件高温可靠性测试加速老化模型及其测试条件综述 被引量:3
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作者 王延浩 邓二平 +2 位作者 严雨行 吴立信 黄永章 《华北电力大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第5期68-77,86,共11页
高温可靠性测试如高温栅偏(High Temperature Gate Bias,HTGB)、高温反偏(High Temperature Reverse Bias,HTRB)、高温高湿反偏(High Humidity High Temperature Reverse Bias,H3TRB)是器件出厂和寿命评估必备的测试。然而,不同标准的... 高温可靠性测试如高温栅偏(High Temperature Gate Bias,HTGB)、高温反偏(High Temperature Reverse Bias,HTRB)、高温高湿反偏(High Humidity High Temperature Reverse Bias,H3TRB)是器件出厂和寿命评估必备的测试。然而,不同标准的测试条件不尽相同,其对应的内在机理也不明确。为讨论测试条件的确定原则,首先从单个和耦合的温度、电场、湿度加速老化模型出发,论述了相关测试标准所用模型,分析了其应用范围和使用原则。进一步地,总结了现有各类标准下的测试条件,计算了电动汽车模块正常运行30年所需HTGB、HTRB、H3TRB加速老化时间分别为832 h、866 h、1038 h,测试的样本数均为70,并指出测试时间、样本数需根据实际工况决定。最后,基于以上分析,提出了一种加速老化时间、样本数可调的高温可靠性测试流程。 展开更多
关键词 高温可靠性测试 加速老化模型 寿命评估 测试标准 测试条件
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高温存储寿命试验加速方法研究
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作者 李子超 蒋玉茜 《中国集成电路》 2023年第10期83-86,91,共5页
半导体制造工艺不断发展和特征尺寸缩小给非易失性存储器可靠性带来挑战。非易失性存储器可靠性测试与评价越来越重要。高温存储寿命试验是智能卡芯片非易失性存储器可靠性测试中的关键测试项目。针对产品不同项目阶段的可靠性验证需求... 半导体制造工艺不断发展和特征尺寸缩小给非易失性存储器可靠性带来挑战。非易失性存储器可靠性测试与评价越来越重要。高温存储寿命试验是智能卡芯片非易失性存储器可靠性测试中的关键测试项目。针对产品不同项目阶段的可靠性验证需求,特别是工程批次需要更快速获得可靠性验证结果,可靠性验证周期优化需求也更加迫切。为了更加快速地评价产品高温存储寿命,本文介绍了高温存储寿命实验的加速测试方法,该方法保证了验证质量和效果,显著缩短评价周期,更节约测试资源。 展开更多
关键词 高温存储实验 加速 可靠性测试
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1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制 被引量:1
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作者 汤益丹 李诚瞻 +5 位作者 史晶晶 白云 董升旭 彭朝阳 王弋宇 刘新宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期266-273,共8页
基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提... 基于SiC结势垒肖特基(JBS)二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2(以芯片面积计算)。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏(H3TRB)和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。 展开更多
关键词 SiC结势垒肖特基(JBS)二极管 高温 大电流密度 反向漏电流 可靠性试验
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Thermal fatigue behaviors of SiC power module by Ag sinter joining under harsh thermal shock test 被引量:4
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作者 Chen Chuantong Zhang Hao +2 位作者 Jiu Jinting Long Xu Suganuma Katsuaki 《China Welding》 CAS 2022年第1期15-21,共7页
The excellent properties of SiC bring new challenges for the device packaging.In this study,the bonding strength,fracture behaviors and microstructural evolution of micron-porous Ag joint were elevated during thermal ... The excellent properties of SiC bring new challenges for the device packaging.In this study,the bonding strength,fracture behaviors and microstructural evolution of micron-porous Ag joint were elevated during thermal cycling(–50 ℃–250 ℃) in SiC/DBC(direct bonding copper) die attachment structure for different time.During harsh thermal shock test,the strength of sintered joint deceased gradually with the increase of cycling number,and the value just was half of the value of as-sintered after 1 000 cycles.Coarsening of Ag grains was observed in micron-porous joint with the structure inhomogeneity and defects increasing,which were the reasons of the strength decease.In addition,it was also found that the fracture behavior of sintered joints was changed from ductile deformation of Ag grain to brittle fracture of crack propagation after 1 000 cycles.This study will add the understanding in the mechanical properties of Ag sinter joining and its applications at high temperature. 展开更多
关键词 power module high-temperature reliability Ag sinter joining low stress structure thermal shock test
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