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芯片内部多温度点最高温度监测预警电路设计 被引量:1
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作者 赵凯 《集成电路应用》 2019年第10期22-24,共3页
这是一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺制作的用于芯片内部的多个温度点中最高温度监测与预警的模拟集成电路。分析了电路的工作原理与电路的设计结构。电路采用PTAT电流电路、带隙基准电路、电流选择与电压比较电路等结构,以实现多温度点... 这是一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺制作的用于芯片内部的多个温度点中最高温度监测与预警的模拟集成电路。分析了电路的工作原理与电路的设计结构。电路采用PTAT电流电路、带隙基准电路、电流选择与电压比较电路等结构,以实现多温度点中最高温度的监测与预警功能。Cadence Spectre电路仿真结果表明,该电路PTAT电流温度系数为3.323×10-8 A/℃,带隙基准温度系数为9 ppm,并且可以正常实现最高温度的监测预警功能。 展开更多
关键词 集成电路设计 模拟集成电路 温度监测 高温预警 PTAT 电流 芯片散热
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