-
题名高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源
被引量：1
- 1
-
-
作者
刘鹏
朱振
陈康
王荣堃
夏伟
徐现刚
-
机构
山东大学
山东华光光电子股份有限公司
济南大学物理科学与技术学院
-
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第4期757-761,共5页
-
基金
山东省激光装备创新创业共同体项目。
-
文摘
针对高功率808 nm激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP/GaInP材料体系的无铝有源区半导体激光器。使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P侧材料的热阻及光吸收。优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As和P混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP单晶外延薄膜。制作的激光器室温测试阈值电流为1.5 A,斜率效率为1.26 W/A,10 A下的功率达到10.5 W,功率转换效率为58%。连续电流测试最大功率为23 W@24.5 A,准连续电流测试最大功率为54 W@50 A,没有产生灾变性光学损伤(COD)。在15 A电流加速老化下,激光器工作4200 h未出现功率衰减及COD现象,说明制备的无铝有源区808 nm激光器具有高可靠性的输出性能。
-
关键词
无铝材料
高可靠性
INGAASP
808
nm
非对称
泵浦源
半导体激光器
-
Keywords
Al-free material
high reliabile
InGaAsP
808 nm
asymmetric
pump source
semiconductor laser diode
-
分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
-
