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基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
被引量：
1
1
作者
谭毅
庄永漳
+5 位作者
卢子元
张晓东
赵德胜
蔡勇
曾中明
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期215-222,共8页
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的...
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好。当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力。
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关键词
蓝光Micro-LED
离子注入隔离
氮化镓
横向结构
高光功率密度
下载PDF
职称材料
强光光学零件磁流变抛光误差的频谱特征与演变研究
被引量：
4
2
作者
王贵林
李完小
向纪邦
《航空精密制造技术》
2019年第1期6-9,35,共5页
通过分析磁流变抛光的材料去除特征、误差功率谱密度的定量计算方法、敏感频率误差的演变规律,探索误差频谱与去除函数、走刀方式、走刀步距等加工参数的对应关系,为工艺过程的合理控制提供指导。典型强光光学零件磁流变抛光的实验结果...
通过分析磁流变抛光的材料去除特征、误差功率谱密度的定量计算方法、敏感频率误差的演变规律,探索误差频谱与去除函数、走刀方式、走刀步距等加工参数的对应关系,为工艺过程的合理控制提供指导。典型强光光学零件磁流变抛光的实验结果表明,通过优化工艺参数,能够大幅修正低频误差、控制中高频误差,保证0.03～8.3mm-1频段误差全部满足NIF评价指标要求。
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关键词
强光光学零件
磁流变抛光
中高频误差
功率谱密度
去除函数
原文传递
题名
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
被引量：
1
1
作者
谭毅
庄永漳
卢子元
张晓东
赵德胜
蔡勇
曾中明
张宝顺
机构
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所多功能材料与轻巧系统重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期215-222,共8页
基金
国家自然科学基金(U1830112)
江苏省自然科学基金(BK20191195)
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室开放项目(6142803180407)资助。
文摘
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能。实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好。当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力。
关键词
蓝光Micro-LED
离子注入隔离
氮化镓
横向结构
高光功率密度
Keywords
blue
micro-LED
ion
implantation
isolation
GaN
lateral
structure
high
optical
power
density
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
强光光学零件磁流变抛光误差的频谱特征与演变研究
被引量：
4
2
作者
王贵林
李完小
向纪邦
机构
湖南航天环宇通信科技股份有限公司
出处
《航空精密制造技术》
2019年第1期6-9,35,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51475466)
文摘
通过分析磁流变抛光的材料去除特征、误差功率谱密度的定量计算方法、敏感频率误差的演变规律,探索误差频谱与去除函数、走刀方式、走刀步距等加工参数的对应关系,为工艺过程的合理控制提供指导。典型强光光学零件磁流变抛光的实验结果表明,通过优化工艺参数,能够大幅修正低频误差、控制中高频误差,保证0.03～8.3mm-1频段误差全部满足NIF评价指标要求。
关键词
强光光学零件
磁流变抛光
中高频误差
功率谱密度
去除函数
Keywords
high
-
power
optical
element
magnetorheological
finishing
medium-
high
frequency
error
power
spectral
density
removal
function
分类号
TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
谭毅
庄永漳
卢子元
张晓东
赵德胜
蔡勇
曾中明
张宝顺
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
2
强光光学零件磁流变抛光误差的频谱特征与演变研究
王贵林
李完小
向纪邦
《航空精密制造技术》
2019
4
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