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一种1V 2.4G CMOS高线性度混频器 被引量:2
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作者 刘飞 王春华 《微计算机信息》 2009年第5期257-259,共3页
本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增... 本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3提高了6dB。 展开更多
关键词 低电压 高线性度 射频 CMOS混频器
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一种高线性短波宽带混频器的设计 被引量:3
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作者 朱海涛 张弘 +2 位作者 许唐红 王东 兰敏 《电讯技术》 北大核心 2012年第11期1796-1800,共5页
采用双平衡场效应管结构和阻抗匹配技术设计了一种适用于短波宽带接收机的高线性混频器,通过调整场效应管的沟道宽度和偏置电压优化了混频器的性能指标。该混频器射频输入频率为1.5~30 MHz,本振输入频率为71.5~100 MHz,中频输出频率为... 采用双平衡场效应管结构和阻抗匹配技术设计了一种适用于短波宽带接收机的高线性混频器,通过调整场效应管的沟道宽度和偏置电压优化了混频器的性能指标。该混频器射频输入频率为1.5~30 MHz,本振输入频率为71.5~100 MHz,中频输出频率为70 MHz。测试结果表明:输入三阶截点高于40 dBm,变频损耗小于7 dB,1 dB压缩点高于12 dBm,单边带噪声系数小于7 dB。 展开更多
关键词 短波通信 宽带接收机 高线性混频器 双平衡场效应管 阻抗匹配
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一种多频带高线性度CMOS单边带混频器 被引量:3
3
作者 孙敏 张海英 +2 位作者 王云峰 李志强 郭瑞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期455-458,共4页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器。该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求,并节省了面积。通过集成有源巴伦将混频器输出差... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器。该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求,并节省了面积。通过集成有源巴伦将混频器输出差分信号转换成单端信号,提高了发射机的系统集成度且有利于降低功耗。测试结果表明:在2.3~2.4 GHz及3.4~3.6 GHz工作频带内,IP1dB大于0 dBm,带内增益平坦度小于0.5 dB,本振泄漏小于-47 dBm,镜像信号抑制大于36 dB,为LTE标准的无线射频前端芯片的进一步研究提供了参考。 展开更多
关键词 多频带 高线性度 有源巴伦 带内平坦度 单边带混频器
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一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性混频器
4
作者 段昊阳 权海洋 +5 位作者 王盟皓 魏慧婷 张秋艳 崔旭彤 侯训平 张超轩 《微电子学与计算机》 2023年第12期95-101,共7页
设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功... 设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功率的要求,引入比较器和本振驱动器,并采用双平衡无源混频器提供良好的线性度.采用0.18µm的SiGe双极兼容互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺,同时支持上变频和下变频功能.实测结果表明,射频端口可覆盖6~18 GHz频段的信号,中频端口可覆盖0~6 GHz频段的信号;下变频时和上变频时的变频损耗典型值分别为-10.0 dB和-9.8 dB;IIP3在工作频段内的最大值分别为23.0 dBm和23.4 dBm;功耗为500 mW.在实现高线性度混频器的基础上,减小了输入本振功率的需求,提高了高线性混频器的实用性. 展开更多
关键词 无源混频器 低本振驱动 高线性混频器 BICMOS
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适用于软件无线电的高线性度、低功耗无源下变频混频器的设计
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作者 陈烨昕 闫娜 许建飞 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期29-36,共8页
设计了一个用于软件无线电的高线性度、低功耗的无源下变频混频器,采用TSMC 65 nm CMOS工艺实现,芯片面积为0.2 mm^2,总功耗为8 mW@1.2 V.混频器中采用了改进的Gm单元,结合源级负反馈技术和MGTR技术,在提高混频器IIP_3的同时,拓宽了输... 设计了一个用于软件无线电的高线性度、低功耗的无源下变频混频器,采用TSMC 65 nm CMOS工艺实现,芯片面积为0.2 mm^2,总功耗为8 mW@1.2 V.混频器中采用了改进的Gm单元,结合源级负反馈技术和MGTR技术,在提高混频器IIP_3的同时,拓宽了输入线性区域的范围.测试结果表明:线性区域的范围得到一定程度的提高,即使输入RF信号的功率为-12 dBm.混频器的IIP_3≥10.9 dBm,IIP_2≥45 dBm;在900 MHz处,混频器获得最大转换增益13.2 dB,此时NF为13.8 dB. 展开更多
关键词 高线性度 低功耗 无源下变频混频器 软件无线电
原文传递
适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计
6
作者 张永琥 张海英 +2 位作者 黄水龙 雷牡敏 高振东 《电子器件》 CAS 2010年第3期281-285,共5页
基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和... 基于0.18μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器。对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6 GHz~9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,IIP3大于10 dBm。电路核心面积0.35 mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA。 展开更多
关键词 0.18μm-CMOS 高线性度 超宽带 SSB混频器 折叠PMOS跨导级 并联峰化
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A wideband large dynamic range and high linearity RF front-end for U-band mobile DTV
7
作者 刘荣江 刘生有 +2 位作者 郭桂良 程序 阎跃鹏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第10期97-101,共5页
A wideband large dynamic range and high linearity U-band RF front-end for mobile DTV is introduced, and includes a noise-cancelling low-noise amplifier (LNA), an RF programmable gain amplifier (RFPGA) and a curren... A wideband large dynamic range and high linearity U-band RF front-end for mobile DTV is introduced, and includes a noise-cancelling low-noise amplifier (LNA), an RF programmable gain amplifier (RFPGA) and a current communicating passive mixer. The noise/distortion cancelling structure and RC post-distortion compensation are employed to improve the linearity of the LNA. An RFPGA with five stages provides large dynamic range and fine gain resolution. A simple resistor voltage network in the passive mixer decreases the gate bias voltage of the mixing transistor, and optimum linearity and symmetrical mixing is obtained at the same time. The RF front-end is implemented in a 0.25 #m CMOS process. Tests show that it achieves an IIP3 (third-order intercept point) of -17 dBm, a conversion gain of 39 dB, and a noise figure of 5.8 dB. The RFPGA achieves a dynamic range of-36.2 to 23.5 dB with a resolution of 0.32 dB. 展开更多
关键词 RF front-end high linearity dynamic range LNA RF programmable gain amplifier current communicating passive mixer
原文传递
高线性度短波无源开关混频器模型与设计
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作者 姜杨 鞠丽娟 张智翀 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2020年第5期50-54,共5页
针对舰载短波接收机在复杂短波电磁背景环境下其接收信道缺乏大动态范围的问题,提出一种新的短波高线性度开关型混频器模型并研制了高线性度混频器,显著提高了混频器的三阶互调截止点值(IIP3),同时实现了较小的变频损耗,改善了接收机无... 针对舰载短波接收机在复杂短波电磁背景环境下其接收信道缺乏大动态范围的问题,提出一种新的短波高线性度开关型混频器模型并研制了高线性度混频器,显著提高了混频器的三阶互调截止点值(IIP3),同时实现了较小的变频损耗,改善了接收机无杂散动态范围(SFDR)。通过对混频器变频损耗、IIP3与导通电阻、中频端口阻抗等电路参数关系理论分析、推导,提出并建立了高性能无源混频器的等效电路模型,进一步定量分析了中频端口阻抗对混频器IIP3的影响。模型分析结果表明,相较于配置高中频端口阻抗的混频器,配置低中频端口阻抗的混频器其三阶互调产物幅度值改善了约20dB,依据高性能无源混频器的等效电路模型研制了短波开关型混频器,采用不同类型的中频滤波器表征模型里的中频端口阻抗。实测结果表明,级联短路型中频滤波器的混频器IIP3高于级联开路型的约6 dB,验证了理论分析的正确性与设计方案的可行性。 展开更多
关键词 高线性度混频器 无杂散动态范围 变频损耗 三阶互调截止点值 中频滤波器
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基于CMOS工艺的全集成高线性度可重构全球卫星导航系统射频接收机 被引量:2
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作者 金晶 杨照霖 +1 位作者 刘力僮 周健军 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1226-1233,共8页
介绍采用CMOS工艺设计全球卫星导航系统(GNSS)中射频接收机的可重构方法与高线性度技术.为完成多模多频接收,系统采用双通道结构,同时独立地接收两个不同频段的导航信号;针对不同导航系统的信号特征,接收机带宽可自由配置.此外,针对复... 介绍采用CMOS工艺设计全球卫星导航系统(GNSS)中射频接收机的可重构方法与高线性度技术.为完成多模多频接收,系统采用双通道结构,同时独立地接收两个不同频段的导航信号;针对不同导航系统的信号特征,接收机带宽可自由配置.此外,针对复杂环境下GNSS接收机高线性度要求,采用将混频器作为射频接收机第1级的系统结构,旁路低噪声放大器,从而提高系统线性度.GNSS射频接收机在0.18μm CMOS工艺下流片测试,工作频率在1.2/1.57GHz,噪声系数为2.5/2.7dB,镜像抑制比为28dB,最大电压增益110dB,增益动态范围73dB.采用高线性度结构后,输入1dB压缩点由-58dBm提高为-3dBm,接收机线性度显著提高. 展开更多
关键词 全球卫星导航系统接收机 高线性度 射频前端 双通道 可重构方法
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