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分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究 被引量：1
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作者 杨瑛 王红真 +8 位作者 范柳燕 陈平平 刘博文 贺训军 顾溢 马英杰 李淘 邵秀梅 李雪 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期987-994,共8页
研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和As分子束形态对In_(0.74)Ga_(0.26)As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明:适中的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比可以... 研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和As分子束形态对In_(0.74)Ga_(0.26)As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明:适中的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度。As分子束为As_(2)时In_(0.74)Ga_(0.26)As材料质量优于As4分子束。当生长温度为570℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×10^(14)cm^(-3)和4.0×10^(14)cm^(-3),迁移率分别达到13400cm^(2)/Vs和45160 cm^(2)/Vs。 展开更多
关键词 INGAAS 高铟组分 短波红外 分子束外延 迁移率
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共振隧穿型太赫兹波振荡器设计
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作者 毛陆虹 贺鹏鹏 +4 位作者 赵帆 郭维廉 张世林 谢生 宋瑞良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期458-462 496,共6页
本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器Wi... 本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器WinGreen模拟,将势阱厚度从4.5nm降低到4nm,峰值电流密度JP从13mA/μm2达到43mA/μm2,输出功率从235μW达到2.625mW。阵列型RTO可实现功率合成,使RTO的功率再增加一个数量级,达到毫瓦甚至几十毫瓦。同时建立包含各种寄生参数的等效电路模型,通过PSPICE工具仿真,得到振荡频率可达1.78THz的仿真结果。 展开更多
关键词 共振隧穿型太赫兹波振荡器 磷化铟基共振隧穿二极管 发射极渐变铟含量结构 高铟过渡层结构 功率合成
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