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High index surface‐exposed and composition‐graded PtCu_(3)@Pt_(3)Cu@Pt nanodendrites for high‐performance oxygen reduction 被引量:3
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作者 Yuxiang Liao Jun Li +1 位作者 Shiming Zhang Shengli Chen 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期1108-1116,共9页
Alloying and nanostructuring are two strategies used to facilitate the efficient electrocatalysis of the oxygen reduction reaction(ORR)by Pt,where the high index surfaces(HISs)of Pt exhibit superior activity for ORR.H... Alloying and nanostructuring are two strategies used to facilitate the efficient electrocatalysis of the oxygen reduction reaction(ORR)by Pt,where the high index surfaces(HISs)of Pt exhibit superior activity for ORR.Here,we report the fabrication of PtCu3 nanodendrites possessing rich spiny branches exposing n(111)×(110)HISs.The dendrites were formed through an etching‐modulated seeding and growing strategy.Specifically,an oxidative atmosphere was initially applied to form the concaved nanocubes of the Pt‐Cu seeds,which was then switched to an inert atmosphere to promote an explosive growth of dendrites.Separately,the oxidative or inert atmosphere failed to produce this hyperbranched structure.Electrochemical dealloying of the PtCu3 nanodendrites produced Pt3Cu shells with Pt‐rich surfaces where HIS‐exposed dendrite structures were maintained.The resulting PtCu_(3)@Pt_(3)Cu@Pt nanodendrites in 0.1 M HClO4 exhibited excellent mass and area specific activities for ORR,which were 14 and 24 times higher than that of commercial Pt/C,respectively.DFT calculations revealed that Cu alloying and HISs both contributed to the significantly enhanced activity of Pt,and that the oxygen binding energy on the step sites of HISs on the PtCu_(3)@Pt_(3)Cu@Pt nanodendrites approached the optimal value to achieve a near peak‐top ORR activity. 展开更多
关键词 Oxygen reduction Pt‐Cu alloy highindexsurfaces Nanodendrites Shape control
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高指数稳定硅表面的低能电子衍射图分析
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作者 姜金龙 李文杰 +2 位作者 周立 赵汝光 杨威生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期156-162,共7页
报道了在系统搜寻稳定硅表面的过程中对四个稳定高指数表面Si(1,1,11) ,(1,0 ,8) ,(2 ,1,2 )和 (15 ,1,17)的低能电子衍射 (LEED)图进行的分析和结果 .这些表面经充分退火后都能给出属于各自表面的LEED图 ,而不是小面化的 ,说明它们都... 报道了在系统搜寻稳定硅表面的过程中对四个稳定高指数表面Si(1,1,11) ,(1,0 ,8) ,(2 ,1,2 )和 (15 ,1,17)的低能电子衍射 (LEED)图进行的分析和结果 .这些表面经充分退火后都能给出属于各自表面的LEED图 ,而不是小面化的 ,说明它们都是稳定的 .从它们的LEED斑点强度分布特征不仅可以推断 (15 ,1,17)是主稳定表面 ,而 (1,1,11) ,(1,0 ,8)和 (2 ,1,2 )则是副稳定表面 ,还能知道这些副稳定表面的原胞结构特征 ,甚至许多重要细节 .从原胞结构特征来看 ,这些副稳定表面有可能用作生长周期量子线的模板 . 展开更多
关键词 低能电子衍射图 高指数表面 近邻面 原胞小面化 LEED 稳定表面 纳米结构
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Multiple stacking of InGaAs/GaAs(731) nanostructures
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作者 Y.Z.Xie V.P.Kunets +4 位作者 Z.M.Wang V.Dorogan Y.I.Mazur J.Wu G.J.Salamo 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2009年第1期1-3,共3页
We studied the multilayering effects of InGaAs quantum dots(QDs) on GaAs(731), a surface lying inside of the stereographic triangle. The surfaces after stacking 16 InGaAs layers were characterized with highly non-unif... We studied the multilayering effects of InGaAs quantum dots(QDs) on GaAs(731), a surface lying inside of the stereographic triangle. The surfaces after stacking 16 InGaAs layers were characterized with highly non-uniformity of QD spatial distribution. The bunched step regions driven by strain accumulation are decorated by QDs, therefore GaAs(731) becomes a good candidate substrate for the growth of QD clusters. The unique optical properties of the QD clusters are revealed by photoluminescence measurements. By adjusting the coverage of InGaAs, a bamboo-like nanostructured surface was observed and the quantum dots aligned up in clusters to separate the "bamboo" into sections. 展开更多
关键词 Quantum dots MBE high index surfaces NANOSTRUCTURES Atomic force microscopy
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Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性
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作者 盖峥 赵汝光 +1 位作者 季航 杨威生 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期159-166,共8页
为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质,以扫描隧道显微镜(STM)为主要手段,辅以LEED和AES等常规手段,对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述,首先介绍几个重要的Ge高指数表面的结构,然后对... 为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质,以扫描隧道显微镜(STM)为主要手段,辅以LEED和AES等常规手段,对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述,首先介绍几个重要的Ge高指数表面的结构,然后对发生在Ge(111)和(113)表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动作了介绍,最后阐述决定Ⅲ族金属/Ⅳ族半导体界面的结构的3个共同要素。 展开更多
关键词 STM 界面结构 半导体表面 Ⅳ族半导体
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三个新的稳定硅表面及其家族领地
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作者 李文杰 姜金龙 +2 位作者 周立 赵汝光 杨威生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2567-2574,共8页
为了对稳定硅表面进行广泛的搜索 ,利用低能电子衍射 (LEED)研究了 1 3个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面 :Si(1 0  4  1 3 ) ,(6  2  7) ,(8  4  1 1 ) ,(4  1  1 0 ) ,(2  1  5 ) ,(5  1  1 0 ) ,(5  2  1 0 ) ... 为了对稳定硅表面进行广泛的搜索 ,利用低能电子衍射 (LEED)研究了 1 3个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面 :Si(1 0  4  1 3 ) ,(6  2  7) ,(8  4  1 1 ) ,(4  1  1 0 ) ,(2  1  5 ) ,(5  1  1 0 ) ,(5  2  1 0 ) ,(5  1 5 ) ,(5  1  6 ) ,(4  0  5 ) ,(1 2  4  1 9) ,(1 2  3  1 4 )和 (1 2  3  1 6 ) .结果发现这些清洁的硅表面都不稳定 ,因为在被充分退火后 ,它们会彻底小面化成为分属一个或几个稳定表面的小面 .提出了一套行之有效的方法 ,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定 ,进而确定了全部出现的稳定表面的指数 .除已知的Si(1 5  3  2 3 )外 ,还发现三个新的稳定表面 ,即Si(2 0  4  2 3 ) ,(3  1  4 )和 (3  1  7) . 展开更多
关键词 高指数表面 小面化 量子点 量子线生长 稳定表面 低能电子衍射
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