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沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响 被引量：1
1
作者 黑鸿君 于盛旺 +2 位作者 刘艳青 李义锋 唐伟忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期264-269,共6页
采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳... 采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳球和呈花瓣状的疏松结构。在合适的沉积温度下,SiC薄膜的致密性和平整度较好,且其具有较好的附着力和一定的强度,而这样的SiC薄膜可以阻止在金刚石涂层沉积过程中硬质合金中含有的Co对金刚石相沉积过程的有害作用。 展开更多
关键词 强电流直流伸展电弧等离子体cvd SIC薄膜 沉积温度 表面形貌 附着力
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