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Recent Advances in Visible-Light-Driven Photoelectrochemical Water Splitting: Catalyst Nanostructures and Reaction Systems 被引量:4
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作者 Xiaoping Chen Zhixiang Zhang +3 位作者 Lina Chi Aathira Krishnadas Nair Wenfeng Shangguan Zheng Jiang 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2016年第1期1-12,共12页
Photoelectrochemical(PEC) water splitting using solar energy has attracted great attention for generation of renewable hydrogen with less carbon footprint, while there are enormous challenges that still remain for imp... Photoelectrochemical(PEC) water splitting using solar energy has attracted great attention for generation of renewable hydrogen with less carbon footprint, while there are enormous challenges that still remain for improving solar energy water splitting efficiency, due to limited light harvesting, energy loss associated to fast recombination of photogenerated charge carriers, as well as electrode degradation. This overview focuses on the recent development about catalyst nanomaterials and nanostructures in different PEC water splitting systems. As photoanode, Au nanoparticle-decorated TiO_2 nanowire electrodes exhibited enhanced photoactivity in both the UV and the visible regions due to surface plasmon resonance of Au and showed the largest photocurrent generation of up to 710 nm. Pt/Cd S/CGSe electrodes were developed as photocathode. With the role of p–n heterojunction, the photoelectrode showed high stability and evolved hydrogen continuously for more than 10 days. Further, in the Z-scheme system(Bi_2S_3/TNA as photoanode and Pt/Si PVC as photocathode at the same time), a self-bias(open-circuit voltage Voc= 0.766 V) was formed between two photoelectrodes, which could facilitate photogenerated charge transfers and enhance the photoelectrochemical performance, and which might provide new hints for PEC water splitting. Meanwhile, the existing problems and prospective solutions have also been reviewed. 展开更多
关键词 PHOTOELECTROCHEMICAL water SPLITTING NANOSTRUCTURES REACTION system heterojuction Hybrid systems
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基于钙钛矿材料的新型结构太阳能电池器件 被引量:6
2
作者 陈海军 王宁 何泓材 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期24-28,共5页
基于钙钛矿材料的太阳能电池是一种受到广泛关注的新型太阳能电池。根据钙钛矿太阳能电池结构的不同将其分为四类,综述了钙钛矿太阳能电池的研究现状和最新进展。详细介绍了各类钙钛矿太阳能电池的结构和性能,分析总结了其优缺点。最后... 基于钙钛矿材料的太阳能电池是一种受到广泛关注的新型太阳能电池。根据钙钛矿太阳能电池结构的不同将其分为四类,综述了钙钛矿太阳能电池的研究现状和最新进展。详细介绍了各类钙钛矿太阳能电池的结构和性能,分析总结了其优缺点。最后展望了钙钛矿太阳能电池未来的发展趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 钙钛矿 综述 染料敏化 介观超结构 异质结
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含有五边形—七边形缺陷的单壁纳米碳管的输运性质研究 被引量:4
3
作者 曾晖 胡慧芳 +2 位作者 韦建卫 谢芳 彭平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期4822-4827,共6页
运用第一性原理的密度泛函理论结合非平衡格林函数研究了含有五边形—七边形拓扑缺陷的纳米碳管异质结的输运性质.结果发现拓扑缺陷对碳管的输运性质有很大影响;另外,不同类型的碳管形成的异质结的输运性质也有明显的差异.
关键词 纳米碳管 输运性质 异质结 透射系数
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CeO_(2)/CuBi_(2)O_(4)异质结的制备及其光催化性能研究 被引量:3
4
作者 岳明月 朱佳 +4 位作者 李天保 罗居杰 翟光美 郭俊杰 许并社 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期8001-8007,共7页
通过水热法制成CuBi_(2)O_(4)纳米棒,然后在其表面利用湿化学法原位沉积Ce(OH)3层并经煅烧工艺制备了CeO_(2)/CuBi_(2)O_(4)异质结光催化剂,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis... 通过水热法制成CuBi_(2)O_(4)纳米棒,然后在其表面利用湿化学法原位沉积Ce(OH)3层并经煅烧工艺制备了CeO_(2)/CuBi_(2)O_(4)异质结光催化剂,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和莫特肖特基曲线(M-S)等测试对所得CeO_(2)/CuBi_(2)O_(4)复合光催化剂进行了表征,并以罗丹明B(RhB)为目标污染物在模拟太阳光下研究了CeO_(2)掺杂量对CeO_(2)/CuBi_(2)O_(4)异质结光催化性能的影响。结果表明,当在复合物中引入重量比为10%CeO_(2)时,复合物对RhB的降解效率达到最大(93.1%、60 min),相较于纯CuBi_(2)O_(4)(71.3%、60 min),复合物的光催化效率提升了30.6%。通过自由基捕获实验确定光催化实验中起主要作用的活性物质为·O_(2)^(-)和h^(+),结合电子能带结构分析,认为p-n异质结内建电场作用下光生电子-空穴对的有效分离是光降解效率得到提升的主要原因。本研究提供了一种基于CuBi_(2)O_(4)的高效异质结在光催化中的应用,对满足未来不断增长的环境需求具有重要意义。 展开更多
关键词 CuBi_(2)O_(4) 异质结 光催化 罗丹明
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高性能Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p^+-Si阻变器件的研究 被引量:1
5
作者 闫帅帅 王华 +2 位作者 许积文 杨玲 陈齐松 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3493-3497,共5页
采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究。结果表明:La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜在经过700℃退火2 h后为单一的钙钛矿结构,... 采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究。结果表明:La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜在经过700℃退火2 h后为单一的钙钛矿结构,沿(112)晶向择优生长,薄膜致密平整;Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si阻变器件具有典型的双极型阻变特性,具有非常高的电阻开关比,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)的比值高于105,以及较佳的耐疲劳性能,器件在1000次循环后高、低阻态比值没有明显变化;器件在高阻态(HRS)时的导电机制为Schotty势垒发射效应,低阻态(LRS)导电机制为导电细丝机制。 展开更多
关键词 阻变 La0.7Mg0.3MnO3 溶胶-凝胶 异质结
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含有2个五边形七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能 被引量:1
6
作者 张丽芳 胡慧芳 +1 位作者 汪小知 梁君武 《中南工业大学学报》 CSCD 北大核心 2003年第5期510-512,共3页
在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态... 在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su Schriffer Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形 七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形 七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明:五边形 七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异. 展开更多
关键词 碳纳米管 拓扑缺陷 电子态密度 同质结 异质结
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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子
7
作者 宫箭 班士良 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第4期364-369,共6页
采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .
关键词 异质结 硒化锌 界面极化子 半导体 锌镉硒化合物
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Antibacterial activity of Cu_2O and Ag co-modified rice grains-like ZnO nanocomposites 被引量:6
8
作者 Dunhua Hong Guangzhong Cao +2 位作者 Junle Qu Yuanming Deng Jiaonin Tang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第12期2359-2367,共9页
In this work, a series of Cu2O-Ag/ZnO, Cu2O/ZnO and Ag/ZnO nanocomposites with various compositions were prepared via a hydrothermal method followed by chemical modification, and their antibacterial performance was in... In this work, a series of Cu2O-Ag/ZnO, Cu2O/ZnO and Ag/ZnO nanocomposites with various compositions were prepared via a hydrothermal method followed by chemical modification, and their antibacterial performance was investigated in detail. X-ray powder diffraction, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy results confirmed that 31 nm Cu20 and 30 nm Ag nanoparticles are well-dispersed on 202 nm ZnO grains to form a Cu2O/ZnO and Ag/ZnO heterojunction, respectively. The bi-heterojuction structure in the Cu20-Ag/ZnO provided a synergistic effect on antibacterial activity, and the(Cu2O)0.04Ag0.06ZnO0.9nanocomposites showed the highest antimicrobial activity of all samples with minimum inhibitory concentration and minimum bactericidal concentration against Escherichia coli and Staphylococcus aureus as low to 31.25 μg/mL, 250μg/mL, 125μg/mL and 500μg/mL, respectively. This is the first report of the antibacterial activities of Cu2O and Ag co-modified ZnO nanocomposites. 展开更多
关键词 Antibacterial activity Bi-heterojuction structure Antibacterial mechanism Hydrothermal route Cu_2O-Ag/ZnO nanocomposite
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PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性 被引量:5
9
作者 刘磊 余亮 +2 位作者 李学留 汪壮兵 梁齐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1311-1319,共9页
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(... 利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性能的影响。结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,SnS∶5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰。随着Cu掺杂量的增大,平均颗粒尺寸逐渐增大。不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105cm-1数量级。SnS∶5%Cu薄膜的禁带宽度Eg为2.23eV,光暗电导率比值为2.59。同时,在玻璃衬底上制备了p-SnS∶Cu/n-ZnS异质结器件,器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性,并具有较弱的光伏特性。 展开更多
关键词 SnS薄膜 脉冲激光沉积 CU掺杂 异质结器件
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钙钛矿氧化物异质结的光电特性研究进展 被引量:1
10
作者 郭海中 陆珩 +4 位作者 金奎娟 吕惠宾 何萌 王灿 杨国桢 《物理》 CAS 北大核心 2010年第8期522-530,共9页
光与物质相互作用可以产生各种光学现象,其中光电效应是非常重要的现象之一.文中集中回顾了文章作者在钙钛矿氧化物异质结的光电效应研究中的进展.在钙钛矿氧化物异质结中,分别观测到了传统的纵向光电效应和反常的横向光电效应,并通过... 光与物质相互作用可以产生各种光学现象,其中光电效应是非常重要的现象之一.文中集中回顾了文章作者在钙钛矿氧化物异质结的光电效应研究中的进展.在钙钛矿氧化物异质结中,分别观测到了传统的纵向光电效应和反常的横向光电效应,并通过对含时的漂移-扩散方程的自洽求解,从理论上分别揭示了钙钛矿氧化物异质结纵向和横向光电效应的动态过程.文章首先介绍了钙钛矿氧化物异质结纵向光电效应的研究进展,接着概述了钙钛矿氧化物异质结横向光电效应研究的进展.最后对氧化物异质结的纵向和横向光电效应的潜在应用前景进行展望. 展开更多
关键词 光与物质相互作用 光电效应 钙钛矿氧化物异质结
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超高速化合物半导体器件(5)
11
作者 谢永桂 《电子元器件应用》 2003年第1期56-58,共3页
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
关键词 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 化合物半导体
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Zn_xCd_(1-x)S薄膜的性质及Zn_xCd_(1-x)S/CdTe异质结太阳电池 被引量:1
12
作者 李冬来 郑毓峰 +1 位作者 马忠权 罗兰 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第4期34-37,共4页
采用丝网印刷方法制备了不同配比的ZnxCd1-xS多晶薄膜及异质结太阳电池.并利用X-射线衍射,光吸收分析技术和四探针测电导方法研究了薄膜的结构和性质,以及电池性能.
关键词 丝网印刷 光吸收 异质结 太阳电池 薄膜
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微波半导体器件和能带工程研究概况
13
作者 薛舫时 《半导体杂志》 1996年第4期28-42,共15页
本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面的最新进展。从半导体异质结器件及其电路发展的剖析中指出了能带工程所起的重要作用。最后讨论了发展这... 本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面的最新进展。从半导体异质结器件及其电路发展的剖析中指出了能带工程所起的重要作用。最后讨论了发展这一门新技术的要素。 展开更多
关键词 异质结器件 量子阱器件 微波半导体器件
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CdTe多晶薄膜的同质结与异质结
14
作者 王宏臣 《光电技术应用》 2009年第2期44-46,共3页
衬底温度对CVD生长CdTe多晶薄膜导电性能有决定性影响,衬底温度高于560℃为p型,衬底温度愈高,空穴浓度愈大;低于520℃为n型,在一定温度范围内,衬底生长温度越低,电子浓度越大.采用CVD方法先在高温下生长p型CdTe膜,然后在较低温度下生长n... 衬底温度对CVD生长CdTe多晶薄膜导电性能有决定性影响,衬底温度高于560℃为p型,衬底温度愈高,空穴浓度愈大;低于520℃为n型,在一定温度范围内,衬底生长温度越低,电子浓度越大.采用CVD方法先在高温下生长p型CdTe膜,然后在较低温度下生长n型CdTe膜,首次研制了同质p-n结二极管.又采用在高温下先生长p-CdTe膜,然后在室温环境下暴露在空气中氧化,经数周后产生CdO和TeO2氧化层,再溅射ITO膜,制成n-ITO/i/p-CdTe异质结太阳能电池,与无氧化处理的n-ITO/p-CdTe比较,光电转换效率有明显提高. 展开更多
关键词 CdTe多晶薄膜 同质CdTe结 异质CdTe结 CDTE太阳电池
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超高速化合物半导体器件(6)
15
作者 谢永桂 《电子元器件应用》 2003年第2期57-58,共2页
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
关键词 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 化合物半导体 封装 测试 集成电路
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超高速化合物半导体器件(3) InP基高电子迁移率晶体管
16
作者 谢永桂 《电子元器件应用》 2002年第11期49-51,共3页
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
关键词 INP 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 化合物半导体
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一种新颖的HBT小信号模型参数直接提取方法
17
作者 时红娟 何国荣 《信息技术》 2013年第6期166-168,共3页
提出了一种改进了的HBT小信号参数直接提取的方法。该方法中在提取极间寄生参数的基础上采用fly-back技术提取发射极和集电极电阻,降低了传统的采用集电极开路的方法提取全部电阻参数的复杂度,并且建立了一套完整的直接提取HBT小信号模... 提出了一种改进了的HBT小信号参数直接提取的方法。该方法中在提取极间寄生参数的基础上采用fly-back技术提取发射极和集电极电阻,降低了传统的采用集电极开路的方法提取全部电阻参数的复杂度,并且建立了一套完整的直接提取HBT小信号模型的新方法。与文献报道的小信号模型参数提取的方法相比,该方法的优点是,提取过程具有简明清晰的物理意义,提取速度快,并且具有较好的精度和较宽频带范围的可实用性。 展开更多
关键词 小信号模型 异质结双极性晶体管 参数提取
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超高速化合物半导体器件(1)
18
作者 谢永桂 《电子元器件应用》 2002年第9期60-62,共3页
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
关键词 超高速 化合物半导体器件 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 通信系统
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超高速化合物半导体器件(4)
19
作者 谢永桂 《电子元器件应用》 2002年第12期46-50,共5页
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。
关键词 高电子迁移率晶体管 异质结双极晶体管 化合物半导体 RF测试 微波封装
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异质结双极晶体管(HBT)热电耦合特性的准二维TLM法数值分析
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作者 谢志坤 沈进进 陈抗生 《微波学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期207-213,共7页
通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管(HeterojuctionBipolarTransistorHBT)的热电耦合特性。在模型中,器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵(TransmissionLineMatrix.TLM)法求得。计算结果表明... 通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管(HeterojuctionBipolarTransistorHBT)的热电耦合特性。在模型中,器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵(TransmissionLineMatrix.TLM)法求得。计算结果表明该模型能有效、方便地分析器件的热电耦合特性,同时能减少对计算的时间占用和内存空间。 展开更多
关键词 数值分析 TLM法 热电耦合特性 异质结双极晶体管
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