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含夹杂和裂纹的平面内应力干涉半解析模型
1
作者 吴祖荣 董庆兵 熊广 《固体力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期441-455,共15页
材料不可避免引入的夹杂、裂纹等缺陷影响其力学特性.为了研究各向同性全空间内裂纹与夹杂的相互干涉作用,本文基于等效夹杂法与分布位错技术相结合的方法,将非均质夹杂近似为与基体具有相同弹性模量且含有未知本征应变的均质夹杂,将Ⅰ... 材料不可避免引入的夹杂、裂纹等缺陷影响其力学特性.为了研究各向同性全空间内裂纹与夹杂的相互干涉作用,本文基于等效夹杂法与分布位错技术相结合的方法,将非均质夹杂近似为与基体具有相同弹性模量且含有未知本征应变的均质夹杂,将Ⅰ/Ⅱ混合型裂纹近似为密度未知的攀移位错和滑移位错,建立了可仿真各向同性全空间内夹杂和裂纹干涉作用的半解析模型,并基于位错分布求解了裂纹尖端的应力强度因子.模型采用共轭梯度法迭代求解了未知量,并借助快速傅里叶变换算法提高计算效率,最后通过有限元方法验证了模型的有效性.本模型可为缺陷材料内各结构的干涉作用以及由此诱导的断裂行为的解析提供理论方法. 展开更多
关键词 夹杂 裂纹 等效夹杂法 分布位错技术 应力强度因子
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碳化硅晶体中异质包裹物与微管道缺陷的关系 被引量：1
2
作者 孟大磊 徐永宽 +1 位作者 冯玢 郝建民 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期72-75,共4页
对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管... 对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管道缺陷产生的影响。发现在生长初期富硅的气氛会在晶体中引入异质相,而异质相的化学计量比失衡会成为诱发微管产生的源头。 展开更多
关键词 日碳化硅 Gibbs函数 异质包裹物 微管
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含夹杂非均质材料的扩展有限元数值模拟 被引量：10
3
作者 应宗权 杜成斌 程丽 《河海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期546-549,共4页
为了验证含夹杂非均质材料扩展有限元数值模拟的有效性,分别用扩展有限元法和传统有限元法模拟计算了一块含多个圆形夹杂的单轴受拉的板的位移场,并对模拟结果进行了对比分析.结果表明,通过水平集函数来表示夹杂材料的几何界面,利用富... 为了验证含夹杂非均质材料扩展有限元数值模拟的有效性,分别用扩展有限元法和传统有限元法模拟计算了一块含多个圆形夹杂的单轴受拉的板的位移场,并对模拟结果进行了对比分析.结果表明,通过水平集函数来表示夹杂材料的几何界面,利用富集函数来改进被界面切割的单元所在结点的形函数,网格剖分无需考虑内部边界,可大大减少数值模拟前处理的工作量. 展开更多
关键词 含夹杂非均质材料 扩展有限元法 水平集法
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