期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
氦离子预注入对钨中氘滞留行为的影响
1
作者 金玉花 贺冉 +2 位作者 张学希 乔丽 王鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期3498-3504,共7页
利用高能离子注入机和直线等离子体模拟装置将氦离子预注入钨中,再进行氘等离子体辐照。采用扫描镜(SEM)结合聚焦离子束(FIB)(SEM-FIB),透射电镜(TEM),辉光放电光谱仪(GD-OES)和热脱附谱(TDS)等分析方法,研究了高能氦离子预注入对氘等... 利用高能离子注入机和直线等离子体模拟装置将氦离子预注入钨中,再进行氘等离子体辐照。采用扫描镜(SEM)结合聚焦离子束(FIB)(SEM-FIB),透射电镜(TEM),辉光放电光谱仪(GD-OES)和热脱附谱(TDS)等分析方法,研究了高能氦离子预注入对氘等离子体再辐照后钨中氘滞留行为的影响。结果表明:氦离子预注入钨,在辐照损伤区域形成大量氦泡,钨经过氘等离子体再辐照后,表面的氘泡数量明显低于单独氘等离子体辐照的样品。从GD-OES分析中可以看到,在氦捕获位处氘滞留浓度明显升高,同时氦离子预注入增加了氘在钨中的扩散深度。结合TDS分析可知,氦离子预注入增加了氘在钨中的滞留总量,这是由于氦离子预注入后,形成的缺陷又为钨中氘的俘获提供大量新的位点,从而导致钨中的氘滞留量明显提高。 展开更多
关键词 钨 氦预注入 氘 GD-OES 滞留
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部