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题名石墨烯基电子学研究进展
被引量：7
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作者
袁明文
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第10期589-594,共6页
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文摘
综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状。介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法。列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管(SET)、石墨烯单电子晶体管、石墨烯金属晶体管、石墨烯基纳米电子机械系统(NEMS)、石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管(HEMT)制备方面的应用。人们已经研究出不同栅长的n/p型顶栅石墨烯场效应管(GFET),并采用标准的S参数直接表征器件的高频性能。理论和实验表明,所有石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)在室温下工作的前提是GNR的带宽尺寸小于10nm,并具有半导体场效应管的性能。
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关键词
石墨烯
石墨烯纳米带(gnr)
场效应管(FET)
单电子晶体管(SET)
纳米电子机械系统(NEMS)
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Keywords
graphene
graphene nanoribbon（gnr）
field effect transistor（FET）
single electronic transistor（SET）
nanoelectromechanical system（NEMS）
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分类号
TN304.18
[电子电信—物理电子学]
O469
[理学—凝聚态物理]
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题名γ-石墨炔基分子磁隧道结的输运性能
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作者
李瑾
邸茂云
刘旭光
杨致
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机构
太原科技大学.化学工程与技术学院
太原科技大学材料科学与工程学院
太原理工大学材料科学与工程学院
太原理工大学物理学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第12期1953-1962,共10页
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基金
山西省应用基础研究计划青年项目(202203021212324,202203021222202)
山西省优秀来晋博士科研启动金(20232054,20232053)
+1 种基金
山西省高等学校科技创新项目(2022L304)
太原科技大学校级博士科研启动基金项目(20222037,20222049)。
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文摘
对γ-石墨炔进行剪切可以得到零维γ-石墨炔纳米点(γ-GYND),采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,利用γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带理论设计了三种连接方式的分子磁隧道结(MMTJ),并研究了这三种磁隧道结的输运性能。研究结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带连接方式不同,所构建的几种分子磁隧道结输运性能不同,即随着电压的增加,三种分子磁隧道结中电流的变化趋势不同,虽然都观察到了明显的自旋过滤效应和巨磁阻效应,但自旋极化率和隧穿磁阻不同,其中隧穿磁阻最大可达10^(9)%量级,这一数值远高于传统磁隧道结,实验上这一数值只有18%。以上结果表明,γ-石墨炔纳米点和锯齿型石墨烯纳米带所组成的磁隧道结可以应用于自旋电子器件,也可用于通过改变电压或磁场信号得到相应的电流从而起到信息传递作用的分子传感器。
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关键词
分子磁隧道结(MMTJ)
石墨炔纳米点
石墨烯纳米带(gnr)
自旋过滤效应
隧穿磁阻效应
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Keywords
molecular magnetic tunnel junction(MMTJ)
graphyne nanodot
graphene nanoribbon(gnr)
spin-filtering effect
tunneling magnetoresistive effect
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分类号
O471.1
[理学—半导体物理]
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题名基于隧穿机理的石墨烯纳米带准一维器件设计
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作者
刘安琪
吕亚威
常胜
黄启俊
王豪
何进
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机构
武汉大学物理科学与技术学院
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第8期537-543,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61574102,61774113)
湖北省自然科学基金资助项目(2017CFB660)
武汉大学中央高校基础研究基金资助项目(2042017gf0052,2042016kf0189)
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文摘
隧穿场效应晶体管（TFET）在低功耗领域具有很好的应用前景,以优化新型准一维TFET为目的,通过数值仿真研究了以石墨烯纳米带（GNR）为沟道材料的准一维TFET以及受器件尺寸和掺杂浓度控制的器件输运特性及开态和关态电流。以能带调控理论结合局域态密度与电流谱密度间的关系为手段对隧穿效应的机理进行了详细的探讨,分析了禁带宽度、栅覆盖范围、沟道长度和源漏掺杂浓度4个变量对输运过程的影响,进而确定了其对器件性能影响的变化趋势,并总结了相应原则,得到了有利于提高驱动能力、降低静态功耗以及满足数字电路一般性要求的准一维器件的设计策略。这一研究可为基于准一维材料的TFET的设计提供参考,推动基于平面材料的新型器件的发展。
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关键词
隧穿场效应晶体管(TFET)
准一维材料
石墨烯纳米带(gnr)
隧穿机理
开关电流比(Ion/Ioff)
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Keywords
tunnel field effect transistor（TFET）
quasi-one dimensional material
graphene nanoribbon（gnr）
tunneling mechanism
on/off current ratio（Ion/Ioff）
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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