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恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
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作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1717-1721,共5页
以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结... 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 . 展开更多
关键词 恒压应力 超薄Si3N4/SiO2 叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测
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