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长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
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作者 林占文 韩福忠 +5 位作者 耿松 李雄军 史琪 王海澎 王向前 蒋俊 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期668-672,711,共6页
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表... 本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据。 展开更多
关键词 长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试
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