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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器 被引量：2
1
作者 张翼 沈宇 +3 位作者 李晓鹏 杨磊 刘中华 郭宇锋 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 北大核心 2019年第5期26-33,共8页
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码... 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度。电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB。该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位。在-5 V和-3.3 V供电电压下,电路的总功耗为1.6 W,芯片面积为1.0 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺 差分编码电路 超高速
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12 bit 100 MS/s Flash-SAR混合型模数转换器的设计与实现 被引量：1
2
作者 张章 吴宵 解光军 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第2期216-223,共8页
文章设计了一款Flash-SAR混合型模数转换器(analog-to-digital converter,ADC),结合了快闪型(flash)ADC与逐次逼近型(successive approximation register,SAR)ADC的优点,具有高速、高精度和低功耗的特点;提出了一种带冗余位数字校准算法... 文章设计了一款Flash-SAR混合型模数转换器(analog-to-digital converter,ADC),结合了快闪型(flash)ADC与逐次逼近型(successive approximation register,SAR)ADC的优点,具有高速、高精度和低功耗的特点;提出了一种带冗余位数字校准算法,该算法在SAR ADC中添加1 bit冗余位,当第1级Flash ADC带来的误差小于一定的失调电压限度,第2级SAR ADC中的数字校正电路能够将误差校准回来,最终得到正确的数字输出。该ADC采用"3+10"的2级流水线结构,在SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)混合信号工艺下进行仿真,当电源电压为1.8 V,采样频率为100 MHz,输入信号接近Nyquist频率时,通过数字校准,ADC有效位(effective number of bits,ENOB)为10.990,信噪比为67.973 dB,无杂散波动态范围为95.381 dB,仿真结果证明了该算法能够有效提升ADC系统性能。 展开更多
关键词 快闪型模数转换器 逐次逼近型模数转换器 冗余位数字校准
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