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n型填充方钴矿热电材料的快速制备研究(英文) 被引量:7
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作者 姚铮 仇鹏飞 +1 位作者 李小亚 陈立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1375-1382,共8页
如何有效控制方钴矿基热电材料的制备成本成为其商业化应用的瓶颈。本课题组采用一种简单并且可放量的方法来制备n型填充方钴矿热电材料。该法由感应熔融淬、火和放电等离子烧结(SPS)组成,制备周期(少于30 min)远小于传统制备方法:电阻... 如何有效控制方钴矿基热电材料的制备成本成为其商业化应用的瓶颈。本课题组采用一种简单并且可放量的方法来制备n型填充方钴矿热电材料。该法由感应熔融淬、火和放电等离子烧结(SPS)组成,制备周期(少于30 min)远小于传统制备方法:电阻炉熔融(超过24 h),退火(1 w)和SPS。该法同传统制备工艺相当,制备的方钴矿块体材料具有相对均匀的物相成份和组织结构,以及良好的热电性能,这得益于将经历感应熔融、淬火冷凝工艺形成的Sb/CoSb/CoSb_2包晶偏析结构破坏,能同时实现快速反应和致密化。良好的热电性能和较少的生产周期及能耗,使该法有望发展成为具有潜在应用前景的填充方钴矿热电材料工业化制备工艺。 展开更多
关键词 填充方钴矿材料 熔融-淬火/放电等离子烧结 微观组织结构 热电性能
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填充方钴矿热电器件的结构优化设计与性能 被引量:3
2
作者 张骐昊 刘睿恒 +4 位作者 廖锦城 夏绪贵 王超 柏胜强 陈立东 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期211-219,共9页
基于热电器件全参数设计模型,设计并制备了具有不同拓扑结构的填充方钴矿器件,通过器件仿真模拟结果与实验数据的比对和分析,解析器件结构、界面、连接工艺等对器件输出性能的影响并建立其定量关系;使用批量合成的n型Yb_(0.3)Co_(4)Sb_(... 基于热电器件全参数设计模型,设计并制备了具有不同拓扑结构的填充方钴矿器件,通过器件仿真模拟结果与实验数据的比对和分析,解析器件结构、界面、连接工艺等对器件输出性能的影响并建立其定量关系;使用批量合成的n型Yb_(0.3)Co_(4)Sb_(12)和p型Ce Fe_(3.85)Mn_(0.65)Sb_(12)填充方钴矿材料制备的单级器件最大转换效率达到9.8%,输出功率密度达1.42 W/cm2。 展开更多
关键词 热电器件 结构设计 填充方钴矿 转换效率
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SPS烧结工艺对填充方钴矿热电性能的影响 被引量:2
3
作者 周振兴 陆晓芳 +1 位作者 王连军 顾士甲 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期588-593,共6页
采用熔融淬火和高温退火法合成填充方钴矿Yb0.3Co4Sb12块体,用高能球磨的方法将已经填充的方钴矿研磨为微纳米级粉末,然后采用等离子体快速烧结(SPS)技术将其烧结成块体材料。通过XRD分析材料的物相结构,使用SEM和TEM观察粉体和块体材... 采用熔融淬火和高温退火法合成填充方钴矿Yb0.3Co4Sb12块体,用高能球磨的方法将已经填充的方钴矿研磨为微纳米级粉末,然后采用等离子体快速烧结(SPS)技术将其烧结成块体材料。通过XRD分析材料的物相结构,使用SEM和TEM观察粉体和块体材料的微观形貌,发现高能球磨后的晶粒尺寸为50~500nm,分布较宽。重点研究讨论了烧结温度和烧结压力等烧结工艺对热电传输性能的影响:发现随着烧结温度的提高,材料的热电性能先升高后降低,这是由于烧结温度的升高使得样品致密度有效提高,引起材料热电性能提升,而过高的烧结温度造成材料晶粒异常长大导致材料的热导率提升,热电性能劣化;提高烧结压力可以略微提高样品的致密度与热电性能。研究发现,当烧结温度约为875K、烧结压力约为90MPa时,材料的热电性能最佳,热电优值(ZT值)在750K时达到1.19。 展开更多
关键词 热电材料 等离子体快速烧结 填充方钴矿 高能球磨 微纳结构 烧结工艺
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无钴p型方钴矿热电材料的制备及热电性能研究 被引量:1
4
作者 秦丹丹 李春鹤 +1 位作者 蔡伟 隋解和 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期4023-4027,共5页
采用熔体旋甩结合热压烧结技术,制备了无钴p型方钴矿热电材料。利用X射线衍射仪以及扫描电子显微镜对其组织结构进行分析,并对烧结后的样品进行热电性能研究。结果表明,Fe和Ni可有效地取代Co,获得纯的方钴矿相。另外,即使无钴样品的高... 采用熔体旋甩结合热压烧结技术,制备了无钴p型方钴矿热电材料。利用X射线衍射仪以及扫描电子显微镜对其组织结构进行分析,并对烧结后的样品进行热电性能研究。结果表明,Fe和Ni可有效地取代Co,获得纯的方钴矿相。另外,即使无钴样品的高温ZT值略低于参比样品,但功率因子及低温ZT值基本相当,这对节约Co这一战略资源以及实现产业化应用具有重要的意义。 展开更多
关键词 热电材料 填充方钴矿 熔体旋甩 热电性能
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Sm填充skutterudite化合物中填充原子扰动效应研究
5
作者 刘桃香 唐新峰 +2 位作者 李涵 苏贤礼 张清杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7078-7082,共5页
结合Rietveld结构解析和拉曼光谱对单相多晶的Sm原子填充的skutterudite化合物SmyFexCo4-xSb12进行了分析.Rietveld精确化结果表明:SmyFexCo4-xSb12化合物具有填充式skutterudite结构,Sm原子的热振动参数远远大于框架原子Sb,Fe和Co;与... 结合Rietveld结构解析和拉曼光谱对单相多晶的Sm原子填充的skutterudite化合物SmyFexCo4-xSb12进行了分析.Rietveld精确化结果表明:SmyFexCo4-xSb12化合物具有填充式skutterudite结构,Sm原子的热振动参数远远大于框架原子Sb,Fe和Co;与未填充的skutterudite化合物相比,SmyFexCo4-xSb12化合物的Sb—Sb键长增加.拉曼光谱分析表明:与未填充的skutterudite化合物相比,SmyFexCo4-xSb12化合物Sb原子四面环的呼吸振动模峰位偏移并宽化.这些结果证明Sm原子填充进了skutterudite化合物结构中的Sb二十面体空洞并具有扰动效应. 展开更多
关键词 方钴矿 Rietveld结构解析 拉曼散射 扰动
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熔体旋甩法制备p型填充式方钴矿化合物Ce_(0.3)Fe_(1.5)Co_(2.5)Sb_(12)的微结构及热电性能 被引量:1
6
作者 郭全胜 李涵 +1 位作者 苏贤礼 唐新峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期6666-6672,共7页
采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶... 采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶粒细化.薄带经SPS烧结后得到致密、基本单相、晶粒尺寸均匀细小(150—300nm)的块体.与传统方法制备的试样相比,MS-SPS试样虽然电导率有所降低,但因具有较大的Seebeck系数而获得了相对较高的功率因子.更为重要的是,由于MS-SPS样品中的纳米结构,样品晶格热导率较传统方法制备的Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12降低约30%,因此MS-SPS工艺制备的试样的无量纲热电性能指数ZT与传统方法制备的样品相比有所提高,750K时达到0.55左右. 展开更多
关键词 熔体旋甩 p型填充式方钴矿化合物 微结构 热电性能
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填充方钴矿类热电材料的研究进展 被引量:4
7
作者 宋新莉 杨君友 +2 位作者 张同俊 彭江英 朱文 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第6期35-38,共4页
首先介绍了填充方钴矿类热电材料的电子结构特征,重点评述了方钴矿类热电材料的优化成分设计,并介绍了填充式 skutterudite 化合物能带结构的模拟计算、制备方法及其应用前景。
关键词 填充方钴矿 热电材料 热导率 热电优值 电子结构 能带结构 功能材料
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等离子体活化烧结在热电材料制备中的应用
8
作者 樊希安 杨君友 +2 位作者 陈柔刚 朱文 鲍思前 《新技术新工艺》 2005年第6期58-60,共3页
分析了等离子体活化烧结过程的机理,探讨了等离子体活化烧结相对于其他烧结技术所具有的独特优势,重点评述了等离子体活化烧结在电子晶体声子玻璃结构,Bi2Te3基、梯度结构等热电材料制备中的应用。
关键词 等离子体 活化烧结 材料制备 应用 热电 烧结过程 烧结技术 玻璃结构 梯度结构 体声子
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基于第一性原理分子动力学的填充方钴矿热输运性质及微观过程的研究 被引量:2
9
作者 王彦成 邱吴劼 +3 位作者 杨宏亮 席丽丽 杨炯 张文清 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期231-240,共10页
对于重要热电材料之一的填充方钴矿材料,其低热导率的成因存在两种观点:1)填充原子的局域振动引起共振散射降低热导率;2)填充原子的引入加强了三声子倒逆过程来降低热导率.本文采用含有限温度效应的第一性原理分子动力学方法模拟了YbFe_... 对于重要热电材料之一的填充方钴矿材料,其低热导率的成因存在两种观点:1)填充原子的局域振动引起共振散射降低热导率;2)填充原子的引入加强了三声子倒逆过程来降低热导率.本文采用含有限温度效应的第一性原理分子动力学方法模拟了YbFe_4Sb_(12)的动力学过程,并通过温度相关有效势场方法得到了充分包含非线性作用的等效非谐力常数,研究了微扰近似下的声子输运性质.结果显示,在填充原子振动全部参与三声子倒逆散射过程的近似下,相比于纯方钴矿体系,声子寿命大幅地降低,填充原子的振动是热阻的重要来源.但即便如此,理论计算结果与实验的晶格热导率之间仍存在明显偏离.不同填充原子振动之间的较弱关联性质也揭示其明显偏离经典的声子图像,表现为一种强烈的局域特征振动模式,并以此散射其他晶格声子,因而对热阻的贡献也超出了传统三声子的理论框架.通过将填充原子Yb振动模式的寿命进行共振散射形式的修正,可以使晶格热导率与实验结果符合较好.以上结果表明,YbFe_4Sb_(12)的低晶格热导率是由声子间相互作用以及具有局域振动特征的共振散射两方面因素导致. 展开更多
关键词 填充方钴矿 有限温度 原子关联性 超出三声子
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La_yFeCo_(3.0)Sb_(12)热电化合物的原位反应合成及热电性能 被引量:1
10
作者 刘延秦 张久兴 +1 位作者 路清梅 张忻 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期451-455,共5页
以Co、Sb、Fe及La为起始原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术原位反应合成了填充式方钴矿化合物LayFeCo3.0Sb12(y=0~0.4).实验结果表明,在y = 0 ~ 0.3组成范围内,P型传导的LayFeCo3.0Sb12化合物为试样中的主晶相,并伴有极少量的Sb相;... 以Co、Sb、Fe及La为起始原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术原位反应合成了填充式方钴矿化合物LayFeCo3.0Sb12(y=0~0.4).实验结果表明,在y = 0 ~ 0.3组成范围内,P型传导的LayFeCo3.0Sb12化合物为试样中的主晶相,并伴有极少量的Sb相;当Fe含量固定为1.0时,La的饱和填充分数达到0.3.在填充分数小于最大填充分数时,填充化合物的晶格常数随La填充分数的增加而增加.LayFeCo3.0Sb12化合物的电导率和热导率随着La填充量的增加而降低,Seebeck系数随着La填充量的增加而增加,功率因子随温度升高而升高.填充分数为0.3时,La0.3FeCo3.0Sb12化合物有较高的热电性能,其中在773K时具有最大的热电优值(ZT值)0.56. 展开更多
关键词 填充式方钴矿 放电等离子烧结 晶格常数 热电性能 热导率
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纳米SiO_2包覆提高填充方钴矿热电材料热稳定性
11
作者 魏平 董春垒 +1 位作者 赵文俞 张清杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期577-582,共6页
采用熔融结合放电等离子体烧结制备了单相Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12块体材料,并用湿化学包覆处理方法制备了纳米SiO2包覆的Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12/SiO2纳米复合材料,重点研究了两种(Ba,In)双原子填充方钴矿基块体材料在300-723... 采用熔融结合放电等离子体烧结制备了单相Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12块体材料,并用湿化学包覆处理方法制备了纳米SiO2包覆的Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12/SiO2纳米复合材料,重点研究了两种(Ba,In)双原子填充方钴矿基块体材料在300-723-300K范围热循环2000次过程中其显微结构、化学成分和热电性能的演变特征.结果发现,纳米SiO2包覆可以显著提高(Ba,In)双原子填充方钴矿块体材料的热稳定性,单相Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12块体材料晶界处的显微结构和化学成分发生显著变化,Ba0.3In0.2Ni0.05Co3.95Sb12/SiO2纳米复合材料几乎没有影响,纳米SiO2起着稳定晶界和抑制晶内元素扩散与挥发的作用.热循环过程中,两种材料在300和500K时的综合热电性能ZT值相近,变化很小;800K时,单相块体材料的ZT值呈逐渐降低趋势,纳米复合材料由于受热导率的复杂变化影响其ZT值,随淬火次数增加而逐渐增大,淬火1800次时ZT值达到1.12,甚至高于未淬火的Ba0.3In0.2Co3.95Ni0.05Sb12/SiO2纳米复合材料(1.08)和淬火1800次后的单相Ba0.3In0.2Co3.95Ni0.05Sb12块体材料(1.10)的ZT值. 展开更多
关键词 热电材料 SiO2包覆 填充方钴矿 热稳定性
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“材料基因组”方法加速热电材料性能优化 被引量:1
12
作者 史迅 杨炯 +2 位作者 陈立东 杨继辉 张文清 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期60-63,共4页
通过材料计算、数据库技术的整合与协同,可以快速甄别决定材料性能的基本关键因素,将这种方法用于材料的性能优化和新材料的设计,可以实现科学化"系统寻优"的材料基因组方法,显著加快热电材料的设计与性能优化。以填充方钴矿... 通过材料计算、数据库技术的整合与协同,可以快速甄别决定材料性能的基本关键因素,将这种方法用于材料的性能优化和新材料的设计,可以实现科学化"系统寻优"的材料基因组方法,显著加快热电材料的设计与性能优化。以填充方钴矿材料和类金刚石结构化合物为例,从电子和声子优化的不同角度,采用材料基因组方法从成百上千种可能性中快速筛选和制备出高性能热电材料,展示了材料基因组方法可显著加速热电材料研究的能力。 展开更多
关键词 材料基因组 热电材料 填充方钴矿 类金刚石结构化合物
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AgNWs/Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)纳米复合热电材料的制备及热电性能的研究 被引量:1
13
作者 周振兴 陆晓芳 +2 位作者 陈鹏 顾士甲 王连军 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期1879-1884,共6页
采用多元醇法和熔融淬火高温退火法合成银纳米线(AgNWs)和填充方钴矿Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)材料,采用超声分散法并结合等离子体快速烧结技术(SPS)烧结成AgNWs/Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)纳米复合材料。通过XRD和扫描电镜分析材料的物相结构与微... 采用多元醇法和熔融淬火高温退火法合成银纳米线(AgNWs)和填充方钴矿Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)材料,采用超声分散法并结合等离子体快速烧结技术(SPS)烧结成AgNWs/Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)纳米复合材料。通过XRD和扫描电镜分析材料的物相结构与微观形貌,测量计算了不同AgNWs复合含量样品的电导率、Seebeck系数、热导率、晶格热导率和ZT值。发现了复合AgNWs可以很大程度地提高方钴矿材料的电输运性能,但也使得其热导率不可避免地升高。最终AgNWs复合含量为0.5wt%的复合材料热电性能最佳,达到850 K时的1.02。 展开更多
关键词 热电材料 等离子体快速烧结技术 填充方钴矿 银纳米线 纳米复合材料
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P型Sr_(0.5)Co_(4-x)Fe_xSb_(12)化合物的制备及高温热电性能
14
作者 赵雪盈 陈立东 +2 位作者 柏胜强 裴艳中 李小亚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期415-418,共4页
采用熔融法结合放电等离子烧结(SPS)技术合成了P型填充方钴矿化合物Sr_(0.5)Co_(4-x)Fe_xSb_(12),并研究了Fe掺杂对该化合物高温热电性能的影响。采用X-射线衍射(XRD)及电子探针(EPMA)表征了化合物的物相及化学成分,在300~850 K温度范... 采用熔融法结合放电等离子烧结(SPS)技术合成了P型填充方钴矿化合物Sr_(0.5)Co_(4-x)Fe_xSb_(12),并研究了Fe掺杂对该化合物高温热电性能的影响。采用X-射线衍射(XRD)及电子探针(EPMA)表征了化合物的物相及化学成分,在300~850 K温度范围内测试了化合物的电导率、赛贝克系数和热导率,采用Van de Pauw方法测试了化合物的室温载流子浓度。实验结果表明,化合物的主要相组成为Sr_(0.5)Co_(4-x)Fe_xSb_(12)方钴矿相,同时含有少量FeSb_2和CoSb_2杂质相。化合物的赛贝克系数均为正值,表明为空穴导电。随着Fe掺杂量的增加,化合物的载流子浓度及电导率增加,赛贝克系数降低,晶格热导率降低,最小室温晶格热导率为1.97 Wm^(-1)K^(-2)。对于化合物Sr_(0.52)Co_(2.32)Fe_(1.68)Sb_(12),在850K时获得的最大热电性能指数ZT约为0.60。 展开更多
关键词 FE掺杂 填充方钴矿化合物 热电性能
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填充式方钴矿化合物CeOs_4Sb_(12)近藤相互作用的非弹性中子散射研究
15
作者 杨昌平 周智辉 +2 位作者 王浩 K.Iwasa M.Kohgi 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期6643-6646,共4页
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-... CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3·1meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317K. 展开更多
关键词 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体
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Fe对Ce_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物结构和热电传输性质的影响 被引量:13
16
作者 唐新峰 陈立东 +3 位作者 後藤孝 平井 敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期2437-2442,共6页
用熔融法合成了单相填充式skutterudite化合物CeyFexCo4 -xSb12 (x =0— 3 0 ,y =0— 0 74) .对Ce的填充范围 ,置换Fe原子对化合物的结构及热电传输特性的影响进行了研究 ,Ce的填充分数随Fe含量的增加而线性增加 ,当Fe含量大约为 3时 ... 用熔融法合成了单相填充式skutterudite化合物CeyFexCo4 -xSb12 (x =0— 3 0 ,y =0— 0 74) .对Ce的填充范围 ,置换Fe原子对化合物的结构及热电传输特性的影响进行了研究 ,Ce的填充分数随Fe含量的增加而线性增加 ,当Fe含量大约为 3时 ,Ce的填充分数达到 0 74.晶格常量a随Fe含量的增加而增加 ,Ce的填充使晶格常量进一步增加 .当Ce填充分数达到饱和状态时 ,CeyFexCo4 -xSb12 化合物表现为 p型传导 ,霍尔系数RH 随Fe含量的增加而降低 ,空穴浓度 p和电导率σ随Fe含量的增加而增加 ,泽贝克系数α随Fe含量的增加而降低 .当Fe/Co比大约为 1 5 / 2 5时 ,CeyFexCo4 -xSb12 的晶格热导率 (κl)达到最小值 . 展开更多
关键词 skutterudite化合物 热电传输性质 热电材料
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填充式skutterudite化合物:Ba_yFe_xCo_(4-x)Sb_(12)的多步固相反应合成及结构 被引量:11
17
作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期2196-2200,共5页
以Ba为填充原子 ,在x =0— 3 0 ,y=0— 0 7的组成范围内 ,用多步固相反应法合成了单相BayFexCo4 -xSb12 化合物 .用Rietveld方法对结构的精确化结果表明 :合成的BayFexCo4 -xSb12 化合物具有填充式skutterudite结构 ,Ba的热振动参数 (B... 以Ba为填充原子 ,在x =0— 3 0 ,y=0— 0 7的组成范围内 ,用多步固相反应法合成了单相BayFexCo4 -xSb12 化合物 .用Rietveld方法对结构的精确化结果表明 :合成的BayFexCo4 -xSb12 化合物具有填充式skutterudite结构 ,Ba的热振动参数 (B)比Sb,Fe/Co的大 ,表明在BayFexCo4 -xSb12 化合物中Ba具有扰动效果 .晶格常量随Ba填充分数及Fe含量的增大而增大 .在BayFexCo4 -xSb12 化合物的Sb的 2 0面体空洞中 ,Ba的最大填充分数随Fe含量的增大而增大 ,并明显地大于Ce的填充分数 .当Fe含量从 0增大到 4 0时 ,Ba的最大填充分数从 0 35增大到 1 展开更多
关键词 skutterudite化合物 固相反应 热电转换材料
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致密度对填充skutterudite化合物La_(0.75)Fe_3CoSb_(12)热电性能的影响 被引量:7
18
作者 杨磊 张澜庭 吴建生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期537-542,共6页
研究了致密度对填充skutterudite化合物La0 75Fe3CoSb1 2 热电性能的影响 .La0 75Fe3CoSb1 2 表现为p型传导 ,载流子迁移率随着致密度的增加而升高 .由于样品中空洞的散射作用 ,致使电阻率 ρ随着致密度的降低而升高 ,同时造成热导率... 研究了致密度对填充skutterudite化合物La0 75Fe3CoSb1 2 热电性能的影响 .La0 75Fe3CoSb1 2 表现为p型传导 ,载流子迁移率随着致密度的增加而升高 .由于样品中空洞的散射作用 ,致使电阻率 ρ随着致密度的降低而升高 ,同时造成热导率κ的下降 ,但塞贝克系数α与致密度关系不大 ,致密度造成电阻率 ρ升高的比率与热导率κ下降的比率相当 ,致密度不同的样品具有相当的ZT值 .致密度对填充式skutterudite化合物La0 75Fe3CoSb1 2 展开更多
关键词 致密度 填充skutterudite化合物 热电性能 载流子迁移率 散射作用 电阻率 塞贝克系数
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Skutterudite类化合物晶粒长大规律和放电等离子体烧结的研究 被引量:4
19
作者 杨磊 吴建生 张澜庭 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期785-789,共5页
用熔融-退火-放电等离子体烧结法(SPS)制备了晶粒尺寸均匀致密度高的La0.75Fe3CoSb12热电合金.研究了退火时间和温度对skutterudite合金晶粒长大的影响,晶粒生长动力学指数n=2.7,表观生长激活能Q=381±30 kJ/mol.晶粒长大主要受扩... 用熔融-退火-放电等离子体烧结法(SPS)制备了晶粒尺寸均匀致密度高的La0.75Fe3CoSb12热电合金.研究了退火时间和温度对skutterudite合金晶粒长大的影响,晶粒生长动力学指数n=2.7,表观生长激活能Q=381±30 kJ/mol.晶粒长大主要受扩散机制控制. SPS的致密度随烧结时间的延长和温度的升高而增加, SPS后微观组织的观察表明,通过控制退火温度可有效地控制合金最终的晶粒尺寸. 展开更多
关键词 热电材料 填充skutterudite化合物 晶粒生长 放电等离子体烧结
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Solid state reaction synthesis of filled skutterudite compounds (Ce or Y)_y,Fe_xCo_(4-x)Sb_(12) and the effect of filling atoms Ce or Y on lattice thermal conductivity 被引量:1
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作者 唐新峰 陈立东 +2 位作者 後藤孝 平井敏雄 袁润章 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2000年第3期306-312,共7页
The synthesis of filled skutterudite compounds (Ce or Y)_y(Fe)_x(Co)_(4x)(Sb)_(12), through a solidstate reaction using chloride of Ce or Y,high purity powder of Co, Fe, and Sb as starting materials,was investigated. ... The synthesis of filled skutterudite compounds (Ce or Y)_y(Fe)_x(Co)_(4x)(Sb)_(12), through a solidstate reaction using chloride of Ce or Y,high purity powder of Co, Fe, and Sb as starting materials,was investigated. (Ce or Y)_y(Fe)_x(Co)_(4x)(Sb)_(12) (x=0--1.0, y=0--0.15) compounds were obtained at850--1 123 K. The results of Rietveld analysis demonstrate that (Ce or Y)_y(Fe)_x(Co)_(4x)(Sb)_12synthesized by a solid state reaction possesses a filled skutterudite structure. The filling fraction ofCe or Y obtained by Rietveld analysis agrees well with the composition obtained by chemicalanalysis. The lattice constant of (Ce)_y(Fe)_x(Co)_(4x)(Sb)_(12) increases with increasing substitution of Fe at Cosites, and with an increasing Ce filling fraction in the Sb-dodecahedron voids. The lattice thermalconductivity of (Ce or Y)_y(Fe)_x(Co)_(4x)(Sb)_(12) decreases significantly with an increasing Ce or Y fillingfraction in the voids and with substitution of Fe at Co sites. 展开更多
关键词 filled skutteruditE compound solid state reaction lattice thermal CONDUCTIVITY
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