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场致发射显示器的现状与发展 被引量:21
1
作者 朱长纯 史永胜 《真空电子技术》 2002年第5期15-17,26,共4页
通过对场致发射显示器 (FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析 ,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点。并介绍国外著名公司的研究动态 ,展望FED的发展趋势。
关键词 场致发射显示器 场发射阵列 碳纳米管 fed 表面导电发射体
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现代显示技术的进展 被引量:8
2
作者 王天及 杨世宁 李耀棠 《光电子技术与信息》 2004年第4期1-7,共7页
介绍了几种现代显示技术的发展概况.如:阴极射线管(CRT)、数字光处理技术(DLP)、等离子显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、有机发光二极管(OLED)、光栅光阀(GLV)投影显示器、液晶显示系统(LCD)、全色发光二极管(LED)、数字打印全息图(DPH... 介绍了几种现代显示技术的发展概况.如:阴极射线管(CRT)、数字光处理技术(DLP)、等离子显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、有机发光二极管(OLED)、光栅光阀(GLV)投影显示器、液晶显示系统(LCD)、全色发光二极管(LED)、数字打印全息图(DPH)及视频全息(holovideo)、全息背投屏(holoscreen)、液晶硅(LCOS).对上述几种现代显示技术在结构、原理和技术特点等方面作了比较.特别是对液晶硅显示(LCOS)的结构和原理以及发展趋势和市场走向作了较详细的分析. 展开更多
关键词 显示技术 液晶 数字光处理技术(DLP) 场发射显示器(fed) 液晶硅(LCOS)
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生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响 被引量:10
3
作者 王莉莉 孙卓 陈婷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期123-128,共6页
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针... 碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2—152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射平面显示器 丝网印刷 生长温度
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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制 被引量:7
4
作者 冯涛 茅东升 +6 位作者 李炜 柳襄怀 王曦 张福民 李琼 徐静芳 诸玉坤 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期293-296,共4页
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达... 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 阴极阵列 场发射显示器
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ZnS:Zn,Pb薄膜的制备及其发光性能研究 被引量:8
5
作者 张晓松 李岚 +2 位作者 陶怡 徐征 邹开顺 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1040-1044,共5页
用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着... 用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能。因此,退火处理是提高ZnS:Zn,Pb荧光薄膜发光性能的有效方法之一。 展开更多
关键词 ZnS:Zn Pb薄膜 电子束蒸发 场发射显示器(fed) 退火处理
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新型场致发射显示器件的研究现状与展望 被引量:4
6
作者 王金婵 杨杨 +3 位作者 张晓兵 雷威 王琦龙 张宇宁 《真空》 CAS 北大核心 2005年第3期1-5,共5页
场致发射显示器(FieldEmissionDisplay)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、un-der-gate三极结构以及double-gate四极结构... 场致发射显示器(FieldEmissionDisplay)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、un-der-gate三极结构以及double-gate四极结构等器件结构特点进行了讨论。 展开更多
关键词 场致发射 碳纳米管 三极结构
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单色FED荧光屏的研制与分析 被引量:4
7
作者 黄岱 罗淑云 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期26-29,共4页
作为场发射平面显示器件的组成部分之一,荧光屏的研制与结果分析决定了该显示器件的亮度、清晰度、分辨率和寿命等性能。介绍了场发射显示器(FED)单色荧光屏的设计和两种制作方法:重力沉淀法和电泳法,并对用这两种方法制作的荧... 作为场发射平面显示器件的组成部分之一,荧光屏的研制与结果分析决定了该显示器件的亮度、清晰度、分辨率和寿命等性能。介绍了场发射显示器(FED)单色荧光屏的设计和两种制作方法:重力沉淀法和电泳法,并对用这两种方法制作的荧光屏进行了亮度、工作电流、工作电压、亮度衰减等多个参数的测试。通过对测试结果的比较与分析,得到电泳法制得的荧光屏比重力沉淀法性能要好的结论,并且获得了荧光层厚度及工作电流和工作电压的适宜参数。 展开更多
关键词 场发射显示器 荧光屏 亮度衰减 平面显示器
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绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试 被引量:3
8
作者 李岚 梁翠果 +4 位作者 谢宝森 赵守珍 杜仲 邹开顺 熊光楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期252-254,共3页
FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0~ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 。
关键词 YAGG:Tb Gd 场发射显示器件 绿色荧光粉 发光特性 fed
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四针状纳米ZnO在场致发射显示器的应用研究 被引量:3
9
作者 林志贤 郭太良 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期877-880,共4页
以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板。将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简... 以高温气相氧化法制备的四针状纳米ZnO作为场致发射材料,采用浆料印刷和烧结的方法将其制备成场致发射阴极基板。将阴极板和荧光屏封装成5×25.4 mm二极结构的场致发射显示器,进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及简单字符显示。该二极结构ZnO-FED的开启场强为1.5 V/μm,当场强为5.3 V/μm时,发射电流密度可达5.11μA/cm2。通过实验测定场增强因子约为6 772,表现出了好的场致电子发射性能。实验结果表明了四针状纳米ZnO纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料。 展开更多
关键词 场致发射显示器(fed) 四针状ZnO 纳米材料
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场发射显示器发展动态 被引量:2
10
作者 柯春和 杜秉初 《光电子技术》 CAS 1996年第4期314-320,共7页
概述场发射显示器件(FED)的原理、结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。
关键词 真空微电子学 场发射显示器件 场发射阵列
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基于LCD-FED双屏结构的高动态范围显示系统 被引量:4
11
作者 郭碧辉 姚剑敏 +1 位作者 郭太良 王宗贤 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期258-264,共7页
针对采用投影仪、发光二极管(LED)阵列等双屏结构的高动态范围(HDR)显示系统存在体积庞大、局部对比度低等缺点,提出以场致发射显示器(FED)作为液晶显示器(LCD)的背光源。描述了FED背光的结构,提出前后面板点对点的控制,对HDR图像进行... 针对采用投影仪、发光二极管(LED)阵列等双屏结构的高动态范围(HDR)显示系统存在体积庞大、局部对比度低等缺点,提出以场致发射显示器(FED)作为液晶显示器(LCD)的背光源。描述了FED背光的结构,提出前后面板点对点的控制,对HDR图像进行前后面板的分割。讨论了FED背光的光晕与运动伪像问题,并通过实验测试了系统的光晕与运动伪像。研究结果表明,本文提出的方法具有提高HDR LCD的局部对比度与减淡光晕和运动伪像的优点,FED背光的结构局部对比度提高到216∶1,具有较高的实用价值。 展开更多
关键词 高动态范围(HDR) 对比度 光晕 运动伪像 场致发射显示器(fed)
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热处理对ZnO∶Zn荧光薄膜结晶性能的影响 被引量:4
12
作者 张晓松 李岚 王达健 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期206-210,共5页
用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO∶Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO∶Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO∶Zn荧光薄膜的X射线衍... 用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO∶Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO∶Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO∶Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO∶Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490 nm处发光峰,认为一价氧空位(VO)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高。 展开更多
关键词 热处理 ZnO:Zn薄膜 电子束蒸发 场发射显示器(fed)
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FED中支撑对电场分布及电子轨迹的影响 被引量:1
13
作者 葛常锋 于宏宇 罗淑云 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期13-16,共4页
在场致发射显示器 (FED)中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动 ,从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 ,对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 :采用有限元法计算带有介质支撑墙... 在场致发射显示器 (FED)中加入支撑会影响真空室内部电场分布和电子运动 ,从而导致二次电子发射和电荷积累效应。为比较不同发射结构中这种负面影响的大小 ,对3种常见阴极模型中电子运动轨迹进行了模拟 :采用有限元法计算带有介质支撑墙的 FED电场分布 ,采用 Runge- Kut-ta法计算该空间电子轨迹 ,得出了支撑墙对 FED电子轨迹影响的数值结果。模拟结果显示 ,在三极型和四极型 (聚焦型 )结构中 ,支撑的引入不可避免地会带来二次电子发射和电荷积累效应 ;与之相反 。 展开更多
关键词 场致发射显示器 fed 支撑墙 二次电子发射 电荷积累 电场分布 电子运动轨迹
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碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制 被引量:2
14
作者 郭平生 孙卓 +1 位作者 陈奕卫 郑志豪 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期29-33,55,共6页
探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;... 探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管.所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为2.7V/μm时的亮度可达600 cd/m^2.因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力. 展开更多
关键词 碳纳米管/碳纳米纤维 场发射 平板显示器
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场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进 被引量:1
15
作者 张军 袁璟 +1 位作者 杜秉初 李德杰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期447-449,共3页
真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共... 真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定。 展开更多
关键词 场发射显示器件 场发射显示 封接 排气 真空获得工艺 真空维持工艺 技术改进
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FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析 被引量:2
16
作者 邓记才 张兵临 方莉俐 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期971-973,共3页
从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的... 从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的一部分,其电路结构直接影响发射电流的控制特性,分析表明电流驱动模式能对阳极束电流进行精确控制,是实现FED亮度控制的理想驱动方式。 展开更多
关键词 场发射显示 矩阵寻址 驱动电路 电流模式
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场发射显示器阴极结构的发展 被引量:2
17
作者 武怀玉 艾延平 +1 位作者 赵富宝 王海军 《现代显示》 2010年第4期40-43,共4页
场发射显示器(FED)集传统的阴极射线管显示器(CRT)与液晶显示器(LCD)的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理,从F-N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原... 场发射显示器(FED)集传统的阴极射线管显示器(CRT)与液晶显示器(LCD)的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理,从F-N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。 展开更多
关键词 场发射显示器 F—N公式 阴极结构
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碳纳米管场致发射显示器与驱动系统的集成研究 被引量:1
18
作者 杨堃 《电子测量技术》 2007年第5期1-3,共3页
碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示... 碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示器的新方式。由于碳纳米管可以生长在硅基底上,从而可将驱动电路预先制作在硅基底上,然后再利用室温下生长碳纳米管的方法,将碳纳米管和电路集成在同一硅基底上。驱动系统和发射部分集成在一起,可达到使FED轻薄的设计要求。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 场发射显示器(fed) 驱动系统
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Preparation Nano-Diamond Film by Sol-Gelled Coating Method for Field Emission Display
19
作者 Xiuxia Zhang Shuyi Wei Qianyu Ji 《Advances in Nanoparticles》 2017年第1期1-9,共9页
The mixture of Nano-graphite and organic vehicles doped to Nano-diamond paste. The suitable paste proportion was found. Nano-diamond film (NDF) was prepared by sol-gel coating method on ITO glass at 3000/min. The fiel... The mixture of Nano-graphite and organic vehicles doped to Nano-diamond paste. The suitable paste proportion was found. Nano-diamond film (NDF) was prepared by sol-gel coating method on ITO glass at 3000/min. The field emission characteristics of luminance-current, luminance-voltage and luminance-power of Nano-diamond film were analyzed and tested. Comparing these tested curves, the luminance was well proportional to current was got. Theoretic, the inner resistance of NDF field emission display (FED) consumes electric energy and real voltage change between the cathode and the anode of NDF-FED was very small after electrons emit. So the characteristic of NDF-FED was preferable to describe by luminance-current linear relationship, which was advantageous to device tested and designed. 展开更多
关键词 NANO-DIAMOND Film (NDF) SOL-GEL Coating Method Suitable PASTE PROPORTION field emission display (fed)
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三极FED分段复合衬底电极的特性和制作 被引量:1
20
作者 李玉魁 李晓荃 +2 位作者 刘兴辉 卢文科 曾凡光 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第5期322-326,共5页
结合丝网印刷技术、烘烤工艺和烧结工艺,采用印刷ZnO层和银浆层相结合的方案,进行了分段复合衬底电极的制作。该分段复合衬底电极能够降低无效的阴极电压降,增强三极场发射显示器的发光亮度并改善其发光均匀性,且制作成本低廉。分段复... 结合丝网印刷技术、烘烤工艺和烧结工艺,采用印刷ZnO层和银浆层相结合的方案,进行了分段复合衬底电极的制作。该分段复合衬底电极能够降低无效的阴极电压降,增强三极场发射显示器的发光亮度并改善其发光均匀性,且制作成本低廉。分段复合衬底电极避免了过长过细衬底电极现象,促使碳纳米管提供更多电子,同时有效改善了碳纳米管的场发射均匀性。利用碳纳米管作为阴极材料,进行了三极场发射显示器的研制,并进行点阵图像显示,从而证实了这种分段复合衬底电极制作工艺的可行性。与普通银电极场发射显示器相比,分段复合衬底电极场发射显示器能够将开启场强从1.92 V/μm降低到1.81 V/μm,其最大场发射电流由1 332.5μA提高到2 137.8μA,具有典型的场致发射特性以及优良的图像发光均匀性。 展开更多
关键词 衬底电极 丝网印刷 场发射显示器 阴极 银浆
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