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一种适用于高速窄脉冲的峰值保持电路 被引量:16
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作者 彭宇 苏弘 +5 位作者 董成富 李勇 李素琴 李小刚 马晓莉 千奕 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期254-256,共3页
介绍一种适用于高速窄脉冲的峰值保持电路,该电路输入信号的幅度≥50mV、前沿≤3ns、脉宽≤15ns、频率≥20MHz、增益为3,峰展宽时间可调(0.4-5μs)。该电路结构简单,可靠性好。
关键词 窄脉冲 峰展宽 电路
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百ns直线型脉冲变压器模块仿真及初步试验 被引量:14
2
作者 梁天学 孙凤举 +4 位作者 邱爱慈 蒯斌 孙才新 张众 曾江涛 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期18-21,共4页
短脉冲直线型脉冲变压器(LTD)是近年发展的一种新型脉冲功率驱动源新技术,LTD模块化后可方便地串、并联使用。为了紧跟国际上短脉冲LTD技术,进一步拓宽其应用领域,介绍了LTD的基本原理后根据国内脉冲电容器、高频磁芯和绝缘子的技术水平... 短脉冲直线型脉冲变压器(LTD)是近年发展的一种新型脉冲功率驱动源新技术,LTD模块化后可方便地串、并联使用。为了紧跟国际上短脉冲LTD技术,进一步拓宽其应用领域,介绍了LTD的基本原理后根据国内脉冲电容器、高频磁芯和绝缘子的技术水平,提出了一种电流上升时间约100ns、电流峰值约100kA的一级LTD模块的技术方案;重点介绍了设计模块的结构及磁芯材料的选取;利用通用电路仿真软件Pspice建立了相应的模拟电路模型,并计算了输出参数;在充电±35kV时对设计方案进行的一路单元初步实验中得到短路电流幅值7kA,上升时间(10%~90%)约86ns,单个回路电感约270nH。实验结果表明,设计方案能达到预期指标。 展开更多
关键词 模块化LTD 磁感应技术 快脉冲 直接驱动 高功率 高频磁芯
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LTD用磁芯材料磁化特性实验研究 被引量:12
3
作者 梁天学 孙凤举 +6 位作者 曾江涛 尹佳辉 丛培天 孙剑峰 陈玉兰 张众 杨海亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1023-1026,共4页
通过比较测量磁化特性的几种方法,采用脉冲电容器快速放电方法,获取了ns级上升前沿的快脉冲,对高频响应比较好、适合于直线型脉冲变压器(LTD)的非晶态合金、硅钢带磁芯进行了快脉冲磁化特性实验。通过测试磁芯在快脉冲下初级电流和开路... 通过比较测量磁化特性的几种方法,采用脉冲电容器快速放电方法,获取了ns级上升前沿的快脉冲,对高频响应比较好、适合于直线型脉冲变压器(LTD)的非晶态合金、硅钢带磁芯进行了快脉冲磁化特性实验。通过测试磁芯在快脉冲下初级电流和开路次级电压,获得了磁芯的磁滞回线;测出了它们在不同的磁感应强度随时间的变化率(dB/dt)时的相对磁导率。试验表明两种磁芯样品的相对磁导率随着dB/dt增大而减小,非晶态合金2605SA1样品磁环在dB/dt大于20 T/μs时,相对磁导率小于1000,硅钢薄带磁芯在dB/dt大于4 T/μs时,相对磁导率小于1000。 展开更多
关键词 磁感应技术 快脉冲 磁化特性 直线型脉冲变压器 非晶磁芯 退火夹膜
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纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算 被引量:10
4
作者 邵涛 孙广生 +2 位作者 严萍 谷琛 张适昌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期5964-5968,共5页
基于快电子的逃逸击穿机理将是一种能解释纳秒脉冲高过电压倍数下气体放电现象的理论,对高能量快电子的逃逸运动、碰撞电离引导电子崩的发展等进行了分析,并根据电子能量与阻力关系式,对电子的俘获或逃逸过程进行了计算.结果表明外加场... 基于快电子的逃逸击穿机理将是一种能解释纳秒脉冲高过电压倍数下气体放电现象的理论,对高能量快电子的逃逸运动、碰撞电离引导电子崩的发展等进行了分析,并根据电子能量与阻力关系式,对电子的俘获或逃逸过程进行了计算.结果表明外加场强越高,更多的电子能逃逸,逃逸的能量阈值越低,气压对电子的逃逸过程影响也较大.同时也定性描述了纳秒脉冲下逃逸击穿放电过程. 展开更多
关键词 气体放电 快电子 逃逸击穿 纳秒脉冲
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快速晶闸管在纳秒脉冲高压发生器中的应用分析 被引量:7
5
作者 李黎 冯希波 +3 位作者 鲍超斌 张钦 林福昌 潘垣 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第16期197-203,1,共7页
紧凑型纳秒快脉冲高压发生器在电工新技术领域有重要实践意义。该文对快速晶闸管在磁芯变压器式纳秒快脉冲发生器中的应用进行分析研究。通过对等值电路的分析,给出脉冲变压器原、副方电压、电流的表达式,并进行相关极值分析,理论推导... 紧凑型纳秒快脉冲高压发生器在电工新技术领域有重要实践意义。该文对快速晶闸管在磁芯变压器式纳秒快脉冲发生器中的应用进行分析研究。通过对等值电路的分析,给出脉冲变压器原、副方电压、电流的表达式,并进行相关极值分析,理论推导快速晶闸管在工作过程中的通态电流上升率(di/dt)平均值和最大值的数学表达式,通过实验研究分析实际回路中磁芯饱和的影响、变压器漏感和晶闸管di/dt最大值的测算方法,讨论最佳匝数比对晶闸管的影响以及限制di/dt的技术措施。研究结论能够对快速晶闸管在磁芯谐振式纳秒快脉冲高压发生器中的应用选型和优化设计提供一定的技术参考。 展开更多
关键词 快速晶闸管 纳秒脉冲 脉冲变压器 电流上升率
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具有负压关断的MOSFET栅极快速驱动电路设计
6
作者 殷亚昆 段章超 +2 位作者 王永刚 姜松 李孜 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期124-130,共7页
设计了一款用于全固态Marx发生器的半导体开关驱动电路。该驱动电路输出侧采用储能电容与P-N双MOSFET管结构,可完成对固态Marx脉冲发生器功率回路开关管快速同步的导通关断控制,并具有死区时间调节与负压关断功能。此外,该驱动电路配合... 设计了一款用于全固态Marx发生器的半导体开关驱动电路。该驱动电路输出侧采用储能电容与P-N双MOSFET管结构,可完成对固态Marx脉冲发生器功率回路开关管快速同步的导通关断控制,并具有死区时间调节与负压关断功能。此外,该驱动电路配合串芯磁环二次侧反向接线方案,可实现用同一信号对功率回路充、放电两路开关管的控制。实验证明,采用该款驱动电路的半桥型全固态Marx脉冲发生器可稳定输出幅值24 kV的脉冲方波,输出脉宽可在300 ns~10μs之间自由调节,上升沿和下降沿均在40 ns以内。 展开更多
关键词 固态Marx驱动电路 负压偏置 快速导通 纳秒脉冲
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Alzheimer's disease with depressive symptoms: Clinical effect of intermittent theta burst stimulation repetitive transcranial magnetic stimulation
7
作者 Xin Jin Chun-Yun Xu +2 位作者 Jin-Feng Fei Yu Fang Cong-Hao Sun 《World Journal of Psychiatry》 SCIE 2024年第8期1216-1223,共8页
BACKGROUND Alzheimer's disease(AD),characterized by the ongoing deterioration of neural function,often presents alongside depressive features and greatly affects the quality of life of individuals living with the ... BACKGROUND Alzheimer's disease(AD),characterized by the ongoing deterioration of neural function,often presents alongside depressive features and greatly affects the quality of life of individuals living with the condition.Although several treatment methods exist,their efficacy is limited.In recent years,repetitive transcranial magnetic stimulation(rTMS)utilizing the theta burst stimulation(TBS)mode,specifically the intermittent TBS(iTBS),has demonstrated promising therapeutic potential in the management of neuropsychiatric disorders.AIM To examine the therapeutic efficacy of iTBS mode of rTMS for treating depressive symptoms in patients with AD.METHODS This retrospective study enrolled 105 individuals diagnosed with AD with depressive symptoms at Huzhou Third Municipal Hospital,affiliated with Huzhou University,between January 2020 and December 2023.Participants received standard pharmacological interventions and were categorized into control(n=53)and observation(n=52)groups based on treatment protocols.The observation group received iTBS mode of rTMS,while the control group received pseudo-stimulation.A comparative analysis evaluated psychological well-being,adverse events,and therapeutic at initiation of hospitalization(T0)and 15 days post-treatment(T1).RESULTS At T1,both groups exhibited a marked reduction in self-rating depression scale and Hamilton depression scale scores compared to T0.Furthermore,the observa-tion group showed a more pronounced decrease than the control group.By T1,the Mini-mental state examination scores for both groups had increased markedly from their initial T0 assessments.Importantly,the increase was particularly more substantial in the observation group than in the control group.Fourteen patients in the control group had ineffective treatment effects,while five patients in the observation group experienced the same.Additionally,the observation group experienced a substantially reduced incidence of ineffective treatment as compared to the control group(both P<0.05);there were no recor 展开更多
关键词 Alzheimer's disease Non-persistentθshort array fast pulse mode DEPRESSION Clinical efficacy DEMENTIA Repetitive transcranial magnetic stimulation
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基于脉冲电压频域特征和内阻的退役电池快速初步分选策略
8
作者 汪宇航 黄海宏 王海欣 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期214-226,共13页
随着新能源产业的发展,越来越多的退役电池如何处理成为了一个急需解决的问题。磷酸铁锂电池由于高能量密度及安全性的优点被广泛应用于汽车及储能场合,是现有退役电池中的主流之一。退役磷酸铁锂电池的二次利用场景是根据电池的健康状... 随着新能源产业的发展,越来越多的退役电池如何处理成为了一个急需解决的问题。磷酸铁锂电池由于高能量密度及安全性的优点被广泛应用于汽车及储能场合,是现有退役电池中的主流之一。退役磷酸铁锂电池的二次利用场景是根据电池的健康状态、内阻等状态进行评估的,但是这个过程耗费大量的时间。本文提出利用脉冲过程电压的频域特征作为估计健康状态的健康特征,然后利用随机森林回归算法实现了健康状态的快速估计,这极大的缩短了退役磷酸铁锂电池分选的时间。在此基础上,本文提出利用基于高斯分布的异常参数识别方法评估异常内阻退役磷酸铁锂电池。通过实验验证,选取的15节磷酸铁锂电池中健康状态估计的最大误差为6%,且能够有效的筛除内阻与SOH不匹配的退役磷酸铁锂电池。 展开更多
关键词 退役电池 健康状态 快速分选 脉冲电压
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Pulse electrochemical synaptic transistor for supersensitive and ultrafast biosensors 被引量:2
9
作者 Jianlong Ji Zhenxing Wang +9 位作者 Fan Zhang Bin Wang Yan Niu Xiaoning Jiang Zeng-ying Qiao Tian-ling Ren Wendong Zhang Shengbo Sang Zhengdong Cheng Qijun Sun 《InfoMat》 SCIE CSCD 2023年第11期25-39,共15页
High sensitivity and fast response are the figures of merit for benchmarking commercial sensors.Due to the advantages of intrinsic signal amplification,bionic ability,and mechanical flexibility,electrochemical transis... High sensitivity and fast response are the figures of merit for benchmarking commercial sensors.Due to the advantages of intrinsic signal amplification,bionic ability,and mechanical flexibility,electrochemical transistors(ECTs)have recently gained increasing popularity in constructing various sensors.In the current work,we have proposed a pulse-driven synaptic ECT for supersensitive and ultrafast biosensors.By pulsing the presynaptic input(drain bias,VD)and setting the modulation potential(gate bias)near transconductance intersection(VG,i),the synaptic ECT-based pH sensor can achieve a record high sensitivity up to 124 mV pH^(-1)(almost twice the Nernstian limit,59.2 mV pH^(-1))and an ultrafast response time as low as 8.75 ms(7169 times faster than the potentiostatic sensors,62.73 s).The proposed synaptic sensing strategy can effectively eliminate the transconductance fluctuation issue during the calibration process of the pH sensor and significantly reduce power consumption.Besides,the most sensitive working point at VG,i has been elaborately figured out through a series of detailed mathematical derivations,which is of great significance to provide higher sensitivity with quasi-nonfluctuating amplification capability.The proposed electrochemical synaptic transistor paired with an optimized operating gate offers a new paradigm for standardizing and commercializing high-performance biosensors. 展开更多
关键词 fast response pH sensor pulse electrochemical transistor supersensitive synaptic transistor
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快脉冲大尺寸非晶态磁芯研究进展 被引量:4
10
作者 王发厚 石金水 +2 位作者 陈思富 夏连胜 林曦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期829-833,共5页
通过对带绕非晶态软磁合金磁芯片间绝缘技术的几种方法、磁场热处理技术以及绝缘封装技术的研究,实现了非晶态磁芯片间0.6-1.0μm厚SiO2绝缘涂层以及片间击穿电压不低于120 V直流;非晶态磁芯纵磁热处理剩磁比大于0.90,横磁热处理剩磁比... 通过对带绕非晶态软磁合金磁芯片间绝缘技术的几种方法、磁场热处理技术以及绝缘封装技术的研究,实现了非晶态磁芯片间0.6-1.0μm厚SiO2绝缘涂层以及片间击穿电压不低于120 V直流;非晶态磁芯纵磁热处理剩磁比大于0.90,横磁热处理剩磁比小于0.20,且绝缘封装前后磁芯磁性能变化小于5%。通过对快脉冲条件下带绝缘涂层大尺寸带绕非晶态软磁合金磁芯的研究,测试获得了试验磁芯的脉冲磁导率以及磁通跳变,其中1 000 mm级铁基非晶磁芯在脉冲间隔500 ns、脉冲宽度120 ns三脉冲串条件下,磁通跳变达到了2.86 T。 展开更多
关键词 快脉冲 非晶态 绝缘涂层 磁感应强度 磁导率
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脉冲压缩电路磁开关动态特性 被引量:5
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作者 饶俊峰 邱剑 刘克富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期859-862,共4页
提出在典型一阶磁脉冲压缩电路的基础上,测取磁芯在实际工作条件下的动态磁滞回线和饱和磁导率等磁参数,再根据所获得的动态参数指导磁开关设计,进行一阶磁压缩实验。实验选取国内外被广泛应用的非晶磁芯和纳米晶磁芯进行测试,根据实测... 提出在典型一阶磁脉冲压缩电路的基础上,测取磁芯在实际工作条件下的动态磁滞回线和饱和磁导率等磁参数,再根据所获得的动态参数指导磁开关设计,进行一阶磁压缩实验。实验选取国内外被广泛应用的非晶磁芯和纳米晶磁芯进行测试,根据实测动态磁参数设计磁开关。实测结果表明:用国产非晶磁芯做磁开关可得到上升沿73ns、电压幅值28.3kV、半高宽为503ns的脉冲,用日本产的纳米晶磁芯做磁开关可得到上升沿30ns、电压幅值28.4kV、半高宽为193ns的脉冲。 展开更多
关键词 动态磁特性 磁开关 快脉冲 饱和翻转速度
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一种双回路驱动的纳秒快前沿高重复频率脉冲源 被引量:4
12
作者 黄寅 孟永鹏 +3 位作者 黄彦钦 王亚杰 高新宇 成永红 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期114-122,共9页
为满足电子设备在高重频、快前沿脉冲下的电磁损伤机理与工作防护技术研究的需要,本文利用漂移阶跃恢复二极管(DSRD)开断速度快、重复频率高等优点,基于正反向电流泵浦原理设计了一种新型双回路驱动的纳秒快前沿重复频率脉冲发生电路。... 为满足电子设备在高重频、快前沿脉冲下的电磁损伤机理与工作防护技术研究的需要,本文利用漂移阶跃恢复二极管(DSRD)开断速度快、重复频率高等优点,基于正反向电流泵浦原理设计了一种新型双回路驱动的纳秒快前沿重复频率脉冲发生电路。首先计算了双回路驱动脉冲发生电路的主要元件参数,建立了DSRD的PSpice等效模型,通过仿真分析了脉冲电路输入电压、触发时间、负载电阻、DSRD寄生电容等对输出脉冲前沿、脉宽(半峰宽)、幅值的影响规律,并通过电路参数优化得到了预期的脉冲输出指标,所设计的双回路驱动脉冲发生电路有效提升了储能电感充放电效率,提高了脉冲源工作频率。根据所设计的电路参数,最终研制出一台输出前沿1.87 ns、脉宽8.3 ns、幅值1 kV、工作频率3 MHz的纳秒快前沿高重复频率脉冲电源,为研究脉冲功率环境下的电磁效应和防护提供了实验手段和技术支持。 展开更多
关键词 快前沿 高重频 脉冲源 漂移阶跃恢复二极管
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SF_(6)中氧化铝环氧复合材料的纳秒脉冲闪络特性 被引量:3
13
作者 孙楚昱 王海洋 +1 位作者 谢霖燊 迟晓红 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期122-127,共6页
氧化铝掺杂环氧树脂复合材料在电力绝缘设备中应用广泛,然而人们对其在纳秒脉冲下的绝缘性能研究较少,这限制了它在指导脉冲功率装置中的应用。为探究其在纳秒脉冲下的沿面绝缘性能,对氧化铝掺杂环氧树脂复合材料在前沿数十ns快脉冲电... 氧化铝掺杂环氧树脂复合材料在电力绝缘设备中应用广泛,然而人们对其在纳秒脉冲下的绝缘性能研究较少,这限制了它在指导脉冲功率装置中的应用。为探究其在纳秒脉冲下的沿面绝缘性能,对氧化铝掺杂环氧树脂复合材料在前沿数十ns快脉冲电压下的闪络特性进行了研究,结果显示,其闪络电场较纯环氧有较大提高,闪络电压符合韦伯分布。实验表明,闪络电压随电压上升率的增加而显著增加,从5.8 kV/ns时的108 kV上升到20.5 kV/ns时的226 kV,增幅超过1倍。闪络时延随电压上升率的上升呈现“先快速下降、后趋于平缓”的趋势。在试样闪络通道表面观测到明显的碳化现象,说明实验中的闪络放电对复合材料有破坏性影响。 展开更多
关键词 脉冲功率 环氧树脂 快脉冲 沿面绝缘 沿面闪络
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螺旋线型三导体脉冲形成线快波抵消方法 被引量:3
14
作者 张喜波 潘亚峰 +1 位作者 李锐 刘胜 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期224-227,共4页
针对螺旋线型三导体脉冲形成线的快波振荡问题,提出一种阻抗分两段阶梯变化的螺旋线结构,分析了此类螺旋线快波反射与慢波反射相互抵消快波的条件,给出两段变阻抗螺旋线慢波系数之间的关系式以及匝数密度之比计算方法,通过仿真计算证明... 针对螺旋线型三导体脉冲形成线的快波振荡问题,提出一种阻抗分两段阶梯变化的螺旋线结构,分析了此类螺旋线快波反射与慢波反射相互抵消快波的条件,给出两段变阻抗螺旋线慢波系数之间的关系式以及匝数密度之比计算方法,通过仿真计算证明该方法能有效消除快波反射对螺旋线输出脉冲的影响。 展开更多
关键词 螺旋线 快波 慢波系数 长脉冲 脉冲形成线
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带有增益的单微环谐振器的光速控制行为 被引量:3
15
作者 郝影 孔梅 卢俊 《中国光学与应用光学》 2009年第6期482-488,共7页
带有损耗的光波导微环谐振器在实现光速控制时存在输出脉冲能量损耗大、脉冲形状畸变严重等问题。基于带有增益和带有损耗的微环谐振器的传输特性之间的对称性,计算分析了单微环谐振器的透射率、群折射率和群速度色散等特性,分析了增益... 带有损耗的光波导微环谐振器在实现光速控制时存在输出脉冲能量损耗大、脉冲形状畸变严重等问题。基于带有增益和带有损耗的微环谐振器的传输特性之间的对称性,计算分析了单微环谐振器的透射率、群折射率和群速度色散等特性,分析了增益和损耗对微环谐振器输出特性影响的机制。计算了带有增益的微环谐振器的光速控制行为,并与带有损耗的微环谐振器进行对比。结果显示,带有增益的微环谐振器输出脉冲不分裂且有较大的输出强度。脉冲延迟量和超前量比损耗系统大,可用于光速控制,克服了微环带有损耗时产生的光强损耗和脉冲畸变。 展开更多
关键词 光波导 微环谐振器 快光 慢光 脉冲畸变
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高速、大功率LED光源驱动电路设计 被引量:3
16
作者 李小刚 苏弘 +4 位作者 马晓莉 董成富 刘义才 彭宇 千奕 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期596-598,共3页
高速、大功率LED(≥3W)光源驱动电路是中子墙探测器光刻度系统的重要组成部分。本文简要介绍高速、大功率LED光源驱动电路的设计。该电路具有稳定性好、驱动脉冲前、后沿快,大电流脉冲输出等特点。内置信号源信号经过成形电路后,形成具... 高速、大功率LED(≥3W)光源驱动电路是中子墙探测器光刻度系统的重要组成部分。本文简要介绍高速、大功率LED光源驱动电路的设计。该电路具有稳定性好、驱动脉冲前、后沿快,大电流脉冲输出等特点。内置信号源信号经过成形电路后,形成具有一定脉宽的快脉冲信号作为驱动信号,驱动信号上升时间tr<10 ns,下降时间tf<10 ns,其脉冲宽度分5档可调。该脉冲信号通过驱动电路控制输出电流开关,最大输出脉冲电流为800 mA,控制LED在额定功率下工作。该驱动电路最多可同时驱动六个大功率LED光源工作,目前已用于我所中子墙探测器阵列探测单元的初步刻度与测试。 展开更多
关键词 快脉冲 大功率 LED光源 驱动电路
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建立快脉冲硬X射线标准场的展望 被引量:3
17
作者 全林 屠荆 +5 位作者 樊亚军 苏春磊 刘月恒 袁建新 江新标 朱广宁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期239-242,共4页
提出了用研制的可重复频率快脉冲硬X射线源建立标准场的设想。对该辐射源的结构、特性以及现已取得的实验参数进行了描述,阐述了目前存在的技术难题,并对这些问题提出了解决方案。最后,对该辐射场的应用前景进行了展望。
关键词 快脉冲 重复频率硬X射线 标准场 展望
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微波波谱技术和应用 被引量:3
18
作者 唐守渊 夏之宁 +1 位作者 付钰洁 勾茜 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1060-1069,共10页
微波波谱法具有研究分子系统的结构、构象平衡、分子间相互作用、分子内部运动等物理化学动力学过程的能力。本文综述了微波波谱技术的进展。对微波吸收波谱仪、脉冲喷嘴傅里叶变换微波波谱仪、线性脉冲傅里叶变换微波波谱仪等技术进展... 微波波谱法具有研究分子系统的结构、构象平衡、分子间相互作用、分子内部运动等物理化学动力学过程的能力。本文综述了微波波谱技术的进展。对微波吸收波谱仪、脉冲喷嘴傅里叶变换微波波谱仪、线性脉冲傅里叶变换微波波谱仪等技术进展进行了论述,详细介绍了脉冲喷嘴阀技术、外部场调制、微波二次共振、线性脉冲、快速扫描等技术,分析了微波谱仪在分析测试领域的发展。对微波谱仪的未来发展做了展望。 展开更多
关键词 微波波谱仪 傅里叶变换 转动光谱 超声喷射膨胀 快速扫描 线性脉冲
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一种快沿脉冲信号发生器的设计 被引量:2
19
作者 徐碧辉 李廷凯 周加谊 《电子设计工程》 2016年第18期66-68,共3页
针对目前国内外许多快沿脉冲信号发生器体积庞大、价格昂贵、可靠性差等缺点,设计了一种快沿脉冲信号发生器。采用浮地思想,上位机通过PCI总线,设置脉冲的幅度、脉冲宽度等参数,并控制FPGA输出脉冲源的原始脉冲,原始通过光电耦合器、功... 针对目前国内外许多快沿脉冲信号发生器体积庞大、价格昂贵、可靠性差等缺点,设计了一种快沿脉冲信号发生器。采用浮地思想,上位机通过PCI总线,设置脉冲的幅度、脉冲宽度等参数,并控制FPGA输出脉冲源的原始脉冲,原始通过光电耦合器、功率管驱动芯片等硬件调理电路调理后,驱动功率MOSFET的栅极,让其迅速打开,形成所需的快沿脉冲信号。测试结果证明,该快沿脉冲发生器具有体积小、成本低、可靠性高等特点,并且可实现对脉冲信号的幅度、脉冲宽度的调节。 展开更多
关键词 光电隔离耦合 浮地 快沿脉冲 脉冲信号发生器
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多重快信号甄别方法与电路 被引量:1
20
作者 苏弘 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期108-109,93,共3页
提出了超高速多重快甄别器电路系统 ,并简要介绍了该系统的电路结构与电路设计。它主要用于快时间信号的甄别 ,是为多重核探测器实验系统设计研制的 ,可以完成多重核探测器系统中核反应事件的判选和符合关系的识别。
关键词 多重快信号 甄别方法 甄别器电路 脉冲信号 多重核探测器
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