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题名基于对差分结构的320 GHz三倍频器
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作者
张筱健
蒋均
田遥岭
杨昊
何月
李若雪
刘戈
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机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
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出处
《强激光与粒子束》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第8期63-69,共7页
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基金
国家重点研发计划项目(2023YFB3207800)
中国工程物理研究院院长基金项目(YZJJZC2022001)。
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文摘
结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,实现了一种基于对差分结构的320 GHz三倍频器,相比于传统的平衡式和非平衡式电路,这种结构可以在降低工艺复杂度的同时使电路的功率容量增加一倍,更好地满足现代通信系统对大功率太赫兹频率源的需求。为了提高电路在高耗散功率下的仿真精度,使用符号定义器件在电路仿真软件中建立起新型的电-热自适应模型,最后按照场路结合的迭代方式完成整体电路设计。测试结果表明设计的三倍频器在123~200 mW的驱动功率下可以实现最高8.8%的转换效率,最大输出功率为17.27 mW;在305~384 mW的驱动功率下可以实现最高7.2%的转换效率,最大输出功率为27.33 mW,为高功率太赫兹器件的高效设计提供了有益借鉴。
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关键词
对差分结构
三倍频器
太赫兹
功率容量
肖特基二极管
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Keywords
face to face differential structure
frequency tripler
THz
power capability
Schottky diode
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分类号
TN771
[电子电信—电路与系统]
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