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135Hz极低频电磁场对Hep G-2细胞生长及凋亡的影响 被引量:3
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作者 黄小军 杨家骥 +6 位作者 王春梅 黄晓峰 李珍 曹云新 于华 王爽 陈丹 《第四军医大学学报》 北大核心 2005年第24期2258-2260,共3页
目的观察135Hz极低频电磁场(ELF)照射对HepG-2细胞生长及凋亡的影响.方法用MTT比色法、流式细胞仪,检测经135Hz ELF照射6,12,24h后相应时间点细胞的活性、细胞周期、凋亡细胞的比例,并用扫描电镜以及透射电镜观察细胞超微结构变化.结果... 目的观察135Hz极低频电磁场(ELF)照射对HepG-2细胞生长及凋亡的影响.方法用MTT比色法、流式细胞仪,检测经135Hz ELF照射6,12,24h后相应时间点细胞的活性、细胞周期、凋亡细胞的比例,并用扫描电镜以及透射电镜观察细胞超微结构变化.结果ELF磁场暴露后,与相应对照组相比其A值均下降(P<0.01),细胞活性随照射时间延长而下降(P<0.01);使Hep G-2细胞G1期阻滞,凋亡率随照射时间延长逐渐增高.扫描电镜以及透射电镜观察到实验组细胞几种特殊的形态学特征凋亡细胞收缩,出泡,质膜及细胞器保持完整.染色质浓缩于核膜,最后,细胞解离成凋亡小体.结论135Hz的ELF照射抑制Hep G-2细胞生长并促进其凋亡. 展开更多
关键词 极低频电磁场 细胞凋亡 HEP G-2细胞
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