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用于制备微纳米玻璃结构的加工工艺
被引量：
1
1
作者
权雪玲
刘民
+4 位作者
付学成
黄胜利
凌天宇
瞿敏妮
程秀兰
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022年第3期272-277,共6页
玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一。随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越高。将现在普遍使用的半导体微纳加工工艺进行择优组合用于玻璃加工,并针对电感耦合等离子体反应离子刻蚀...
玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一。随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越高。将现在普遍使用的半导体微纳加工工艺进行择优组合用于玻璃加工,并针对电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺参数,对比采用不同刻蚀气体组合工艺后的刻蚀结构形貌、刻蚀速率以及玻璃基材与常用刻蚀掩膜材料的刻蚀选择比,并进行了优化实验。采用优化的玻璃制备工艺,可使刻蚀速率达到约710 nm/min,最终获得高质量的玻璃微纳结构,其粗糙度降低到40 nm以下,侧壁垂直度接近90°。这些优化的工艺可广泛应用于相关精密控制玻璃结构的加工与制备。
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关键词
玻璃基材
微纳加工
干法刻蚀
电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)
刻蚀选择比
下载PDF
职称材料
FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化
被引量：
1
2
作者
李国荣
张洁
+5 位作者
赵馗
耿振华
曹思盛
刘志强
刘身健
张兴
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第9期691-695,共5页
由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布...
由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。
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关键词
等离子体刻蚀
鳍型场效应晶体管(FinFET)
偏置射频频率
离子能量分布(IED)
刻蚀选择比
离子损伤
下载PDF
职称材料
TFT工艺中的反应性离子刻蚀
被引量：
1
3
作者
柳江虹
袁剑峰
+2 位作者
杨柏梁
梁庆成
马凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1999年第1期29-33,共5页
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。
关键词
反应性
离子刻蚀
选择比
FTF器件
薄膜半导体
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职称材料
纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究
被引量：
1
4
作者
李悦
田大宇
+2 位作者
李静
刘鹏
戴晓涛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第6期413-416,共4页
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳...
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。
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关键词
ICP刻蚀系统
刻蚀速率
选择比
刻蚀形貌
电子束光刻
纳米尺度多晶硅线条
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职称材料
题名
用于制备微纳米玻璃结构的加工工艺
被引量：
1
1
作者
权雪玲
刘民
付学成
黄胜利
凌天宇
瞿敏妮
程秀兰
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022年第3期272-277,共6页
基金
2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)
上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJA2018-003)
上海交通大学实验室创新研究课题资助项目(16SJ-007)。
文摘
玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一。随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越高。将现在普遍使用的半导体微纳加工工艺进行择优组合用于玻璃加工,并针对电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺参数,对比采用不同刻蚀气体组合工艺后的刻蚀结构形貌、刻蚀速率以及玻璃基材与常用刻蚀掩膜材料的刻蚀选择比,并进行了优化实验。采用优化的玻璃制备工艺,可使刻蚀速率达到约710 nm/min,最终获得高质量的玻璃微纳结构,其粗糙度降低到40 nm以下,侧壁垂直度接近90°。这些优化的工艺可广泛应用于相关精密控制玻璃结构的加工与制备。
关键词
玻璃基材
微纳加工
干法刻蚀
电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)
刻蚀选择比
Keywords
glass
substrate
nano/microfabrication
dry
etching
inductively
coupled
plasmareactive
ion
etching
(ICP-RIE)
etching
selectivity
ratio
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化
被引量：
1
2
作者
李国荣
张洁
赵馗
耿振华
曹思盛
刘志强
刘身健
张兴
机构
北京大学软件与微电子学院
中微半导体设备(上海)股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第9期691-695,共5页
文摘
由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。
关键词
等离子体刻蚀
鳍型场效应晶体管(FinFET)
偏置射频频率
离子能量分布(IED)
刻蚀选择比
离子损伤
Keywords
plasma
etching
FinFET
bias
RF
frequency
ion
energy
distribution(IED)
etching
selectivity
ratio
ion
damage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TP273 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
TFT工艺中的反应性离子刻蚀
被引量：
1
3
作者
柳江虹
袁剑峰
杨柏梁
梁庆成
马凯
机构
中国科学院长春物理研究所
北方液晶工程研究开发中心
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1999年第1期29-33,共5页
基金
中国科学院"九五"重大项目
文摘
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。
关键词
反应性
离子刻蚀
选择比
FTF器件
薄膜半导体
Keywords
reactive
ion
etching
selectivity
-
ratio
TFT
device
分类号
TN405.982 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究
被引量：
1
4
作者
李悦
田大宇
李静
刘鹏
戴晓涛
机构
北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第6期413-416,共4页
文摘
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。
关键词
ICP刻蚀系统
刻蚀速率
选择比
刻蚀形貌
电子束光刻
纳米尺度多晶硅线条
Keywords
ICP
etching
system；
etching
rate；
select
ive
ratio
；
etching
profile；
electron
beam
lithography（EBL）；
nanometer
scale
poly
silicon
line
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于制备微纳米玻璃结构的加工工艺
权雪玲
刘民
付学成
黄胜利
凌天宇
瞿敏妮
程秀兰
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
2
FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化
李国荣
张洁
赵馗
耿振华
曹思盛
刘志强
刘身健
张兴
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
3
TFT工艺中的反应性离子刻蚀
柳江虹
袁剑峰
杨柏梁
梁庆成
马凯
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1999
1
下载PDF
职称材料
4
纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究
李悦
田大宇
李静
刘鹏
戴晓涛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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