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100nm超浅结制作工艺研究 被引量：1
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作者 王学毅 徐岚 唐绍根 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期177-179,184,共4页
在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。
关键词 超浅结 快速热退火 离子注入 沟道效应 瞬态增强扩散效应
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