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多晶硅吸杂效能的研究 被引量：5
1
作者 闵靖 陈一 +4 位作者 宗祥福 李积和 姚保纲 陈青松 周志美 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期293-298,共6页
用透射电镜（ＴＥＭ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力。研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸杂；二是即使多晶硅在工艺流程中耗尽，在衬底中产生的层错和位错会继续起着... 用透射电镜（ＴＥＭ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力。研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸杂；二是即使多晶硅在工艺流程中耗尽，在衬底中产生的层错和位错会继续起着吸杂作用。 展开更多
关键词 多晶硅吸杂 增强吸杂 氧沉淀 洁净层
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淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究 被引量：3
2
作者 闵靖 邹子英 +3 位作者 李积和 陈青松 周子美 陈一 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第4期401-404,共4页
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用。本文提... 在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。多晶硅能促进硅片内的氧沉淀成核和生长,起内吸杂作用。本文提出了多晶硅持续吸杂的机理。 展开更多
关键词 多晶硅吸杂 内吸杂 增强吸杂 氧沉淀 氧化层错 洁净层
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硅外延片中的杂质控制 被引量：13
3
作者 朱丽娜 闵靖 《上海有色金属》 CAS 2003年第1期32-38,共7页
有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度,决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂... 有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度,决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害,防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。 展开更多
关键词 外扩散 自掺杂 滞留层 S坑缺陷 增强吸杂外延
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