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内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件
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作者 陈泓全 齐钊 +2 位作者 王卓 赵菲 乔明 《电子与封装》 2024年第7期75-79,共5页
针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延... 针对传统可控硅(SCR)器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题,提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V增大到10.3 V。与传统结构相比,该新型SCR结构体内存在2条电流路径,通过嵌入的NPN电流路径延缓了器件中寄生PNP管的开启过程,抑制了SCR结构里NPN管与PNP管的正反馈过程,使得SCR电流路径在电流较大时才能完全开启,从而达到提高维持电压的目的。基于半导体器件仿真软件,模拟了器件在直流下的电学特性,分析其工作机理并讨论了关键器件参数对其电学特性的影响。 展开更多
关键词 内嵌npn结构 静电放电 维持电压 SCR
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