电子级多晶硅生产技术探讨 被引量：6

1

作者 胥五一 危胜 《广州化工》 CAS 2014年第7期20-22,共3页

介绍了目前国内外电子级多晶硅生产技术的发展状况,重点说明了改良西门子法电子级多晶生产技术原理及其工艺流程,主要包括:氢气制备及纯化、氯化氢合成、低压氯化(三氯氢硅合成)、低温氢化(四氯化硅转化)、精馏、CVD还原、尾气回收和后... 介绍了目前国内外电子级多晶硅生产技术的发展状况,重点说明了改良西门子法电子级多晶生产技术原理及其工艺流程,主要包括:氢气制备及纯化、氯化氢合成、低压氯化(三氯氢硅合成)、低温氢化(四氯化硅转化)、精馏、CVD还原、尾气回收和后处理等工序。结合电子级多晶硅生产技术的成功工程应用实践,介绍了电子级多晶硅项目的技术特点。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 半导体级多晶硅 生产技术 改良西门子法

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电子级多晶硅生产技术 被引量：5

2

作者 苟海龙 《化工设计通讯》 CAS 2019年第4期172-173,共2页

电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨... 电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨。以全球发展技术状况的阐述作为基础,充分探讨了当前能够获得高质量、高纯度电子级多晶硅的相应生产技术。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 高纯硅制品 生产技术

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基于PolySim电子级多晶硅还原炉三维数值模拟 被引量：5

3

作者 李有斌 张胜涛 +4 位作者 何银凤 梁世民 韩金豆 付昊 赵丽丽 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第1期144-148,共5页

利用Poly Sim软件建立了国内电子级多晶硅9对棒现役还原炉的三维模型,对还原炉内部的流动、传热进行了数值模拟,得到还原炉内部流场、温场以及硅棒表面温度的分布情况,指出硅棒桥接附近气体流速较小、气体温度及硅棒表面温度过高是该区... 利用Poly Sim软件建立了国内电子级多晶硅9对棒现役还原炉的三维模型,对还原炉内部的流动、传热进行了数值模拟,得到还原炉内部流场、温场以及硅棒表面温度的分布情况,指出硅棒桥接附近气体流速较小、气体温度及硅棒表面温度过高是该区域沉积不均匀的主要原因。和实际生产结果对比表明,模拟计算数据的误差不超过5%。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 化学气相沉积 数值模拟 气体循环

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改良西门子法生产电子级多晶硅质量影响因素分析 被引量：5

4

作者 杨紫琪 《世界有色金属》 2015年第10期64-65,共2页

随着改良西门子法生产多晶硅工艺技术的日趋成熟,提高多晶硅产品的质量,增强市场竞争力成为多晶硅企业生存与发展面临的重大课题。本文对制约电子级多晶硅质量的几类因素进行分析,为生产高质量多晶硅提供参考。

关键词 改良西门子法 电子级多晶硅 质量

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电子级多晶硅金属杂质来源探讨 被引量：5

5

作者 高召帅 于跃 +2 位作者 谢世鹏 厉忠海 王培 《山东化工》 CAS 2018年第20期102-103,105,共3页

电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源... 电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 金属杂质 来源

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电子级多晶硅制备过程中质量影响因素分析 被引量：5

6

作者 陈辉 张征 +5 位作者 万烨 孙强 张晓伟 张邦洁 王浩 裴蕾 《中国有色冶金》 CAS 2019年第6期49-51,70,共4页

电子级多晶硅是微电子行业、信息产业和新能源产业的基础性材料,目前,全球电子级高纯多晶硅总产能约31000 t,我国高品质多晶硅仍然需要大量进口。电子级多晶硅产品质量控制要求非常严格,目前生产工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分... 电子级多晶硅是微电子行业、信息产业和新能源产业的基础性材料,目前,全球电子级高纯多晶硅总产能约31000 t,我国高品质多晶硅仍然需要大量进口。电子级多晶硅产品质量控制要求非常严格,目前生产工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分解法两种,全球90%以上的多晶硅企业采用三氯氢硅氢还原工艺生产,国内也多采用此工艺生产电子级多晶硅。本文针对三氯氢硅氢还原工艺对影响多晶硅质量的因素进行了阐述,包括三氯氢硅、氢气纯度,物料管线纯度,CVD炉材质,备品备件选取,硅棒后处理装置,设备维护保养等,以期为电子级高纯多晶硅的生产和后处理过程提供参考。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 制备 三氯氢硅氢还原法 影响因素

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集成电路用电子级多晶硅大规模产业化技术实践 被引量：3

7

作者 吴锋 《山东化工》 CAS 2022年第1期181-183,共3页

国内高端电子级多晶硅长期被国外垄断,理论研究和产业化实现都与国外存在差距,严重威胁了集成电路行业的安全发展。江苏鑫华半导体通过在超痕量杂质提纯技术、非接触硅料精制技术等瓶颈问题的突破,成功构建了5000 t/a电子级多晶硅生产体... 国内高端电子级多晶硅长期被国外垄断,理论研究和产业化实现都与国外存在差距,严重威胁了集成电路行业的安全发展。江苏鑫华半导体通过在超痕量杂质提纯技术、非接触硅料精制技术等瓶颈问题的突破,成功构建了5000 t/a电子级多晶硅生产体系,在高等级硅料产品实现、新工艺体系构建、高效产品评价等方面填补国内空白,达到了国际领军企业的同等水平。本文通过分析客户质量需求,深入认识了硅料产品关键参数指标,指出了制约高端电子级多晶硅的技术瓶颈和解决思路。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 集成电路 大规模产业化

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电子级多晶硅生产中硅芯杂质的来源 被引量：3

8

作者 张才刚 俞朝 +2 位作者 陈叮琳 李宏盼 李有斌 《化工管理》 2020年第31期73-74,共2页

硅芯在制造过程中和在还原炉初期沉积过程中不同程度受到杂质的污染,本论文针对硅棒生长过程中硅芯部位杂质来源,从石墨部件、惰性气体、硅芯制备工艺、洁净操作等各个环节的杂质污染情况着手试验研究,找到电子级多晶硅硅芯杂质的主要... 硅芯在制造过程中和在还原炉初期沉积过程中不同程度受到杂质的污染,本论文针对硅棒生长过程中硅芯部位杂质来源,从石墨部件、惰性气体、硅芯制备工艺、洁净操作等各个环节的杂质污染情况着手试验研究,找到电子级多晶硅硅芯杂质的主要来源。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 硅芯 杂质

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电子级多晶硅生产技术分析 被引量：3

9

作者 张洪斌 闫涛 +1 位作者 李鹏飞 贾雪鹤 《化工设计通讯》 CAS 2022年第4期75-77,80,共4页

电子级多晶硅是电子工业生产中的重要内容,在现代工业生产中的应用比较广泛。电子级多晶硅生产企业需要加强对产品质量的保障,提升工业生产效率,优化生产工艺。从我国当前电子级多晶硅生产技术开展情况来看仍然存在很多的不足,需要进一... 电子级多晶硅是电子工业生产中的重要内容,在现代工业生产中的应用比较广泛。电子级多晶硅生产企业需要加强对产品质量的保障,提升工业生产效率,优化生产工艺。从我国当前电子级多晶硅生产技术开展情况来看仍然存在很多的不足,需要进一步对电子级多晶硅的生产技术进行改良,促进我国电子工业的稳定发展,提升工业生产效率。主要对电子级多晶硅生产技术的生产现状、影响因素以及发展策略等进行分析。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 生产技术 因素 发展策略

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电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅去除工艺研究 被引量：2

10

作者 李有斌 俞朝 +1 位作者 陈叮琳 张才刚 《化工设计通讯》 CAS 2021年第1期38-39,共2页

对电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅产生原因进行分析,从还原炉工艺优化调整、尾气回收系统过滤除尘方面研究相对应无定型硅的去除工艺,可以有效降低无定型硅含量,进一步提高循环氢气质量,有助于提升电子级多晶硅产品质量。

关键词 电子级多晶硅 无定型硅 过滤器

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电子级多晶硅生产尾气中无定型硅的产生原因及预防措施 被引量：2

11

作者 陈叮琳 张才刚 +1 位作者 李有斌 俞朝 《化工管理》 2020年第34期78-79,共2页

文章通过分析SiHCl3氢还原与尾气回收工艺过程,寻找伴生无定型硅生成的客观原因;根据无定型硅少产生、早拦截的原则,提出电子级多晶硅生产中无定型硅的预防措施,可以有效减少无定型硅的产生,提高气相沉积过程循环氢气纯度,进而提升电子... 文章通过分析SiHCl3氢还原与尾气回收工艺过程,寻找伴生无定型硅生成的客观原因;根据无定型硅少产生、早拦截的原则,提出电子级多晶硅生产中无定型硅的预防措施,可以有效减少无定型硅的产生,提高气相沉积过程循环氢气纯度,进而提升电子级多晶硅产品质量。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 无定型硅 预防措施

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电子级多晶硅化学清洗表面氢氧终端性能研究 被引量：1

12

作者 于跃 厉忠海 +2 位作者 李春松 高召帅 吴锋 《新型工业化》 2019年第10期59-62,共4页

电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定。此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法。本文主要从电子级多晶硅清洗后表面... 电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定。此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法。本文主要从电子级多晶硅清洗后表面呈现的氢终端与氧终端进行研究,测试了两种终端对其表面形态的影响,结果表明:以氢终端为主的电子级多晶硅表面粗糙度较大,而氧终端为主的电子级多晶硅表面吸附有机碳含量低于氢终端。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 化学清洗 氢氧终端

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深能级瞬态谱检测电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量的研究应用

13

作者 支云云 薛心禄 +1 位作者 王志强 岳玉芳 《当代化工研究》 2023年第1期57-59,共3页

本文研究用深能级瞬态谱(DLTS)分析电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量,首先采用传统电容深能级变温测试方法,通过测试发现没有有效结果,接着对测试方法进行改进,采用光生深能级测试方式进行测试,测试结果表明在整个变温范围内瞬态曲线符... 本文研究用深能级瞬态谱(DLTS)分析电子级多晶硅中的痕量Zn元素含量,首先采用传统电容深能级变温测试方法,通过测试发现没有有效结果,接着对测试方法进行改进,采用光生深能级测试方式进行测试,测试结果表明在整个变温范围内瞬态曲线符合测试预期。虽然整体变温结果仍然无法进行有效数据拟合,但从测试结果表明,测试条件在137K时,发现有一相对较强特征峰,根据该峰对应的瞬态测试曲线推定是Zn元素产生的,浓度约在2×1014cm-3。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 电子级多晶硅 痕量Zn元素

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数值建模在电子级多晶硅制备中的应用

14

作者 马启坤 赵桂洁 +2 位作者 宋东明 陈丽娟 张健雄 《云南冶金》 2019年第3期65-69,共5页

利用化工模拟软件建立还原炉数值模型,通过还原炉炉内在各种条件下的温度场、流场模拟测试,得出最佳的运行工艺参数,形成完整的还原运行曲线。经实践检验,利用模拟工具得出的运行参数有利于电子级多晶硅的制备,建模工作在电子级多晶硅... 利用化工模拟软件建立还原炉数值模型,通过还原炉炉内在各种条件下的温度场、流场模拟测试,得出最佳的运行工艺参数,形成完整的还原运行曲线。经实践检验,利用模拟工具得出的运行参数有利于电子级多晶硅的制备,建模工作在电子级多晶硅的生产上取得了很好的效果。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 还原炉 数值建模 还原运行曲线

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电子级多晶硅行业对FAE能力需求的研究

15

作者 神干 《科技创新导报》 2021年第5期40-44,共5页

电子级多晶硅行业在半导体行业中有其特殊性,产品是集成电路用主要原材料,对材料的稳定性要求极高,但是国内外合格供方较少,尤其是国内企业在产品应用端经验不足,而FA E在产品推广及客户交流中起到重要作用,但对FAE人才的能力需求研究较... 电子级多晶硅行业在半导体行业中有其特殊性,产品是集成电路用主要原材料,对材料的稳定性要求极高,但是国内外合格供方较少,尤其是国内企业在产品应用端经验不足,而FA E在产品推广及客户交流中起到重要作用,但对FAE人才的能力需求研究较少,本文通过分析电子级多晶硅行业特点及FAE能力需求,提出特定FAE的能力需求,并给出人才来源和内部建设的方案。 展开更多

关键词 FAE 电子级多晶硅 能力需求 技术支持工程师

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电子级多晶硅副产综合利用

16

作者 王少帅 魏富增 +1 位作者 王俊华 师文苏 《中国集成电路》 2024年第11期31-35,共5页

随着国内数字经济的蓬勃发展,使我国集成电路产业方面面临更高的技术要求,电子级多晶硅作为集成电路的上游端,生产高质量的芯片用电子级多晶硅是未来行业的主流,而在生产过程中产生的副产物(二氯二氢硅、六氯乙硅烷、氯化氢、氢气、四... 随着国内数字经济的蓬勃发展,使我国集成电路产业方面面临更高的技术要求,电子级多晶硅作为集成电路的上游端,生产高质量的芯片用电子级多晶硅是未来行业的主流,而在生产过程中产生的副产物(二氯二氢硅、六氯乙硅烷、氯化氢、氢气、四氯化硅),作为电子特气具有很高的利用价值,是集成电路、显示面板、半导体照明、光伏等行业制造过程中不可或缺的关键性材料,是集成电路制造的第二大制造材料[1]。本文对副产电子特气及其分离的主要工艺进行了分析,同时对其分类、提纯及用途作了阐述。 展开更多

关键词 芯片用电子级多晶硅 电子特气 副产物

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