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SrAl_2O_4:Eu^(2+)的长余辉发光特性的研究 被引量:83
1
作者 唐明道 李长宽 +3 位作者 高志武 许少鸿 蒋雪茵 蔡锟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期51-56,共6页
本文研究了SrAl2O4:Eu2+材料的发光及长余辉特性.首次得到了这一材料的发光衰减由初始的快衰减和后期的慢衰减过程所组成,以及热释发光光谱出现两个热释发光峰值的实验结果.对所得结果进行了分析讨论,提出了这一材料的... 本文研究了SrAl2O4:Eu2+材料的发光及长余辉特性.首次得到了这一材料的发光衰减由初始的快衰减和后期的慢衰减过程所组成,以及热释发光光谱出现两个热释发光峰值的实验结果.对所得结果进行了分析讨论,提出了这一材料的发光衰减是由两个足够深的电子陷阱所引起. 展开更多
关键词 发光衰减 SrAlO 长余辉 发光 特性
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氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析 被引量:23
2
作者 陈新岗 李凡 桑建平 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期33-37,共5页
为从微观层面上解析ZnO压敏陶瓷MOV的宏观伏安特性,根据电镜和深能级瞬态谱(DLTS)的观测结果,结合试验实测几种规格MOV小电流和大电流下的试验数据,建立ZnO在小电流区和大电流区的微观集中参数等效电路模型,然后依据晶界势垒、电子陷阱... 为从微观层面上解析ZnO压敏陶瓷MOV的宏观伏安特性,根据电镜和深能级瞬态谱(DLTS)的观测结果,结合试验实测几种规格MOV小电流和大电流下的试验数据,建立ZnO在小电流区和大电流区的微观集中参数等效电路模型,然后依据晶界势垒、电子陷阱等理论,微观解析了各区的导电特性。结果表明:随着外施电压的增加,电子的穿透能力不断增强,使ZnO在小电流区晶界层的非线性微观等效电阻不断增大,它与纯ZnO晶粒层的线性电阻共同作用使ZnO小电流区伏安特性呈现出3个不同的特性宏观区域即预击穿区、击穿区和回升区;随着外施瞬态冲击大电流幅值的加大,ZnO在大电流区微观等效电感值增加,使ZnO大电流区伏安特性宏观呈现缓慢上升区、快速上升区和迅速上翘区;晶界层厚度的不均匀性和晶界层中电子陷阱密度的差异性宏观表现为等效电阻的非线性变化,晶界层和纯ZnO晶粒层在小电流区和大电流区具有不同的微观作用机理使得ZnO压敏陶瓷在不同电流区呈现出不同的独特宏观伏安特性。 展开更多
关键词 ZNO压敏陶瓷 电镜 深能级瞬态电容谱 晶界势垒 电子陷阱 伏安特性 微观解析
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蓝色荧光粉的退化机理 被引量:8
3
作者 贾正根 金锐 《光电子技术》 CAS 2000年第1期69-74,共6页
PDP中的蓝色荧光粉是BAM单相和Ba-β氧化铝的混合作。蓝色荧光粉的退化主要是位移氧附近的深能态电子陷阱。这种电子陷阱增加了非辐射发射,退化了发光强度维持系数。用大量的小离子像Sr2+、Eu2+来代替Ba2+离子,可以使发光亮度维持系... PDP中的蓝色荧光粉是BAM单相和Ba-β氧化铝的混合作。蓝色荧光粉的退化主要是位移氧附近的深能态电子陷阱。这种电子陷阱增加了非辐射发射,退化了发光强度维持系数。用大量的小离子像Sr2+、Eu2+来代替Ba2+离子,可以使发光亮度维持系数显著改进。 展开更多
关键词 蓝色荧光粉 电子陷阱 退化机理
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真空、直流电压的电子辐射环境中聚酰亚胺材料的沿面闪络特性 被引量:15
4
作者 张振军 苗军 +3 位作者 王学强 吴文斌 杨沛 郑晓泉 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期117-123,共7页
为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明,当辐射电子能量在0.5~20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐... 为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明,当辐射电子能量在0.5~20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压;电子能量越高,介质表面正电荷密度和相对介电常数越小,陷阱深度增大,表面电场均衡性有所提高,因此闪络电压越高;在辐射电子能量不变情况下,束流密度越大,初始电子数越多,泄漏电流越大,则闪络电压越低。 展开更多
关键词 电子辐射 沿面闪络 电子能量 束流密度 降解 陷阱
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SrS:Eu与SrS:Eu,Sm中电子陷阱与光存储研究 被引量:10
5
作者 何志毅 王永生 +1 位作者 孙力 徐叙瑢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期1377-1382,共6页
对SrS :Eu和SrS :Eu ,Sm激发初始阶段的荧光上升过程和余辉进行了研究 ,并进一步考证其中电子陷阱的属性 .通过两种样品和两个阶段的比较 ,对陷阱数量和深度的变化、量子效率以及电子俘获和释放、复合过程进行了分析 ,发现Sm离子并不影... 对SrS :Eu和SrS :Eu ,Sm激发初始阶段的荧光上升过程和余辉进行了研究 ,并进一步考证其中电子陷阱的属性 .通过两种样品和两个阶段的比较 ,对陷阱数量和深度的变化、量子效率以及电子俘获和释放、复合过程进行了分析 ,发现Sm离子并不影响陷阱的数量 .利用吸收光谱方法研究了SrS :Eu ,Sm中电子由陷阱能级向导带的跃迁 .通过陷阱饱和 倒空吸收谱差 ,即激励吸收谱及其强度随Eu ,Sm浓度的变化 ,探讨了掺杂浓度对陷阱浓度和光存储饱和量的影响 .结果表明Sm离子的作用是使陷阱能级加深从而能稳定地储存电子 .通过激励吸收谱峰值强度可确切地比较光存储材料在这方面的性能 ,并与光激励谱的测量方法作了对照 . 展开更多
关键词 电子陷阱 光存储 电子俘获 光存储材料
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快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究 被引量:11
6
作者 陈蒲生 杨光有 刘百勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期465-469,共5页
本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密... 本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。 展开更多
关键词 SIO2膜 热氮化 电子陷阱 电子注入
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高亮度慢衰减夜光粉的研制 被引量:5
7
作者 张新 翟玉春 吴顺亭 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1998年第2期109-112,共4页
在研究SrAl2O4:Eu2+夜光粉的基础上,选出了适合的添加剂,有效地提高了该夜光粉的发光亮度,延长了余辉时间,并得到了发光衰减符合I=ct-n(n=0.634)的余辉衰减曲线.报道了BaAl2O4:Eu2+蓝绿色... 在研究SrAl2O4:Eu2+夜光粉的基础上,选出了适合的添加剂,有效地提高了该夜光粉的发光亮度,延长了余辉时间,并得到了发光衰减符合I=ct-n(n=0.634)的余辉衰减曲线.报道了BaAl2O4:Eu2+蓝绿色夜光粉的制备及其余辉性能指标.在石墨坩埚的保护下合成了铝酸盐夜光粉,其性能与氢气还原得到的夜光粉接近. 展开更多
关键词 长余辉发光 发光衰减 电子跃迁 电子陷阱 夜光粉
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The influence of trapping centres on the photoelectron decay in silver halide 被引量:7
8
作者 李晓苇 张荣香 +3 位作者 刘荣鹃 杨少鹏 韩理 傅广生 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第3期624-630,共7页
Photoelectron is the foundation of latent image formation, the decay process of photoelectrons is influenced by all kinds of trapping centres in silver halide. By analysing the mechanism of latent image formation it i... Photoelectron is the foundation of latent image formation, the decay process of photoelectrons is influenced by all kinds of trapping centres in silver halide. By analysing the mechanism of latent image formation it is found that electron trap, hole trap, and one kind of recombination centre where free electron and trapped hole recombine are the main trapping centres in silver halide. Different trapping centres have different influences on the photoelectron behaviour. The effects of all kinds of typical trapping centres on the decay of photoelectrons are systematically investigated by solving the photoelectron decay kinetic equations. The results are in agreement with those obtained in the microwave absorption dielectric spectrum experiment. 展开更多
关键词 silver halide electron trap recombination centre hole trap
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YAP晶体变色现象的研究 被引量:7
9
作者 李涛 赵广军 +2 位作者 何晓明 徐军 潘守夔 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期456-459,共4页
YAlO3(YAP)晶体具有优良的物理和化学性能 ,在许多方面都有广泛的应用前景。我们在对闪烁晶体Ce∶YAP的研究过程中 ,发现了YAP晶体的变色现象。本文利用晶体透过谱对其颜色的变化进行了研究。不同的退火气氛及不同的掺杂成份对晶体颜色... YAlO3(YAP)晶体具有优良的物理和化学性能 ,在许多方面都有广泛的应用前景。我们在对闪烁晶体Ce∶YAP的研究过程中 ,发现了YAP晶体的变色现象。本文利用晶体透过谱对其颜色的变化进行了研究。不同的退火气氛及不同的掺杂成份对晶体颜色有较大影响 ,H2 气氛退火或掺杂Ce元素使晶体颜色变浅 ,而在空气中退火或掺杂Yb元素则使晶体颜色加深。针对这一变色现象 ,我们认为是在晶体生长过程由于电荷补偿的需要而产生的O-心的吸收作用导致的。不同的O-心浓度其吸收作用不同 ,从而使晶体在 40 0nm附近的透过率发生变化。采用这一模型可以对晶体颜色的变化及不同退火条件和掺杂元素的影响作出合理的解释。 展开更多
关键词 YAP晶体 变色现象 研究 透过谱 退火 掺杂 氧空位 电子陷阱
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短脉冲激光尾流场中的前向Raman散射 被引量:6
10
作者 徐涵 常文蔚 卓红斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期135-139,共5页
用 2 12 维粒子模拟分析了前向Raman散射对激光尾流场加速电子的影响 .前向Raman散射使脉冲长度在传播方向上被拉长 ,脉冲后沿变陡 ,产生的尾流场相速度明显减小 ,而且超热电子的最大动能明显小于理论估计值 .此外激光频率整体向低频移动 .
关键词 短脉冲激光 尾流场 前向Raman散射 有质动力 电子捕获 粒子模拟 等离子体
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快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究 被引量:6
11
作者 王永顺 熊大菁 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期627-634,共8页
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1... 本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co^(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。 展开更多
关键词 SIO2膜 热氮化 电子陷阱 击穿时间
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用陷阱参数作为聚合物电老化特性参数的试验研究 被引量:7
12
作者 王新生 屠德民 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期7-14,共8页
本文以高分子聚丙烯薄膜材料为试样,在真空与均匀电场中进行加速电老化试验。试验结果表明,试样的老化场强与老化时间呈指数关系。在电老化过程中,用红外光谱分析了试样的内在化学结构变化,用电子顺磁共振测量了老化生成的自由基,用光... 本文以高分子聚丙烯薄膜材料为试样,在真空与均匀电场中进行加速电老化试验。试验结果表明,试样的老化场强与老化时间呈指数关系。在电老化过程中,用红外光谱分析了试样的内在化学结构变化,用电子顺磁共振测量了老化生成的自由基,用光电导谱和表面电位的测量技术测量了陷阱深度与陷阱密度的变化。试样在电老化过程中,短分子链随时间而增加,陷阱的深度与密度也随时间而增长,都与电老化寿命的经验公式有类似的形式。通过讨论电老化的化学过程,提出陷阱参数可以作为表征材料电老化特性的新参数。本文的结论将为建立新的电老化理论提供了试验依据,并为非损伤性电老化试验创造了前景。 展开更多
关键词 聚丙烯 电老化 化学结构 电子陷阱
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大电流冲击后ZnO压敏电阻交流老化特性的分析 被引量:7
13
作者 陈璞阳 李祥超 +2 位作者 周中山 叶挺 陈则煌 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2014年第4期43-48,54,共7页
针对ZnO压敏电阻经受多次8/20雷电流冲击后交流老化特性变化的问题,通过对ZnO压敏电阻老化机理的理论分析,并对ZnO压敏电阻样品进行不同次数的冲击老化实验后再进行交流老化实验测量其静态参数的变化,发现适当次数的大电流冲击会增强Zn... 针对ZnO压敏电阻经受多次8/20雷电流冲击后交流老化特性变化的问题,通过对ZnO压敏电阻老化机理的理论分析,并对ZnO压敏电阻样品进行不同次数的冲击老化实验后再进行交流老化实验测量其静态参数的变化,发现适当次数的大电流冲击会增强ZnO压敏电阻的交流耐受能力;ZnO压敏电阻的U1 mA和U0.1 mA在交流老化过程中呈现小幅上升、缓慢下降、快速减小的趋势,非线性系数则呈现持续缓慢降低而后快速下降的趋势;根据实验结果,得出电子陷阱及离子迁移是交流老化初始和中期的主要老化机理,而热破坏在老化末期起主要作用。 展开更多
关键词 ZNO压敏电阻 冲击老化 交流老化 电子陷阱 离子迁移 热破坏
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The role of Sm ions in optical storage of SrS: Eu,Sm 被引量:4
14
作者 何志毅 王永生 +2 位作者 孙力 侯延冰 徐叙■ 《Science China Mathematics》 SCIE 2001年第9期1189-1196,共8页
The optical absorption spectra of infrared stimulable phosphor SrS:Eu, Sm in the saturat-ed and bleached states of optical storage were investigated. The valence and number of Sm3+ ions were examined via the Sm3+ 4f-4... The optical absorption spectra of infrared stimulable phosphor SrS:Eu, Sm in the saturat-ed and bleached states of optical storage were investigated. The valence and number of Sm3+ ions were examined via the Sm3+ 4f-4f absorption in near-infrared region. It was found that the broad band absorption corresponding to the transition for electrons stimulated from the traps to the conduction band is decreased at the wavelengths of Sm3+ absorption lines. The dependence of optical storage on Sm concentration was measured. A new trapping mechanism in SrS: Eu, Sm was presented based on our experimental results and the role of Sm ions was identified. 展开更多
关键词 electron capturing electron trap optical storage samarium.
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电子陷阱对卤化银微晶感光过程的影响 被引量:4
15
作者 耿爱丛 韩理 +2 位作者 傅广生 李晓苇 陆晓东 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期396-399,414,共5页
根据成核 -生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用 ,着重于介绍如何优化电子陷阱密度和深度来降低复合以及成核点数目 ,从而达到提高潜影形成效率的目的 .
关键词 感光过程 电子陷阱 卤化银微晶 束缚电子 空穴陷阱 感化材料 潜影形成效率
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两种铽配合物与PVK混合体系的发光机理研究 被引量:4
16
作者 徐颖 邓振波 +2 位作者 徐登辉 肖静 王瑞芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期812-815,共4页
研究了稀土配合物Tb(p-MBA)3phen(样品Ⅰ)和Tb(p-ClBA)3phen(样品Ⅱ)与导电聚合物材料PVK掺杂体系的光致发光和电致发光特性。发现在样品Ⅰ与PVK混合薄膜的光致发光中,除了三价铽离子的发光外,还能看到明显的PVK的发光;而在电致发光中,... 研究了稀土配合物Tb(p-MBA)3phen(样品Ⅰ)和Tb(p-ClBA)3phen(样品Ⅱ)与导电聚合物材料PVK掺杂体系的光致发光和电致发光特性。发现在样品Ⅰ与PVK混合薄膜的光致发光中,除了三价铽离子的发光外,还能看到明显的PVK的发光;而在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,只能看到Tb3+的绿光发射。对样品Ⅱ与PVK的混合发光层,无论其光致发光谱还是电致发光谱,都没有看到410nm处PVK的发射。进一步测量两种材料的激发光谱,初步探讨了器件的发光机理。样品Ⅰ的发光可能来源于两个方面,一是PVK到稀土配合物的不完全的能量传递,二是由于载流子俘获机理;样品Ⅱ的发光则是由于PVK到稀土配合物的完全的能量传递。 展开更多
关键词 稀土配合物 电致发光 激子 能量传递 电子陷阱
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浮栅技术及其应用 被引量:3
17
作者 张家龙 何怡刚 《现代电子技术》 2004年第24期8-10,共3页
介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。
关键词 浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 浮栅MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压
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外电场下硅橡胶分子微观参数对陷阱形成及沿面放电的影响 被引量:5
18
作者 李亚莎 夏宇 +2 位作者 胡豁然 刘清东 李光竹 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期839-847,共9页
强电场下的沿面放电现象主要是由电子引起,它与固体介质内部形成的陷阱紧密相关。采用密度泛函理论,从原子分子层面探讨了甲基乙烯基硅橡胶在外电场下的结构、前线轨道能级、激发态等参数对陷阱的形成以及沿面放电的影响。结果显示,甲... 强电场下的沿面放电现象主要是由电子引起,它与固体介质内部形成的陷阱紧密相关。采用密度泛函理论,从原子分子层面探讨了甲基乙烯基硅橡胶在外电场下的结构、前线轨道能级、激发态等参数对陷阱的形成以及沿面放电的影响。结果显示,甲基乙烯基硅橡胶分子的最低未占据轨道与原子电荷布居反映出分子中乙烯基区域逐渐演变为电子陷阱,且随电场的增加陷阱逐渐加深;乙烯基区域的亲电活性使陷阱捕获的电子相对较活泼,在沿面放电过程中,该区域积聚的电子由于活性较强会促进电子崩的发展;甲基乙烯基硅橡胶分子的激发能下降,使分子内部的电子变得容易被激发,其中乙烯基区域是主要激发区域,该处电子在激发后的反激励过程中会发出光子,容易造成表面气体分子的空间光电离;分子中部分Si—O键与C—H键的键级随外电场增加逐渐降低,分子易出现断键产生自由基,而自由基与气体分子电离后产生的自由电子,二者容易转为等离子体从而导致电子崩的发生。 展开更多
关键词 密度泛函理论 外电场 电子输运 陷阱 沿面放电
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陷阱理论在聚丙烯电老化试验中的证实 被引量:4
19
作者 王新生 屠德民 杨会中 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期43-48,56,共7页
以聚丙烯薄膜为试样,在真空中进行了工频电老化试验.在电老化过程中,同时测量试样的剩余击穿场强和表面电位增量,并在不同电压下测量了寿命时间.实验发现在广泛的电压范围内,在双对数坐标上,试样的寿命曲线,剩余击穿场强和表面电位增量... 以聚丙烯薄膜为试样,在真空中进行了工频电老化试验.在电老化过程中,同时测量试样的剩余击穿场强和表面电位增量,并在不同电压下测量了寿命时间.实验发现在广泛的电压范围内,在双对数坐标上,试样的寿命曲线,剩余击穿场强和表面电位增量都是折线,且具有相关性.证实了陷阱在介质击穿过程中的决定性作用和寿命的理论公式中幂指数随电场强度范围的不同而变化的理论预言. 不管电老化电压如何,试样的击穿都发生在陷阱密度、自由基和微孔密度达到一定值,证实了陷阱理论中以陷阱达到临界值作为试样击穿条件的立论是正确的. 展开更多
关键词 聚丙烯 老化 电子陷阱 陷阱理论
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S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响 被引量:4
20
作者 李晓苇 李新政 +4 位作者 江晓利 于威 田晓东 杨少鹏 傅广生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期2019-2023,共5页
利用微波吸收相敏检测技术 ,对AgBrI T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测 ,结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同 ;S +Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱... 利用微波吸收相敏检测技术 ,对AgBrI T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测 ,结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同 ;S +Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变 .根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系 ,获得了S 展开更多
关键词 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱 一级衰减曲线 S+Au增感
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