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不同营养液浓度对温室黄瓜叶片光合特性的影响 被引量:35
1
作者 倪纪恒 毛罕平 马万征 《农业工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期277-281,共5页
为了探究不同电导率(electrical conductivity,EC)的营养液对温室黄瓜叶片光合特性的影响,该文于2009年10月至2010年7月在江苏大学Venlo型温室中进行试验,采用4种EC值的营养液浇灌黄瓜,对4种EC值条件下温室黄瓜叶片的光合速率、叶绿素... 为了探究不同电导率(electrical conductivity,EC)的营养液对温室黄瓜叶片光合特性的影响,该文于2009年10月至2010年7月在江苏大学Venlo型温室中进行试验,采用4种EC值的营养液浇灌黄瓜,对4种EC值条件下温室黄瓜叶片的光合速率、叶绿素荧光、叶绿素含量及产量进行了测定,并对EC对黄瓜叶片叶绿素仪读数、光合速率和最大电子传递速率的影响及其之间的关系进行了分析。研究结果表明,营养液的电导率值对温室黄瓜下部叶片的叶绿素仪读数值、最大光合速率、光能初始利用率和电子传递速率有较大的影响,中部叶、上部叶片的叶绿素仪读数值、最大光合速率、光能初始利用率、电子传递速率和产量在不同处理间无论是秋冬茬还是早春茬均表现为:营养液的电导率为2.5dS/m和营养液的电导率为2.2dS/m差异不显著,但显著大于营养液的电导率为1.5dS/m和营养液的电导率为0.036dS/m;构建了最大光合速率与叶片叶绿素仪读数值、光能初始利用率与叶片叶绿素仪读数值的关系模型;光合速率与电子传递速率之间呈幂指数函数关系。该研究为通过叶片光合速率进行营养液管理提供了理论依据。 展开更多
关键词 温室 电导率 电子传递特性 营养液 光合速率 黄瓜
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有限长双壁碳纳米管的电子输运性质 被引量:8
2
作者 陈将伟 杨林峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2183-2187,共5页
基于Landauer公式 ,研究了有限长的非公度和公度双壁碳纳米管的电子输运性顾 ,结果表明 ,双壁管的几何结构对其电子输运性质有显著的影响 :非公度的双壁碳管的电导随能量的不同 ,既可以是弹道型的 ,也可以是非弹道型的 ;由armchair管组... 基于Landauer公式 ,研究了有限长的非公度和公度双壁碳纳米管的电子输运性顾 ,结果表明 ,双壁管的几何结构对其电子输运性质有显著的影响 :非公度的双壁碳管的电导随能量的不同 ,既可以是弹道型的 ,也可以是非弹道型的 ;由armchair管组成的公度的双壁碳管的电导随能量变化呈现快速的电导振荡 ,并且此快速振荡叠加在背景慢振荡上 ,而zigzag管组成的公度双壁管的电导随能量变化只有快速振荡、没有规则的慢振荡背景 . 展开更多
关键词 碳纳米管 电子输运性质 Landauer公式 几何结构 电导振荡
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微通道板电子透射膜及其粒子透过特性的研究 被引量:7
3
作者 端木庆铎 姜德龙 +5 位作者 田景全 李野 高延军 王国政 吴奎 富丽晨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期904-907,共4页
 文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特...  文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题. 展开更多
关键词 微通道板 电子透射膜 免污染成膜工艺 死电压 离子透过率
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高纯金属酞菁的制备及其对TiO_2光催化性能的影响研究 被引量:5
4
作者 袁慧 赵高凌 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期580-582,共3页
通过简易的溶液沉淀分离方法制得了纯度>97%的高纯金属酞菁的二甲基亚砜(DMSO)溶液。应用制得产物对TiO2 薄膜进行敏化,发现经酞菁铁(FePc)、酞菁钴(CoPc)、双核酞菁钴铁(CoFePc)敏化的TiO2 薄膜的光催化性能分别较未经敏化的TiO2薄... 通过简易的溶液沉淀分离方法制得了纯度>97%的高纯金属酞菁的二甲基亚砜(DMSO)溶液。应用制得产物对TiO2 薄膜进行敏化,发现经酞菁铁(FePc)、酞菁钴(CoPc)、双核酞菁钴铁(CoFePc)敏化的TiO2 薄膜的光催化性能分别较未经敏化的TiO2薄膜提高67.3%、63.0%、16.1%,并通过一系列的对比实验解释了双核酞菁钴铁催化效率低于前两者的原因,为后继利用酞菁敏化TiO2 及其它光催化材料提供借鉴。 展开更多
关键词 金属酞菁 提纯 二氧化钛 光催化性能
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直流空心阴极放电中鞘层区电子的输运过程 被引量:5
5
作者 魏合林 刘祖黎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期950-957,共8页
采用蒙特-卡洛方法对空心阴极放电中鞘层区电子的输运过程进行了研究,电子在鞘层区被非均匀电场加速,两次碰撞之间的步长是由电子与中性粒子的碰撞频率确定。模型中三种碰撞截面积是由实验和理论数据拟合而来。研究了电子平均能量、... 采用蒙特-卡洛方法对空心阴极放电中鞘层区电子的输运过程进行了研究,电子在鞘层区被非均匀电场加速,两次碰撞之间的步长是由电子与中性粒子的碰撞频率确定。模型中三种碰撞截面积是由实验和理论数据拟合而来。研究了电子平均能量、电子密度和电离系数在径向的分布。电子能量的空间分布结果与实验很好地符合。 展开更多
关键词 空心阴极 放电 电子 输运过程
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4层圆盘锥形磁绝缘传输线的等效电路模型 被引量:6
6
作者 宋盛义 王文斗 +3 位作者 曹文彬 林其文 冯晓晖 孙承纬 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期800-804,共5页
根据磁绝缘特征将PBFAZ加速器的 4层圆盘锥形磁绝缘传输线结构分成几段串联的集中电感 ,结合磁绝缘临界电流、空间电荷限制流、Mendel磁压力平衡及丝阵内爆动力学等计算模型 ,并引入主要的结构参数 ,建立 4层圆盘锥形磁绝缘传输线的等... 根据磁绝缘特征将PBFAZ加速器的 4层圆盘锥形磁绝缘传输线结构分成几段串联的集中电感 ,结合磁绝缘临界电流、空间电荷限制流、Mendel磁压力平衡及丝阵内爆动力学等计算模型 ,并引入主要的结构参数 ,建立 4层圆盘锥形磁绝缘传输线的等效电路模型 ,模型计算结果与实验结果、其它模型计算结果符合较好 。 展开更多
关键词 磁绝缘传输线 等效电路模型 空间电荷流
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吐昔烯衍生物分子的电荷传输性质 被引量:4
7
作者 蹇磊 谭英雄 +1 位作者 李权 赵可清 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期132-137,共6页
根据爱因斯坦方程和Marcus电荷传输模型,使用密度泛函理论B3lyp/6-31g**理论水平计算6个吐昔烯衍生物分子的结构和电荷传输性质.结果显示:6个吐昔烯的衍生物分子的空穴迁移速率为0.018—0.062 cm2·V 1·s 1,电子迁移率为0.055... 根据爱因斯坦方程和Marcus电荷传输模型,使用密度泛函理论B3lyp/6-31g**理论水平计算6个吐昔烯衍生物分子的结构和电荷传输性质.结果显示:6个吐昔烯的衍生物分子的空穴迁移速率为0.018—0.062 cm2·V 1·s 1,电子迁移率为0.055—0.070 cm2·V 1·s 1,其中3,8,13-辛烷氧基吐昔烯衍生物分子适合作为双极性传输材料.三条烷氧基链的吐昔烯衍生物分子上引入三个甲氧基或羟基,均使空穴和电子传输率降低.引入给电子基团或共轭性基团可减小吐昔烯衍生物分子的能隙,达到有机半导体的能隙要求. 展开更多
关键词 吐昔烯衍生物 空穴传输 电子传输 有机半导体
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强激光等离子体中自由电子的经典行为 被引量:5
8
作者 郭奇志 沈文达 朱莳通 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期210-215,共6页
通过严格求解广义协变的电子运动方程,讨论了强激光等离子体中自由电子的经典行为.利用数值模拟,得到了自洽激光等离子体电磁场中自由电子运动的轨迹,并与平面波电磁场中自由电子的运动进行了比级.
关键词 强激光等离子体 自由电子 经典行为
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石墨烯/碳纳米管三维结构的电子输运特性 被引量:4
9
作者 娄利飞 潘青彪 +1 位作者 张军琴 周晓乐 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期85-89,共5页
根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构... 根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构的透射图谱和电子态密度谱线进行了仿真分析.研究结果可为基于碳纳米材料三维互连线结构的相关研究提供参考. 展开更多
关键词 石墨烯 碳纳米管 三维互连线 电子输运特性
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直接驱动柱内爆流体力学不稳定性数值模拟 被引量:4
10
作者 吴俊峰 叶文华 张维岩 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期373-376,共4页
给出了LARED S程序对直接驱动柱内爆流体力学不稳定性模拟的物理方程,介绍了一种直接驱动柱内爆靶的结构,给出了模拟中使用活动网格追踪和其他一些需要注意的问题。对OMEGA激光器直接驱动柱内爆实验物理模型进行了简化处理:使用理想气... 给出了LARED S程序对直接驱动柱内爆流体力学不稳定性模拟的物理方程,介绍了一种直接驱动柱内爆靶的结构,给出了模拟中使用活动网格追踪和其他一些需要注意的问题。对OMEGA激光器直接驱动柱内爆实验物理模型进行了简化处理:使用理想气体状态方程,假设烧蚀层、标识层和内部填充材料为同一介质,只在密度上有差别;采用全电离和单温近似,在内爆过程中仅考虑热传导过程而忽略辐射和非局域电子热传导等过程的影响。模拟结果表明:LARED S程序与LASNEX程序的计算结果基本上符合。 展开更多
关键词 流体力学不稳定性 直接驱动柱内爆 FCT算法 高精度格式
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电纺AZO NWs电子传输层提高钙钛矿太阳电池性能的研究 被引量:4
11
作者 王晓春 孙钦军 +3 位作者 高利岩 翟艳玉 李丽娟 郝玉英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期369-374,共6页
研究通过静电纺丝技术制备不同掺铝比例的氧化锌纳米线(AZO NWs),并将其作为电子传输层来提高钙钛矿太阳电池效率。首先使用静电纺丝和煅烧工艺制备出表面光滑连续、形貌均匀、长径比达~10^(5)的AZO NWs,然后将AZO NWs作为电子传输层应... 研究通过静电纺丝技术制备不同掺铝比例的氧化锌纳米线(AZO NWs),并将其作为电子传输层来提高钙钛矿太阳电池效率。首先使用静电纺丝和煅烧工艺制备出表面光滑连续、形貌均匀、长径比达~10^(5)的AZO NWs,然后将AZO NWs作为电子传输层应用于钙钛矿太阳电池。与单层SnO_(2)电子传输层的电池相比,加入AZO NWs后可有效提高电池的短路电流(J_(sc))和填充因子(FF)。实验发现,掺Al为2%(摩尔分数)时得到的器件最优效率(PCE)可达到18.41%,比单层SnO_(2)电子传输层器件提高了13.21%。器件性能提高的主要原因是掺Al后增加了传输层的电子浓度,同时纳米线增加了电子传输层与活性层的接触界面,提高了导电性和传输能力。 展开更多
关键词 太阳电池 钙钛矿 电子传输特性 静电纺丝 纳米线
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Thermochemical Nonequilibrium 2D Modeling of Nitrogen Inductively Coupled Plasma Flow 被引量:2
12
作者 YU Minghao Yusuke TAKAHASHI +4 位作者 Hisashi KIHARA Ken-ichi ABE Kazuhiko YAMADA Takashi ABE Satoshi MIYATANI 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期749-760,共12页
Two-dimensional(2D) numerical simulations of thermochemical nonequilibrium inductively coupled plasma(ICP) flows inside a 10-kW inductively coupled plasma wind tunnel(ICPWT) were carried out with nitrogen as the... Two-dimensional(2D) numerical simulations of thermochemical nonequilibrium inductively coupled plasma(ICP) flows inside a 10-kW inductively coupled plasma wind tunnel(ICPWT) were carried out with nitrogen as the working gas.Compressible axisymmetric NavierStokes(N-S) equations coupled with magnetic vector potential equations were solved.A fourtemperature model including an improved electron-vibration relaxation time was used to model the internal energy exchange between electron and heavy particles.The third-order accuracy electron transport properties(3rd AETP) were applied to the simulations.A hybrid chemical kinetic model was adopted to model the chemical nonequilibrium process.The flow characteristics such as thermal nonequilibrium,inductive discharge,effects of Lorentz force were made clear through the present study.It was clarified that the thermal nonequilibrium model played an important role in properly predicting the temperature field.The prediction accuracy can be improved by applying the 3rd AETP to the simulation for this ICPWT. 展开更多
关键词 inductively coupled plasma NONEQUILIBRIUM electron transport properties magnetic vector potential
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联苯醌类电子传输材料的制备 被引量:3
13
作者 侯薇 李祥高 +1 位作者 王世荣 夏丹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期273-275,共3页
联苯醌类化合物是性能良好的电子传输材料。本文以 2,6 二取代苯酚为原料,通过高锰酸钾氧化偶联合成了电子传输材料 3,3′,5,5′ 四特丁基 4,4′ 联苯醌和3,3′,5,5′ 四甲基 4,4′ 联苯醌,收率分别达92.93%和89.83%,经HPLC检测纯度 99... 联苯醌类化合物是性能良好的电子传输材料。本文以 2,6 二取代苯酚为原料,通过高锰酸钾氧化偶联合成了电子传输材料 3,3′,5,5′ 四特丁基 4,4′ 联苯醌和3,3′,5,5′ 四甲基 4,4′ 联苯醌,收率分别达92.93%和89.83%,经HPLC检测纯度 99%以上。讨论了反应溶剂、氧化剂用量、反应温度等条件对反应的影响,确定了最佳反应条件。并通过紫外吸收光谱、红外吸收光谱、质谱、高效液相色谱以及元素分析对产物的组成和结构进行了鉴定。 展开更多
关键词 电子传输材料 联苯醌 氧化 组成
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基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性 被引量:2
14
作者 王小羊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第7期28-30,共3页
采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5-25 nm时,其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果... 采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5-25 nm时,其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明:当Lg≥15 nm时,MOS-CNTFET没有量子尺寸效应;当Lg〈15 nm时,器件出现短沟道效应;Lg〈10 nm时短沟道效应更加明显。 展开更多
关键词 碳纳米管 场效应晶体管 量子输运模型 电子输运特性 沟道长度 NEGF
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Measurement of Electron Swarm Parameters in Nitrous Oxide 被引量:1
15
作者 邓云坤 肖登明 +1 位作者 李学文 高小飞 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第5期425-428,共4页
This study has measured the density-normalized effective ionization coefficients (α-η)/N, the electron drift velocity V e and the diffusion coefficient D L in nitrous oxide (N_2O) using a pulsed Townsend techniq... This study has measured the density-normalized effective ionization coefficients (α-η)/N, the electron drift velocity V e and the diffusion coefficient D L in nitrous oxide (N_2O) using a pulsed Townsend technique. The range of the overall density-normalized electric field strength E/N is from 100 Td to 400 Td (1 Td=10 17 V·cm2). From the above plots of (α-η)/N, we have derived the limiting field strength, (E/N) lim ≈ 150 Td, which is the value of E/N at which (α-η)/N=0. 展开更多
关键词 Townsend discharges electron collisions transport properties N2O
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Efficiency enhancement of fluorescent blue organic light-emitting diodes using doped hole transport and emissive layers
16
作者 Nam Ho Kim You-Hyun Kim +4 位作者 Ju-An Yoon Seung Ⅱ Yoo Kok Wai Cheah Furong Zhu Woo Young Kim 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第4期86-90,共5页
The electroluminescent characteristics of blue organic light-emitting diodes (BOLEDs) fabricated with doped charge carrier transport layers are analyzed. The fluorescent blue dopant BCzVBi is doped in an emissive la... The electroluminescent characteristics of blue organic light-emitting diodes (BOLEDs) fabricated with doped charge carrier transport layers are analyzed. The fluorescent blue dopant BCzVBi is doped in an emissive layer, hole transport layer (HTL) and electron transport layer (ETL), respectively, to optimize the probability of ex- citon generation in the BOLEDs. The luminance and luminous efficiency of BOLEDs made with BCzVBi-doped HTL and ETL increase by 22% and 17% from 11,683 cd/m2 at 8.5 V and 6.08 cd/A at 4.0 V to 14,264 cd/m2 at 8.5 V and 7.13 cd/A at 4.0 V while CIE coordinates of (0.15, 0.15) of both types of BOLEDs remained unchanged. The electron mobility of BCzVBi is estimated to be 1.02 × 10-5 cm2/Vs by TOF. 展开更多
关键词 Carrier transport Doping (additives) Efficiency electron transport properties Fluorescence Hole mobility Light emission Light emitting diodes
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The size effect on transport properties of colossal magnetoresistance materials La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3
17
作者 LI PeiGang1,2,LEI Ming1,2,GUO YanFeng2,GUO Xi2,CHEN LeiMing2, TANG WeiHua1,2,SONG PengYun3 & CHEN JinPing3 1 Department of Physics,Center for Optoelectronics Materials and Devices,Zhejiang Sci-Tech University,Hangzhou 310018,China 2 National Laboratory for Condensed Matter Physics,Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China 3 Department of Physics,Peking University,Beijing 100875,China 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2008年第3期251-257,共7页
High quality La0.67Ca0.33MnO3 (LCMO) film was deposited via a novel pulsed electron deposition technique on SrTiO3(100) single crystal substrate. The micro-bridge with different widths was fabricated by using electron... High quality La0.67Ca0.33MnO3 (LCMO) film was deposited via a novel pulsed electron deposition technique on SrTiO3(100) single crystal substrate. The micro-bridge with different widths was fabricated by using electron beam lithography (EBL) technique and their transport properties were studied. For the micro-bridges with width of 2 and 1.5 μm,the insulator-to-metal transition temperature (TP) keeps un-changed compared with the film. For the micro-bridges with width of 1 μm,the TP shifts towards the lower temperature by 50 K. When the width decreases down to 500 nm,the insulator-to-metal transition disappears. The magnetoresistance be-havior of these micro-bridges was studied,and the results show that the low field magnetoresistance (LFMR) decreases and the high field magnetoresistances (HFMR) keep almost unchanged as the width of micro-bridge is reduced. 展开更多
关键词 colossal MAGNETORESISTANCE PULSED electron deposition electron beam LITHOGRAPHY electrical transport properties
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具有空心阴极放电特征的射频放电的两电子组模型 被引量:1
18
作者 余建华 赖建军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1049-1053,共5页
 运用两电子组模型,考虑了射频放电中的α过程和γ过程两种电离机制,并结合流体模型,研究了中等气压下窄电极间隙容性耦合射频放电在运行模式转变区的等离子体密度以及电离速率分布等特性。理论研究表明,γ电离过程在高电流模式运行中...  运用两电子组模型,考虑了射频放电中的α过程和γ过程两种电离机制,并结合流体模型,研究了中等气压下窄电极间隙容性耦合射频放电在运行模式转变区的等离子体密度以及电离速率分布等特性。理论研究表明,γ电离过程在高电流模式运行中起主要作用,并证实了此类放电中存在显著的电子摆钟效应,具有类似于空心阴极放电的特征。 展开更多
关键词 射频放电 空心阴极放电 两电子组模型
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准—维NbSe_3单晶的制备及其输运特性 被引量:2
19
作者 王洪涛 郑毅 +1 位作者 陈学枝 许祝安 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期247-252,共6页
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe_3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系。在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe_3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷。NbSe_3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe_3样品分别在T_(ρ1)=1... 用气相输运法制备了准一维结构的NbSe_3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系。在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe_3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷。NbSe_3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe_3样品分别在T_(ρ1)=145 K和T_(ρ2)=57 K 经历两次 Peierls相变、剩余电阻比 RRR高于 200。根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度n_i的方法是一个错误,并提出了改进措施。 展开更多
关键词 材料科学基础学科 PEIERLS相变 NbSe3单品 剩余电阻比 电荷密度波 杂质浓度
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金属纳米线弯曲形状引起的量子电导相干振荡(英文) 被引量:2
20
作者 杨谋 周光辉 史小川 《湖南师范大学自然科学学报》 EI CAS 北大核心 2002年第4期38-41,共4页
利用自由电子模型和散射矩阵方法,研究两端直中间部分呈圆弧形弯曲的金属纳米线电导的量子相干振荡.发现低温下系统的电导在完全直金属纳米线电导常数下振荡,它起源于金属纳米线形状引起电子横向模式间的混合导致传导电子相干,这种效应... 利用自由电子模型和散射矩阵方法,研究两端直中间部分呈圆弧形弯曲的金属纳米线电导的量子相干振荡.发现低温下系统的电导在完全直金属纳米线电导常数下振荡,它起源于金属纳米线形状引起电子横向模式间的混合导致传导电子相干,这种效应在未来纳米电路工程设计中可能有重要应用价值. 展开更多
关键词 金属纳米线 弯曲形状 量子电导相干振荡 散射矩阵 自由电子模型 传导电子相干
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