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正电子湮没符合多普勒展宽技术的材料学研究进展
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作者 叶凤娇 张鹏 +4 位作者 张红强 况鹏 于润升 王宝义 曹兴忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期62-81,共20页
正电子湮没技术是研究材料微观结构的一种原子尺度表征方法,通过分析正电子湮没行为可以得到湮没位点处局域电子密度和原子结构信息.近年来,正电子湮没谱学技术已经发展成为优于常规手段的特色表征技术,其中符合多普勒展宽技术在研究缺... 正电子湮没技术是研究材料微观结构的一种原子尺度表征方法,通过分析正电子湮没行为可以得到湮没位点处局域电子密度和原子结构信息.近年来,正电子湮没谱学技术已经发展成为优于常规手段的特色表征技术,其中符合多普勒展宽技术在研究缺陷附近的电子和原子结构方面具有独特优势,商谱曲线中高动量区域形状的变化反映了正电子湮没位点周围的元素信息.在常规符合多普勒展宽技术发展基础上,能量可调的慢正电子束流符合多普勒展宽技术在获取表面微观结构的深度分布信息上展示出独特的作用,同时也弥补了常规符合多普勒展宽技术只能表征体材料中缺陷环境的不足.本文结合国内外相关进展,综述了符合多普勒展宽技术在各类材料中的研究进展:1)合金中空位型缺陷和纳米沉淀的演化行为;2)半导体中晶格空位与杂质原子的相互作用;3)氧化物中氧空位和金属阳离子浓度的变化.除此之外,在聚合物中自由体积孔洞的大小、数量及分布的估算表征领域中,符合多普勒展宽技术也逐步得到应用. 展开更多
关键词 符合多普勒 电子动量 元素分布 微观缺陷
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Orbital responses to methyl sites in C_nH_(2n+2) (n=1-6)
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作者 Yang Ze-Jin Cheng Xin-Lu +1 位作者 Zhu Zhen-He Yang Xiang-Dong 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第2期16-22,共7页
Orbital responses to methyl sites in CnH2n+2 (n = 1-6) are studied by B3LYP/TZVP based on the most stable geometries using the B3LYP/aug-cc-pVTZ method. Vertical ionization energies are produced using the SAOP/et-p... Orbital responses to methyl sites in CnH2n+2 (n = 1-6) are studied by B3LYP/TZVP based on the most stable geometries using the B3LYP/aug-cc-pVTZ method. Vertical ionization energies are produced using the SAOP/et-pVQZ model for the complete valence space. The highest occupied molecular orbital (HOMO) investigations indicate the p- electron profiles in methane, ethane, propane, and n-butane. By increasing the number of carbon-carbon bonds in lower momentum regions, the s, p-hybridized orbitals are built and display strong exchange and correlation interactions in lower momentum space (P 〈 0.50 a.u.). Meanwhile, the relative intensities of the isomers in lower momentum space show the strong bonding number dependence of the carbon-carbon bonds, meaning that more electrons have contributed to orbital construction. The study of representative valence orbital momentum distribution further confirms that the structural changes lead to evident electronic rearrangement over the whole valence space. An analysis based on the isomers reveals that the valence orbitals are isomer-dependent and the valence ionization energy experiences an apparent shift in the inner valence space. However, such shifts are greatly reduced in the outer valence space. Meanwhile, the opposite energy shift trend is found in the intermediate valence space. 展开更多
关键词 electron momentum spectroscopy valence ionization energy charge density distribution
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脯氨酸分子构象的双空间分析 被引量:1
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作者 王克栋 王晨琛 +1 位作者 单旭 陈向军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期807-812,共6页
本文主要讨论了脯氨酸分子最稳定的四种构象的束缚能谱和轨道电子动量分布.计算出的几何构型和偶极矩等分子特征与以前的实验和理论计算结果均很好的符合.双空间分析就是用基于B3LYP/TZVP密度泛函计算出的位置空间来研究其束缚能谱,用... 本文主要讨论了脯氨酸分子最稳定的四种构象的束缚能谱和轨道电子动量分布.计算出的几何构型和偶极矩等分子特征与以前的实验和理论计算结果均很好的符合.双空间分析就是用基于B3LYP/TZVP密度泛函计算出的位置空间来研究其束缚能谱,用基于平面波近似下的动量空间来研究其价壳层轨道电子动量分布,并从构象之间的转换来解释不同构象轨道(HOMO:31a,NHOMO:30a和HOMO-2:29a)波函数差异. 展开更多
关键词 脯氨酸 构象 电子动量分布 偶极矩
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类氢离子的相对论康普顿轮廓(英文) 被引量:1
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作者 万建杰 《原子核物理评论》 CSCD 北大核心 2017年第2期242-251,共10页
基于中心场近似得到Dirac径向轨道,并使用恰当的Fourier变换系统计算了类氢离子电子动量分布和康普顿轮廓。以H原子和Xe^(53+)离子为例,探讨了相对论效应和原子核的有限体积效应对单电子康普顿轮廓的影响。同时,详细研究了单电子康普顿... 基于中心场近似得到Dirac径向轨道,并使用恰当的Fourier变换系统计算了类氢离子电子动量分布和康普顿轮廓。以H原子和Xe^(53+)离子为例,探讨了相对论效应和原子核的有限体积效应对单电子康普顿轮廓的影响。同时,详细研究了单电子康普顿轮廓对主量子数n、轨道量子数l、单电子总角动量量子数j和核电荷数Z的依赖关系。结果表明,相对论效应可以扩展康普顿轮廓的分布,并且使给定nl的轨道随着Z的增加分裂得越来越明显。然而,相对论效应也会随着主量子数n和轨道量子数l的增加而减弱。同时,对于nlj轨道,其康普顿轮廓还具有n-l个平台的结构。另外,原子核的有限体积几乎不会影响H原子和Xe^(53+)离子的康普顿轮廓。 展开更多
关键词 康普顿轮廓 相对论效应 电子动量分布 类氢离子
原文传递
CF_3 Cl,CF_2 Cl_2和CFCl_3分子外价壳层轨道特性的电子动量谱学研究 被引量:1
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作者 周丽霞 燕友果 陈向军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-14,共8页
通过比较相同电子成分轨道的实验和DFT-B3LYP/6-311+G*理论的电子动量分布,系统研究了CF_3Cl,CF_2Cl_2和CFCl_3分子外价壳层的轨道特性.研究结果表明CF_3Cl,CF_2Cl_2和CFCl_3分子的Cl(3p)孤对电子轨道随着Cl原子个数增多,分子内相互作... 通过比较相同电子成分轨道的实验和DFT-B3LYP/6-311+G*理论的电子动量分布,系统研究了CF_3Cl,CF_2Cl_2和CFCl_3分子外价壳层的轨道特性.研究结果表明CF_3Cl,CF_2Cl_2和CFCl_3分子的Cl(3p)孤对电子轨道随着Cl原子个数增多,分子内相互作用逐渐增强,Cl原子3p轨道电子动量分布的特征逐渐淹没;F孤对电子轨道和的电子动量分布在高动量区出现了一个弱结构,且随Cl原子个数增多和F原子个数减少逐渐消失,这可能是由于部分轨道C_Clσ键电子成分的贡献;除3a_1 轨道外,C-F成键轨道和的理论的电子动量分布均在低动量端低于实验结果,可能是由于"d-like"轨道低动量端的扭曲波效应;3a_1轨道理论的电子动量分布均在0.3a.u.<p<0.8a.u.范围内低于实验结果,可能是由于扭曲波效应和电子关联等效应的影响. 展开更多
关键词 电子动量分布 CF3Cl CF2Cl2和CFCl3分子 系统研究 轨道特性
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CH_3Br和CH_3I分子价轨道电子动量分布的理论计算 被引量:1
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作者 单旭 陈向军 +2 位作者 陈丽清 吴兴举 徐克尊 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期315-319,共5页
基于Hartree-Fock和密度泛函理论,用几种不同水平的基组对CH3Br和CH3I分子价轨道电子动量分布进行了计算,并与Minchinton等人的实验和理论进行了比较.得到的计算结果有很大的改善,与Minchinton等人的实验符合较好.对CH3Br分子,计算结果... 基于Hartree-Fock和密度泛函理论,用几种不同水平的基组对CH3Br和CH3I分子价轨道电子动量分布进行了计算,并与Minchinton等人的实验和理论进行了比较.得到的计算结果有很大的改善,与Minchinton等人的实验符合较好.对CH3Br分子,计算结果的改善主要是使用了有极化、弥散函数的大基组.对于CH3I分子,则主要是来自考虑了相对论效应的LANL2DZ基组. 展开更多
关键词 电子动量分布 Hartree-Fock理论 密度泛函理论 基组
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生物有机分子构像分析的新探针研究
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作者 庞文宁 丁海兵 尚仁成 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期10-12,共3页
通过轨道电子密度分布研究生物有机分子构像 ,可获得区别于现有研究手段所能得到的结果。对基于 (e,2e)散射实验的电子动量谱学作为一种生物有机分子构像分析的方法进行了探讨。
关键词 (e 2e)实验 电子动量分布 构像
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圆偏光驱动的分子双电离的计算
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作者 童爱红 《湖北第二师范学院学报》 2015年第8期8-10,共3页
本文利用经典系综模型计算了圆偏场驱动的中等核间距双原子分子双电离。结果表明,双电离电子沿分子轴平行方向和垂直方向的结合动量分布都主要分布在二、四象限,表明双电离电子主要沿相反方向出射。向后分析双电离轨迹表明,这种结合电... 本文利用经典系综模型计算了圆偏场驱动的中等核间距双原子分子双电离。结果表明,双电离电子沿分子轴平行方向和垂直方向的结合动量分布都主要分布在二、四象限,表明双电离电子主要沿相反方向出射。向后分析双电离轨迹表明,这种结合电子动量分布的起源是两个电子的电离时间延迟为半周期的奇数倍。 展开更多
关键词 圆偏激光 次序双电离 结合电子动量分布
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Ar(3p)的电子动量谱学研究
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作者 樊晓伟 周少杰 +3 位作者 黄晓民 朱维彬 郑延友 陈学俊 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期53-55,共3页
文内报告了在改进后的电子动量谱仪上所做的Ar(3p)的电子动量谱实验结果。
关键词 电子动量谱 分离能谱 氩原子
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CH_3CN分子价壳层轨道电子动量分布的理论研究
10
作者 周丽霞 燕友果 刘超卓 《科学技术与工程》 2009年第14期3960-3963,3973,共5页
采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法,选用6-31G,6-311++G,6-311++G(d,p)和AUG-cc-pVTZ基组以及HF方法选用AUG-cc-pVTZ基组对CH3CN分子价壳层轨道电子动量分布进行了研究。理论计算与前人实验结果和利用Snyder和Basch波函数以及HF方法选用431... 采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法,选用6-31G,6-311++G,6-311++G(d,p)和AUG-cc-pVTZ基组以及HF方法选用AUG-cc-pVTZ基组对CH3CN分子价壳层轨道电子动量分布进行了研究。理论计算与前人实验结果和利用Snyder和Basch波函数以及HF方法选用431G基组计算得到的理论的动量分布进行了比较。总体而言,除DFT-B3LYP/631G外,采用的其它几种计算均较前人理论计算与实验结果符合更好。对外价轨道7a1,1e和6a1,轨道电子的弥散效应很明显,而轨道的极化效应不明显,且7a1和6a1轨道的电子关联效应比较显著。对内价轨道,不同基组计算结果之间差别很小,表明内价壳层轨道极化和弥散效应很弱。 展开更多
关键词 电子动量分布 理论研究 HF及DFT理论方法 基组
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正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展 被引量:4
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作者 曹兴忠 宋力刚 +3 位作者 靳硕学 张仁刚 王宝义 魏龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期25-38,共14页
正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本... 正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述. 展开更多
关键词 正电子湮没谱学 半导体材料 电子(动量、密度)分布 微观结构
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