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氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响
被引量：
3
1
作者
王晓琳
刘冰冰
+1 位作者
秦福文
王德君
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期71-77,共7页
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样...
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样品绝缘性、击穿电荷量及寿命等可靠性能均明显提高,再经过ECR氮氢混合等离子体表面处理后样品可靠性进一步提升,预计在3 MV/cm场强下平均寿命可达到10年左右。通过C-V特性测试及界面组成分析对改善样品可靠性的物理机理进行研究,发现ECR氮氢混合等离子体处理可以有效的降低界面态密度,其中氧化后退火处理很好地钝化了SiOxCy和碳团簇等界面缺陷,而表面处理使SiC表面平整化,有效降低表面态密度,抑制了界面态的产生,进而共同增强了SiC MOS电容的可靠性。
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关键词
碳化硅
可靠性
电子回旋共振等离子体
表面处理
经时击穿
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职称材料
ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究
被引量：
1
2
作者
潘鑫
马志斌
吴俊
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2013年第1期23-25,30,共4页
在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降...
在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低。实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3Pa和3×10-2Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15 T时,前者的刻蚀效果更强。
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关键词
ecr
等离子体
CVD金刚石膜
刻蚀
基片温度
工作气压
磁场位形
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职称材料
题名
氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响
被引量：
3
1
作者
王晓琳
刘冰冰
秦福文
王德君
机构
大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院
大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期71-77,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61474013)
文摘
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样品绝缘性、击穿电荷量及寿命等可靠性能均明显提高,再经过ECR氮氢混合等离子体表面处理后样品可靠性进一步提升,预计在3 MV/cm场强下平均寿命可达到10年左右。通过C-V特性测试及界面组成分析对改善样品可靠性的物理机理进行研究,发现ECR氮氢混合等离子体处理可以有效的降低界面态密度,其中氧化后退火处理很好地钝化了SiOxCy和碳团簇等界面缺陷,而表面处理使SiC表面平整化,有效降低表面态密度,抑制了界面态的产生,进而共同增强了SiC MOS电容的可靠性。
关键词
碳化硅
可靠性
电子回旋共振等离子体
表面处理
经时击穿
Keywords
SiC
reliability
electron
cyclotron
resonance
(
ecr
)
plasma
surface
pretreatment
time
dependent
dielectric
breakdown(TDDB)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究
被引量：
1
2
作者
潘鑫
马志斌
吴俊
机构
武汉工程大学材料科学与工程学院
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2013年第1期23-25,30,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10875093)
文摘
在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低。实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3Pa和3×10-2Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15 T时,前者的刻蚀效果更强。
关键词
ecr
等离子体
CVD金刚石膜
刻蚀
基片温度
工作气压
磁场位形
Keywords
electron
cyclotron
resonance
(
ecr
)
plasma
chemical
vapor
deposition(CVD)
diamond
film
etching
substrate
temperature
working
pressure
magnetic
field
configuration
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响
王晓琳
刘冰冰
秦福文
王德君
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
2
ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究
潘鑫
马志斌
吴俊
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2013
1
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职称材料
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参考文献
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