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生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性 被引量：1
1
作者 牛南辉 王怀兵 +5 位作者 刘建平 刘乃鑫 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期422-424,共3页
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱... 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降。 展开更多
关键词 InGaN/GaN多量子阱(MQW) 光致发光(PL) 电致发光(el) X射线双晶衍射(DCXRD) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
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