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Fine-grained phosphors for red-emitting mini-LEDs with high efficiency and super-luminance 被引量:2
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作者 Yu KANG Shuxing LI +4 位作者 Rundong TIAN Guangzhu LIU Haorui DONG Tianliang ZHOU Rong-Jun XIE 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第9期1383-1390,共8页
Mini-LED backlights,combining color conversion materials with blue mini-LED chips,promise traditional liquid crystal displays(LCDs)with higher luminance,better contrast,and a wider color gamut.However,as color convers... Mini-LED backlights,combining color conversion materials with blue mini-LED chips,promise traditional liquid crystal displays(LCDs)with higher luminance,better contrast,and a wider color gamut.However,as color conversion materials,quantum dots(QDs)are toxic and unstable,whereas commercially available inorganic phosphors are too big in size to combine with small mini-LED chips and also have strong size-dependence of quantum efficiency(QE)and reliability.In this work,we prepare fine-grained Sr_(2)Si_(5)N_(8):Eu^(2+)-based red phosphors with high efficiency and stability by treating commercially available phosphors with ball milling,centrifuging,and acid washing.The particle size of phosphors can be easily controlled by milling speed,and the phosphors with a size varying from 3.5 to 0.7 mm are thus obtained.The samples remain the same QE as the original ones(~80%)even when their particle size is reduced to 3.2-3.5 mm,because they contain fewer surface suspension bond defects.More importantly,SrBaSi_(5)N_(8):Eu^(2+)phosphors show a size-independent thermal quenching behavior and a zero thermal degradation.We demonstrate that red-emitting mini-LEDs can be fabricated by combining the SrBaSi_(5)N_(8):Eu^(2+)red phosphor(3.5 mm in size)with blue mini-LED chips,which show a high external quantum efficiency(EQE)of above 31%and a super-high luminance of 34.3 Mnits.It indicates that fine and high efficiency phosphors can be obtained by the proposed method in this work,and they have great potentials for use in mini-LED displays. 展开更多
关键词 Sr_(2)Si_(5)N_(8):Eu^(2+)-based phosphors particle size external quantum efficiency(eqe) thermal degradation mini-LED
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具有优异发光性能的钙钛矿量子点研究进展 被引量:7
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作者 刘翔凯 李泽华 +1 位作者 张发焕 皮孝东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期249-260,共12页
在种类繁多的量子点中,基于钙钛矿结构的量子点以其优异的发光性能,如发光效率高和发光谱线窄,受到了人们极大的关注。有机-无机杂化的CH_3NH_3PbX_3(X=Cl,Br,I)和全无机的CsPbX_3(X=Cl,Br,I)是当前重点研究的钙钛矿量子点。详细介绍了... 在种类繁多的量子点中,基于钙钛矿结构的量子点以其优异的发光性能,如发光效率高和发光谱线窄,受到了人们极大的关注。有机-无机杂化的CH_3NH_3PbX_3(X=Cl,Br,I)和全无机的CsPbX_3(X=Cl,Br,I)是当前重点研究的钙钛矿量子点。详细介绍了近几年国内外有关CH_3NH_3PbX_3(X=Cl,Br,I)和CsPbX_3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点的研究进展,着重分析了这些钙钛矿量子点的合成方法、结构特点及优异的发光性能。概述了基于以上两种钙钛矿材料的发光二极管(LED)的研究进展。最后,对钙钛矿量子点存在的不足进行了分析,认为经过不断地完善,钙钛矿量子点有可能成为下一代光电器件的核心材料。 展开更多
关键词 钙钛矿量子点 光致发光 表面钝化 发光二极管(LED) 外量子效率(eqe)
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激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的工艺研究 被引量:7
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作者 庞恒强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A02期21-29,共9页
基于PERC (Passivated emitter and rear cell)电池的工艺基础,进行了激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的研究。以现有的PERC电池制造技术路线为基础,激光掺杂制作选择性发射极。研究了经激光掺杂后,选择性发射极对方块电阻、磷... 基于PERC (Passivated emitter and rear cell)电池的工艺基础,进行了激光掺杂制作选择性发射极晶体硅PERC电池的研究。以现有的PERC电池制造技术路线为基础,激光掺杂制作选择性发射极。研究了经激光掺杂后,选择性发射极对方块电阻、磷扩散结深及表面掺杂浓度、遮光比、激光能量密度、激光脉冲重叠率的影响。利用四探针测量仪、电化学电容-电压法(ECV)、扫描电子显微镜(SEM)、WT2000(μPCD-microwave photo conductivity decay)、二次离子质谱测量仪(SIMS)、WCT120测试仪、光致发光光谱仪(PL)、光谱响应(EQE)、二次元测长仪(Two dimensional length measuring instrument)对试样依次进行了表征。研究结果表明:激光掺杂后的PERC电池在短波波段具有更高的量子效率。方块电阻主要影响了PERC电池的表面复合速率。而PERC电池的开路电压主要取决于方块电阻、激光能量密度、激光脉冲重叠率。短路电流密度主要取决于方块电阻、磷扩散结深及表面掺杂浓度、遮光比、激光能量密度、激光脉冲重叠率。 展开更多
关键词 激光掺杂 PERC电池 方块电阻 选择性发射极 外量子效率(eqe)
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整形激光掺杂制备PERC电池选择性发射极研究 被引量:5
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作者 陈红元 陈涛 +2 位作者 俞健 黄跃龙 张冠纶 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期383-388,共6页
研究整形激光掺杂制备选择性发射极(SE)对p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池的表面金字塔形貌、掺杂分布及电池性能的影响。整形激光具有能量分布均匀、对硅片损伤小等优点。通过改变激光的功率以及激光划线速度在p型单晶硅P... 研究整形激光掺杂制备选择性发射极(SE)对p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池的表面金字塔形貌、掺杂分布及电池性能的影响。整形激光具有能量分布均匀、对硅片损伤小等优点。通过改变激光的功率以及激光划线速度在p型单晶硅PERC太阳电池制备了不同掺杂分布的发射极。结合3D激光显微镜、扫描电子显微镜、EDS能谱分析、四探针方阻测试仪、电化学电容法等测试分析方法表征了样品的表面形貌、方阻变化、掺杂浓度曲线和电学性能。本文结合光斑重叠率将不同激光功率和激光划线速度采用公式统一转化为激光能量密度,从而得出制备选择性发射极的最佳激光能量密度。研究结果表明,当激光能量密度为0.97 J/cm2时,电池效率可以稳定提升0.25%以上,体现了整形激光SE技术应用于PERC电池的应用潜力。 展开更多
关键词 太阳电池 激光掺杂 选择性发射极 外量子效率(eqe) 激光能量密度 扫描电镜
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固态紫外光源的研究进展 被引量:2
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作者 韩秋漪 张善端 《中国照明电器》 2015年第2期4-10,共7页
随着半导体技术的发展,紫外(UV)LED的性能得到了很大提高,应用市场也在快速扩张。文章主要介绍近年来UV-LED芯片设计、器件封装、系统设计及应用等方面的研究进展。深紫外(DUV)LED芯片辐射效率较低,因此降低位错密度、提高芯片外量子效... 随着半导体技术的发展,紫外(UV)LED的性能得到了很大提高,应用市场也在快速扩张。文章主要介绍近年来UV-LED芯片设计、器件封装、系统设计及应用等方面的研究进展。深紫外(DUV)LED芯片辐射效率较低,因此降低位错密度、提高芯片外量子效率是当前DUV-LED亟待解决的技术问题。而DUV-LED的应用研究仍然处于原理性的探索和验证阶段,大规模应用时面临辐射效率低、功率密度低和价格高的障碍。近紫外(NUV)LED芯片的辐射效率达到30%以上,单颗功率密度较大,可实际用于各种紫外应用领域。针对各种应用需求,已有各种UV-LED的封装结构和系统被设计和开发出来,能够制作出较大功率密度的NUV-LED光源设备。而UV-LED在医疗、生物检测、杀菌消毒、光降解、光固化等领域的应用也在不断研究开发中。 展开更多
关键词 UV-LED 位错密度 外量子效率 大功率封装 紫外应用
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含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
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作者 唐龙娟 郑新和 +3 位作者 张东炎 董建荣 王辉 杨辉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期174-178,共5页
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以... 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%. 展开更多
关键词 纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率
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量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响
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作者 廖芳 莫春兰 +4 位作者 王小兰 郑畅达 全知觉 张建立 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期429-434,共6页
利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和... 利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。 展开更多
关键词 绿光LED 量子垒 生长速率 外量子效率
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