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FeNiCrAl_(0.4)Cu_(x)高熵合金实现对C—Ku波段电磁波的有效吸收 被引量:1
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作者 王硕 张蔚冉 +1 位作者 田权伟 钟玉洁 《铜业工程》 CAS 2023年第3期55-63,共9页
对吸波材料的研究,本质就是通过调整材料的成分、结构等来调控其复介电常数和复磁导率,使电磁波尽可能多地进入吸波材料内部,以增强材料对电磁波的吸收能力。采用高能球磨法制备了具有软磁性能的FeNiCrAl_(0.4)Cu_(x)(x=0.2,0.4,0.6,0.8... 对吸波材料的研究,本质就是通过调整材料的成分、结构等来调控其复介电常数和复磁导率,使电磁波尽可能多地进入吸波材料内部,以增强材料对电磁波的吸收能力。采用高能球磨法制备了具有软磁性能的FeNiCrAl_(0.4)Cu_(x)(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1.0;摩尔比)高熵合金吸波材料,球磨后的粉末呈不规则的片状结构。实验结果表明,通过调节Cu元素的含量可以提高粉末颗粒的长径比和形状相关各向异性,促进表面极化,从而改善粉末的复介电常数和复磁导率,进一步增强电磁损耗能力。随着Cu元素摩尔比从0.2增加到1.0,粉末的阻抗匹配逐渐提高,衰减系数和反射损耗也逐渐增强,当x=1.0时合金粉末拥有最高的衰减系数和最低的反射损耗-23.74 dB,厚度为2.0 mm。值得注意的是,通过调节材料的厚度,FeNiCrAl_(0.4)Cu_(x)的有效吸波带宽(反射损耗<-10 dB)几乎可以覆盖整个C—Ku(4~18 GHz)波段。本研究对实现高熵合金吸波材料宽频吸收具有重要意义。 展开更多
关键词 高熵合金 吸波材料 电磁参数 反射损耗 有效吸波带宽
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羰基铁粉的电磁波吸收性能 被引量:3
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作者 林媛 《安全与电磁兼容》 2019年第3期55-58,97,共5页
羰基铁粉作为常见的电磁波吸收涂料,其形貌和含量对电磁波吸收性能有极大影响。为掌握羰基铁粉吸波涂料的介电常数、磁导率等参数随频率的变化规律,制备并测试了不同配比的微米级片状羰基铁粉同轴环样品。测试结果表明:羰基铁粉的最佳... 羰基铁粉作为常见的电磁波吸收涂料,其形貌和含量对电磁波吸收性能有极大影响。为掌握羰基铁粉吸波涂料的介电常数、磁导率等参数随频率的变化规律,制备并测试了不同配比的微米级片状羰基铁粉同轴环样品。测试结果表明:羰基铁粉的最佳质量分数为60%~80%,样品厚度为2 mm、2.5 mm时,反射损耗-10 dB以下的有效吸收频宽分别为7.36 GHz、2.4 GHz,最大反射损耗值分别为-19.612 dB、-27.707 dB。样品厚度增加,最大吸收频率移向低频端。 展开更多
关键词 羰基铁粉 吸波涂料 质量分数 电磁波吸收 有效吸收频宽
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FeCo@纳米SiO_(2)的抗氧化及吸波性能 被引量:2
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作者 李晶 朱颖丽 +2 位作者 李享成 陈平安 朱伯铨 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期1135-1142,共8页
以正硅酸四乙酯和FeCo为原料,采用改进的Stober工艺制备了FeCo@纳米SiO_(2)。结果表明:制备粉体为均匀核壳结构;当SiO_(2)含量为35%(质量分数)时,样品的最低反射损耗(RL)在厚度为2.6 mm时达到-36.1 dB,有效吸收带宽(RL<-10 d B)为3.2... 以正硅酸四乙酯和FeCo为原料,采用改进的Stober工艺制备了FeCo@纳米SiO_(2)。结果表明:制备粉体为均匀核壳结构;当SiO_(2)含量为35%(质量分数)时,样品的最低反射损耗(RL)在厚度为2.6 mm时达到-36.1 dB,有效吸收带宽(RL<-10 d B)为3.2 GHz;当SiO_(2)含量为65%时,样品具有最佳的抗氧化性,升温至800℃,质量增加仅2%。SiO_(2)的包覆不仅优化了FeCo的阻抗匹配,有利于电磁波吸收,而且在高温下SiO_(2)可以阻隔FeCo和氧气接触,增加其抗氧化性。 展开更多
关键词 铁钴合金@纳米二氧化硅 电磁波吸收 有效吸收带宽 抗氧化性
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La^(3+)掺杂SiC纳米线的电磁性能与第一性原理计算
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作者 周王聪 李享成 +2 位作者 朱颖丽 陈平安 朱伯铨 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1919-1928,共10页
SiC纳米线具有吸波性能强、作用频带宽、密度低的优点,但是由于SiC较差的阻抗匹配条件和较低的电导率,影响了其吸波性能的进一步提高。为了调节SiC的电子结构,改善其电磁性能,以硅微粉、活性炭、La_(2)O_(3)粉末为原料通过碳热还原法在1... SiC纳米线具有吸波性能强、作用频带宽、密度低的优点,但是由于SiC较差的阻抗匹配条件和较低的电导率,影响了其吸波性能的进一步提高。为了调节SiC的电子结构,改善其电磁性能,以硅微粉、活性炭、La_(2)O_(3)粉末为原料通过碳热还原法在1600℃合成了La^(3+)掺杂SiC纳米线。结果表明:掺杂La^(3+)能够增大SiC纳米线的长径比和堆垛层错密度,增强其形成三维网状结构和界面极化的能力,其介电性能得到了提高。在2~18 GHz范围内,其介电实部由3.08~13.48(x=0)提升至3.33~19.75(x=1.0%),介电虚部由3.45~6.98(x=0)提升至5.03~11.56(x=1.0%)。同时La^(3+)掺杂提高了SiC纳米线的电导率,增强了其电导损耗。由于SiC纳米线界面极化和电导损耗的同时增强,掺杂2.0%的La^(3+)的SiC纳米线在厚度为2.0 mm时达到了最小反射损耗(R)-31.46 dB,有效吸收带宽(R<-10 dB)为7.18 GHz。通过第一性原理计算研究了SiC纳米线及La^(3+)掺杂SiC纳米线的电子结构,结果表明,La掺杂后SiC纳米线的带隙减小,验证了其导电性的增强。La掺杂能够在引入掺杂元素的同时增大SiC纳米线的堆垛层错密度,克服了掺杂元素时堆垛层错密度降低的现象,为合成高吸波特性SiC纳米线提供了思路。 展开更多
关键词 碳化硅纳米线 镧离子掺杂 电磁波吸收 第一性原理 有效吸收带宽
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