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题名双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计
被引量：1
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作者
李学瑞
秋小强
刘兴辉
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机构
辽宁大学物理学院
山东芯慧微电子科技有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期617-623,共7页
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基金
辽宁省自然科学基金资助项目(2021-MS-148)。
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文摘
针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平复制操作的开启时间,提高了数据写入SRAM的速度,使设计的SRAM可在更高频率下正常工作,同时降低了动态功耗。仿真结果显示,在0.9 V工作电压下,相对于经典位线电平复制结构,采用新结构设计的SRAM的写入时间缩短了约27.4%,动态功耗降低了约48.1%,抗干扰能力得到显著提升。
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关键词
双端口静态随机存储器(sram)
位线电平复制
写干扰
控制逻辑
数据写入时间
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Keywords
dual-port static random access memory(sram)
bit line level replication
write interference
control logic
data write time
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分类号
TN791
[电子电信—电路与系统]
TN432
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题名基于双MCU与双端口SRAM的高速传感系统设计
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作者
宋玉琢
徐建
刘文林
魏文菲
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机构
武汉轻工大学电气与电子工程学院
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出处
《武汉轻工大学学报》
CAS
2023年第5期114-120,共7页
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文摘
随着半导体设备的广泛使用,对传感器测量系统的需求也大大增加,传统的传感器测量系统将MCU(微控制单元)与传感器组合使用,用于实时采集、处理和分析数据,但是受限于存储容量、处理速度、测量精度等无法满足高速实时处理数据的需求。基于此,设计了一种基于双端口SRAM的高速传感系统,使用双MCU结合双端口SRAM结构实现更高的数据吞吐量和更快的处理速度。测试表明,在相同主频和相似程序工作流程下,双MCU传感系统比单MCU传感器测量系统的工作时间更快,且双MCU系统完成相同工作所需的时间随着芯片的主频的降低,差距成倍增加。研究结果为采用低主频芯片实现高实时性响应系统提供了思路。
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关键词
微控制单元(MCU)
双端口静态随机存取存储器(sram)
高速传感系统
实时性
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Keywords
microcontroller unit(MCU)
dual-port static random-access memory(sram)
high speed sensing system
real-time
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分类号
TP216.1
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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