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题名高压eGaN HEMT开关行为及其影响因素研究
被引量：3
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作者
彭子和
秦海鸿
张英
修强
储师舜
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机构
多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室
苏州华碧微科检测技术有限公司
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出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2020年第4期17-26,共10页
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基金
国家自然科学基金项目(51677089)
中央高校基本科研业务费专项资金项目(NJ20160047)
+1 种基金
南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金项目(kfjj20170308)
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)。
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文摘
为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEMT高速开关行为的影响规律进行验证,探究了实际电路中存在寄生电感对开关行为的影响。实验结果表明,调整驱动电路参数可以提高开关速度,降低开关损耗,但不可避免地会引起电压、电流的振荡和过冲,设计驱动电路时需要折衷考虑,工况对开关时间影响较大,桥臂电路应用需要根据不同的工况调整死区时间以达到最优的效果,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,实验结果为eGaN HEMT驱动电路的设计和应用提供了有益的帮助。
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关键词
eGaN
HEMT
驱动电路
开关行为
工况
驱动电路参数
寄生电感
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Keywords
eGaN HEMT
drive circuit
switching behavior
working condition
drive circuit parameter
parasitic inductance
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分类号
TM464
[电气工程—电器]
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题名基于功率MOSFET的高压纳秒脉冲源研究
被引量：13
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作者
夏涛
吴云峰
王胜利
戴磊
胡波洋
郑天策
苗玲
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机构
电子科技大学能源科学与工程学院
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2015年第12期1852-1861,共10页
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文摘
为进行钝感火工品电安全性测试,对一种以MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)为开关元件的纳秒双快沿脉冲源进行分析与实验研究。简要介绍其结构的基础上,着重从高压场效应管的开关机理、推挽MOSFET动作时序以及主要寄生参数对输出脉冲波形影响等几方面来详细分析提高高压纳秒脉冲源输出脉冲特性的方法和途径。实验结果表明,该脉冲源可以产生脉冲上升沿约为5 ns、下降沿约为8 ns,幅值300 V左右的准方波脉冲,性能指标满足钝感火工品的电安全性试验的要求。
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关键词
功率MOSFET
纳秒级前后沿
驱动时序
电路寄生参数
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Keywords
metal-oxide-semiconductor type field effect transistor（MOSTFET）
nanosecond grade pulse edges
drive timing
circuit parasitic parameter
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分类号
TN78
[电子电信—电路与系统]
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