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双磁阱中玻色凝聚气体干涉演化探测量子涡旋 被引量：3
1
作者 刘夏吟 苏艳平 徐志君 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期313-317,共5页
研究了两部分具有量子涡旋的玻色凝聚气体相干叠加时的干涉演化图样,并与没有涡旋的情况进行比较。研究发现,在涡旋态下,于涉条纹变得倾斜并且在涡旋核处条纹发生融合。根据干涉条纹的倾斜方向可判断涡旋的方向,由干涉图样在涡旋核处融... 研究了两部分具有量子涡旋的玻色凝聚气体相干叠加时的干涉演化图样,并与没有涡旋的情况进行比较。研究发现,在涡旋态下,于涉条纹变得倾斜并且在涡旋核处条纹发生融合。根据干涉条纹的倾斜方向可判断涡旋的方向,由干涉图样在涡旋核处融合的条纹数可确定涡旋量子数。这种特殊的干涉结构图样为实验探测涡旋提供了有效的方法。 展开更多
关键词 量子光学 量子涡旋 干涉 玻色凝聚气体 双磁阱
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原子芯片上指数型布居增长的原子输运 被引量：2
2
作者 赵子豪 王晓晨 +4 位作者 李博 李萌 蒋小军 钱军 李晓林 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期35-42,共8页
超冷原子体系中要观测增益平衡的宇称-时间(PT)对称,需产生受控的原子布居增益/损耗及相干耦合。本文提出了动态控制原子芯片上双阱中原子输运实现原子布居指数增长的方法。采用直接蒙特卡罗方法数值研究了原子系综在双阱间的输运动力学... 超冷原子体系中要观测增益平衡的宇称-时间(PT)对称,需产生受控的原子布居增益/损耗及相干耦合。本文提出了动态控制原子芯片上双阱中原子输运实现原子布居指数增长的方法。采用直接蒙特卡罗方法数值研究了原子系综在双阱间的输运动力学,发现初始原子数和温度会显著影响输运效果,如目标势阱中的原子布居增益速率和转移效率。此外,还细致分析了左侧势阱抬升时间对右侧势阱中原子布居增长趋势的影响效果。该方案为在超冷原子气体中实现有增益/损耗的PT对称量子体系提供了切实可行的方法。 展开更多
关键词 超冷原子 原子芯片 宇称-时间对称性 双阱 直接模拟蒙特卡罗方法
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冷原子或冷分子囚禁的可控制光学双阱 被引量：19
3
作者 纪宪明 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期4163-4172,共10页
提出了一种采用单光束照明二元π相位板与透镜组合系统产生的适用于冷原子与分子囚禁的可控制光学双阱方案 .计算了双阱的光强分布 ,研究了双阱到单阱的演化过程 ,并导出了双阱几何参数、光强分布、强度梯度及其曲率与光学系统参数间的... 提出了一种采用单光束照明二元π相位板与透镜组合系统产生的适用于冷原子与分子囚禁的可控制光学双阱方案 .计算了双阱的光强分布 ,研究了双阱到单阱的演化过程 ,并导出了双阱几何参数、光强分布、强度梯度及其曲率与光学系统参数间的解析关系 .研究发现 ,通过相对移动二元相位板可实现光学双阱到单阱的连续双向演化 ,得到了双阱间距与相位板移动距离的关系 .该方案不仅简单可行、操作方便 ,而且在原子物理、原子光学。 展开更多
关键词 可控 冷原子 分子光学 量子光学 光强分布 连续 原子光学 单光束 相位 二元
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一种实现冷分子囚禁的可控制静电双阱方案 被引量：3
4
作者 许雪艳 陈海波 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1563-1568,共6页
提出了采用双环形载荷导线和两透明电极系统实现冷分子静电囚禁的可控制静电双阱的新方案,计算了带电圆导线和带电板所产生的静电场分布,从几个方面分析了这个囚禁方案的优点.提出了一种有效的冷分子装载方法,并研究了双阱到单阱的演化... 提出了采用双环形载荷导线和两透明电极系统实现冷分子静电囚禁的可控制静电双阱的新方案,计算了带电圆导线和带电板所产生的静电场分布,从几个方面分析了这个囚禁方案的优点.提出了一种有效的冷分子装载方法,并研究了双阱到单阱的演化过程.研究表明,该可控制静电双阱方案不仅方便装载与操控弱场搜寻态的极性冷分子,而且在分子物质波的干涉、纠缠、冷碰撞,甚至进行双阱分子BEC研究等分子光学领域中有着广阔的应用前景. 展开更多
关键词 极性冷分子 静电囚禁 可控制静电双阱 分子光学
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一种实现冷原子(或冷分子)囚禁的可控制纵向光学双阱 被引量：3
5
作者 沐仁旺 纪宪明 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期5795-5802,共8页
提出了一种新颖的实现冷原子(或冷分子)囚禁的可控制纵向光学双阱方案,它由一个二元π相位板及一会聚透镜所组成,其π相位板由两个面积相等的具有0和π相位的同心圆环组成.当一平面光波通过此光学系统时将在光轴上透镜焦点两侧形成一个... 提出了一种新颖的实现冷原子(或冷分子)囚禁的可控制纵向光学双阱方案,它由一个二元π相位板及一会聚透镜所组成,其π相位板由两个面积相等的具有0和π相位的同心圆环组成.当一平面光波通过此光学系统时将在光轴上透镜焦点两侧形成一个光学双阱,如果调节入射到二元π相位板上光束横截面的半径大小,即可实现从光学双阱到单阱的连续演变,或由单阱到双阱的连续变化.介绍了本方案产生可控制光学双阱的基本原理,给出了形成光学双阱的最佳几何参数,研究了双阱、单阱及其演化过程的光阱参数、光强分布等与光学系统参数间的关系.该方案不仅可用于双样品原子(分子)的光学囚禁及其全光型玻色_爱因斯坦凝聚(BEC)的实现,而且可用于研究超冷原子(或分子)物质波的干涉,或构成双层2D光阱列阵,甚至用于制备新颖的双层2D光学晶格. 展开更多
关键词 二元π相位板 可控制光学双阱 双样品囚禁 光学晶格
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用错位相位光栅产生的可调光学双阱 被引量：3
6
作者 纪宪明 徐淑武 +2 位作者 陆俊发 徐冬梅 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7591-7599,共9页
提出了用相位型错位光栅产生光学双阱的新方案.用平面光波(或TEM00模式高斯光波)照射、正透镜聚焦,在透镜焦平面上产生的适用于冷原子或冷分子囚禁的多对可调光学双阱.计算和推导了双阱的光强分布、强度梯度以及光阱的几何参数与光学系... 提出了用相位型错位光栅产生光学双阱的新方案.用平面光波(或TEM00模式高斯光波)照射、正透镜聚焦,在透镜焦平面上产生的适用于冷原子或冷分子囚禁的多对可调光学双阱.计算和推导了双阱的光强分布、强度梯度以及光阱的几何参数与光学系统参数间的解析关系,研究了双阱到单阱三种不同的演化过程.同时还计算了光学双阱囚禁冷原子的光学偶极势和光子散射速率.研究发现,该方案不仅简单可行、操作方便,而且在原子物理、原子光学、分子光学和量子光学领域中有着广阔的应用前景. 展开更多
关键词 原子光学 相位光栅 光学双阱 冷原子囚禁
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可控制光学双阱实验及非对称双阱的应用 被引量：2
7
作者 李雅丽 王志坚 +2 位作者 龚天林 张华 纪宪明 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2924-2928,共5页
根据用相位板产生可控制光学双阱的实验方案,制作了具有不同相位差的相位板,测量了不同相位差相位板衍射光强分布和从双阱到单阱演变过程中的衍射光强分布,得到了理论与实验一致的结果。进一步分析实验结果发现:相位差Δφ≠π的相位板... 根据用相位板产生可控制光学双阱的实验方案,制作了具有不同相位差的相位板,测量了不同相位差相位板衍射光强分布和从双阱到单阱演变过程中的衍射光强分布,得到了理论与实验一致的结果。进一步分析实验结果发现:相位差Δφ≠π的相位板,产生非对称光学双阱,在原子光学实验中也有很重要的应用,从而拓展了光学双阱在原子光学实验中的应用范围。 展开更多
关键词 原子光学 冷原子囚禁 光学双阱
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可操控二种冷原子或冷分子样品的光学双阱新方案及其实验研究 被引量：1
8
作者 陆俊发 周琦 +1 位作者 潘小青 印建平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第23期151-156,共6页
提出了一种构建可囚禁与操控二种冷原子或冷分子样品的光学双阱的新方案,该方案采用常用的液晶空间光调制器作为分光器件,分光调制函数类似二元相位光栅;对提出的方案进行了模拟实验研究,并研究了从光学双阱到单阱的双向演化过程,该光... 提出了一种构建可囚禁与操控二种冷原子或冷分子样品的光学双阱的新方案,该方案采用常用的液晶空间光调制器作为分光器件,分光调制函数类似二元相位光栅;对提出的方案进行了模拟实验研究,并研究了从光学双阱到单阱的双向演化过程,该光学双阱的模拟实验结果表明与理论方案相符,双阱的操控性好,有利于二种不同的冷原子或冷分子样品的装载与操控等相关实验研究. 展开更多
关键词 原子光学 原子分子囚禁 液晶空间光相位调制器 光学双阱
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冷原子的双阱微磁表面囚禁 被引量：5
9
作者 胡建军 印建平 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期769-776,共8页
提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案 (即双U形与双Z形导线囚禁 )。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向 ,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁 ;如果逐渐减小直导线中的电流大小 ,即可将一个双阱微磁囚禁连续地... 提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案 (即双U形与双Z形导线囚禁 )。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向 ,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁 ;如果逐渐减小直导线中的电流大小 ,即可将一个双阱微磁囚禁连续地合并为一个单阱微磁囚禁 ,反之亦然。详细计算和分析了上述两种载流导线囚禁方案的磁场及其梯度的空间分布。研究发现在导线中通以较小的电流 ,即可在导线表面附近产生很大的磁场梯度及其曲率。例如当电流为 0 .2A时 ,其磁场梯度和曲率可分别达到 0 .2T/cm和 1 0T/cm2 以上。由于双U形导线囚禁中存在磁场零点 ,而双Z形导线囚禁中仅存在磁场最小值 ,所以双U形导线囚禁仅适用于制备双样品磁光囚禁 (MOT)或研究中性原子的冷碰撞 ,而双Z形导线囚禁除了可用于研究原子的冷碰撞之外 ,还可以用于制备双样品玻色爱因斯坦凝聚 (BEC) 展开更多
关键词 冷原子 双阱微磁表面囚禁 载流导线 原子囚禁 双样品玻色-爱因斯坦凝聚 冷碰撞 双样品磁光囚禁
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